【課題】マイクロ波の導入口に近い位置での強いプラズマと、マイクロ波導入口から遠い位置での弱いプラズマとによる被処理物に対する成膜処理の不均一を解消する。
【解決手段】円筒型空洞共振器１内のほぼ中心に被処理物３を装填する円筒型真空チャンバー２と、該円筒型空洞共振器１の側壁部に前記チャンバー２の外側から該チャンバー２内に装填された被処理物３に対してマイクロ波エネルギーｗを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管７及びマイクロ波導入口８と、該チャンバー２内に装填された被処理物３の内面又は／及び外面とに成膜用原料ガスｇを導入する原料ガス導入管６を備え、該真空チャンバー２内にて前記被処理物３を該真空チャンバー２の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段４を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のＣｕ拡散防止膜とＣｕ配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とする。
【解決手段】 被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】 プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

誘電体ハウジング内に配置された少なくとも１つの電極に無線周波数高電圧を印加する一方、プロセスガスが誘電体ハウジングの入口から電極を通過して出口に流れるようにさせることによって、霧化された表面処理剤を組み込んだ非平衡状態大気圧プラズマが発生する。印加される電圧は、電極から少なくとも誘電体ハウジングの出口まで延びる非平衡状態大気圧プラズマを発生するのに十分高い。電極は、誘電体ハウジング内で表面処理剤用の霧化器と組み合わせてもよい。電極は、放射性材料を含んでもよい。処理される表面は、表面がプラズマに接触するようにプラズマの出口に隣接して配置され、このプラズマの出口に対して移動することができる。
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【課題】高いガスバリア性と高い生産性の両立が求められていた。
【解決手段】真空チャンバー内に、３次元中空容器の開口部から内部に処理ガス導入管を挿入してなり、該３次元中空容器を保持してなる３次元中空容器搬送手段を具備し、かつ搬送手段の両側に３次元中空容器の移動区間の一部又は全部を覆うように電極対が配置されており、かつ該電極に交流電極が接続されていることを特徴とする３次元中空容器の内面処理装置および３次元中空容器の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤシステムの洗浄サイクルを制御するための改良された方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 排気口１５２が堆積サイクルの間に１つ以上の粒子と洗浄サイクルの間に洗浄ガス反応種を排出するように構成された真空堆積プロセスチャンバ１３３と、排気口１５２に結合したインサイチュ粒子モニタ１９０とを含む基板処理システムを用いる。インサイチュ粒子モニタ１９０は洗浄サイクルの開始点を求めるように構成されている。プラズマ増強型化学気相堆積システムは、更に、排気口１５２に結合された赤外線用終点検出アセンブリ２００を含んでいる。赤外線用終点検出アセンブリ２００は、洗浄サイクルの終点を求めるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの製造において大面積基板を支持するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】複数の支持プレート２９は、少なくとも１つのアクチュエータ２１８に結合された複数の支持シャフト２３３、２３４により支持される。サセプタ２１４の水平断面プロフィールを選択的に調整して均等且つ均一な処理を促進するように設計される。水平プロフィールは、平坦、凹状又は凸状の１つでよく、処理の前、処理中又は処理の後に調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性が優れ、また高効率で紫外線発光が可能なダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１上に、高濃度にＢがドープされ夫々ソース及びドレインとなる高ドープダイヤモンド層２及び３を局所的に形成する。また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。更に、高ドープダイヤモンド層２上にソース電極となる金属電極７、高ドープダイヤモンド層３上にドレン電極となる金属電極８、ドープダイヤモンド層６上に、ゲート電極となる金属電極９を形成し、ダイヤモンドトランジスタ１０にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波エネルギーを封じ込める円筒型金属製容器と該円筒型金属製容器内に成膜対象物である中空容器を収納する非金属製の真空チャンバーと、該中空容器内に原料ガスを注入する原料ガス導入管が配置され、該円筒型金属製容器の天面部には同軸線路構造のマイクロ波伝送手段を介してマイクロ波エネルギーを注入する手段を具備し、該マイクロ波エネルギー注入手段が該円筒型金属製容器の内面をアース面として存在することが出来る、少なくとも一つ以上のストリップラインによって、該円筒型金属製容器内にマイクロ波エネルギーが注入され、このエネルギーによって得られるプラズマを用いて前記原料ガスをプラズマ化することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。 （もっと読む）

大気圧グロー放電蒸着により、有機ポリマー基板の表面に複層被膜を調製する方法であって、
上記方法の段階は、下記；
プラズマ重合され、光学的に透明な、有機ケイ素化合物の層（第一の層）を蒸着させる段階、そしてその後；
第二の段階において、ポリマーシロキサン又は酸化ケイ素化合物の実質的に均一な層（第二の層）を、前記第一の層の露出面に蒸着させる段階：
を含み、上記複層被膜は、少なくとも２．０μｍの厚さを有し、そしてＡＳＴＭ Ｄ１０４４、ＣＳ１０Ｆホイール、５００ｇ加重に従って測定した５００回のテーバサイクル後に、ヘイズの差分が２０単位以下の変化を示す耐摩耗性を有する。
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【課題】酸素及び水蒸気の透過防止性を有し、しかも透明性に優れたガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア性積層フィルムは、プラスチックフィルムからなる基材フィルム上に、透明な無機酸化物蒸着層を備え、この無機酸化物蒸着層上に、燐酸イオン含有溶液と金属イオン含有溶液を混合してなる、液中に含まれる金属対燐の原子比が１より小さいコーティング液を塗布し、空気中で乾燥固化してなる金属燐酸塩被覆層を備える。 （もっと読む）

