【課題】膜の強度が高く、メンブレンの応力制御が可能であるとともに、電子線透過特性に優れたメンブレンマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。前記メンブレンは、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高いガスバリア性を備え、基材密着性及び屈曲耐性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】 平均表面粗さＳＲａが１〜５０ｎｍの基材上に、少なくとも１層の金属、または炭素含有率が１％未満の無機化合物を含有するガスバリア層と、少なくとも１層の炭素含有率が５％以上の無機化合物、有機ポリマーまたは無機ポリマーを含有する応力緩和層とを有し、該基材に接する第１層の平均膜厚が、該基材の平均表面粗さＳＲａより小さいことを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

半導体製造プロセスによって得られる廃棄物流からの少なくとも１つの酸性ガス成分、水素化物ガス成分、又はこれらの副生成物を除去する装置及びプロセスは、酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して高容量吸収親和力を有する第１の吸収基盤材料と、酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して高い捕捉速度を有する第２の別個の吸収基盤材料と、廃棄物流が上記吸収基盤材料を通じて流れて酸性ガス成分又は水素化物ガス成分が減少されるように、ガス流を上記吸収基盤材料に通じさせる状態で上記プロセスと接合する流路とを備える。第１の吸収基盤材料は塩基性炭酸銅を含むことが好ましく、第２の吸収基盤は、ＣｕＯ、ＡｇＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＺｎＯ、ＭｎＯ_ｘ及びこれらの混合物のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
（もっと読む）

【課題】
安定した所望の電圧波形を被処理物に印加することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】
処理ガスの導入口５、真空排気手段２および試料を載置するステージ６を備え、導入した処理ガスをプラズマ化して試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、ステージ６に高周波電力を供給して試料に入射するイオンを加速する高周波電圧発生手段８と、ステージに供給される高周波電圧を検出して、該電圧が設定値になるように高周波電圧発生手段を制御する電圧センサ１０と、前記ステージに並列に接続され、前記高周波発生手段８の負荷として作用する固定インピーダンス回路９を備え、固定インピーダンス回路のインピーダンス値は、固定インピーダンス回路側に供給される電力が前記高周波電圧発生手段８の出力の５０％以上になるように設定した。 （もっと読む）

【課題】効率良く塵埃を低減することにより、堆積膜特性の向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】下記の工