珪素含有化合物及びオキシダントを含むガス混合物から、大気圧グロー放電蒸着により、プラズマ重合させたオルガノシロキサン、シロキサン又は酸化珪素の層を有機ポリマー基材の上に蒸着する方法において、オキシダントがＮ₂Ｏを含むことを特徴とする方法。
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【課題】 リークを検出するための改良された方法及びシステムの提供。
【解決手段】 １枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、ガスを含有するように構成されたプロセスチャンバ１３３と、プロセスチャンバ内のガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器６３と、ガス分析器からのフィードバックをモニタするためのコントローラ２５０を備えている。時間の関数として分圧のラインのヒストリカルな勾配を求めるステップと、残留ガス分析器６３による分圧測定に基づいたラインの新規な勾配を計算するステップと、ヒストリカルな勾配と新規な勾配を比較するステップと、オペレータに信号を送るステップとを含む方法により、プラズマ増強型化学気相堆積システム内のプロセス不調を確認する。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージやパーティクルによる薄膜及び基板の劣化を簡単な装置構成で抑制できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、チャンバー２内の圧力を真空圧力まで減圧する減圧部４と、チャンバー２内に設けられ成膜の対象となる基板Ｋを保持するための基板保持部３と、形成すべき薄膜に応じて選択されたガスをチャンバー２内に導入するガス導入部５と、ガスの分子をプラズマエネルギーにより活性化するプラズマ発生部６とを有するプラズマＣＶＤ装置１において、複数の貫通穴が形成されチャンバー２内を下室２１と上室２２とに隔絶するシールド板ＳＰを備え、下室２１はガス導入部５に連接し、上室２２は減圧部４に連接するとともに内部に基板保持部３を備え、基板保持部３は基板Ｋをその薄膜被形成面ＫＦを鉛直下方に向けて保持可能とされる。 （もっと読む）

表面をプラズマ処理するプロセスにおいて、口及び出口を有すると共にプロセスガスが入口から出口へ流れる誘電体ハウジング内で、非平衡状態大気圧プラズマが発生する。少なくとも一部が誘電体材料で形成された配管が、誘電体ハウジングの出口から外側へ延び、配管の端部がプラズマの出口を形成する。処理される表面は、表面が非平衡状態大気圧プラズマと接触するようにプラズマの出口に隣接して配置され、プラズマの出口に対して移動する。
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【課題】 耐熱鋼から作られる構造部材の改良された腐食防止法、特にクロム鋼から作られるボイラー管の腐食防止法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、耐熱鋼から作られる構造部材の腐食防止法、特にＰ９１などのクロム鋼で構成されるボイラー管の腐食防止法である。非酸化雰囲気において、１０００℃〜１２００℃の温度で、ＳｉＣｌ_４を含むガスを用いて、ＣＶＤ法により保護すべき表面を処理する。ＳｉＣｌ_４を用いる処理は、処理サイクル（２６）の間に拡散サイクル（２８）を有する、複数の連続する処理サイクル（２６）において実行される。 （もっと読む）

【課題】切削工具の摩耗及び工具への被削材の凝着を抑制し、切削工具の切削性及び工具寿命を向上させることができる切削工具を提供する。
【解決手段】主材が立方晶窒化硼素である基材の表面に少なくとも珪素元素を含む非晶質炭素材料からなる被膜が形成された切削工具であり、この切削工具は、非晶質炭素材料に含有する珪素元素及び炭素元素の重量比率Ｓｉ／Ｃを、０．１７＜Ｓｉ／Ｃ＜１．１９とし、被膜の厚みを、１μｍよりも大きく２０μｍよりも小さい厚みとしたものである。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ビューウィングウィンドのクリーニング用装置とビューウィングウィンドと取り付け具とを有するプロセスチャンバのためのビューウィングポートが、与えられている。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、この取り付け具に結合され、このビューウィングウィンドと上記プロセスチャンバのあいだに位置されており、この取り付け具のクリーニング用のプラズマ領域にクリーニング用のプラズマを形成するように構成されている。さらに、この取り付け具は、副生成物が、ウィンドに向かうのを妨げることによって、プロセスチャンバからのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を、減少させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場を設定することができ、良好な半導体処理を簡単且つ容易に行うことを可能にしたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理室と、該処理室内に設けられて前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させる機構と、前記処理室外に設けられて前記処理室内の前記被処理基板の周囲に所定のマルチポール磁場を形成する磁場形成機構とを有するプラズマ処理装置であって、前記磁場形成機構を内側と外側のリング状磁場形成手段で構成し、夫々のリング状磁場形成手段を互いに独立して回転可能としている。 （もっと読む）

基体上にダイヤモンド被覆表面を形成する方法。基体の表面を、電子ビームのようなパワー・ビームに露出して表面積及び表面粗さを増大することにより調製する。そのような調製は、ダイヤモンド層を上に接着し、機械的に固定することができる三次元的特殊構造体を表面に与えることもできる。調製した表面に適用されたダイヤモンド層の接着性は増大している。 （もっと読む）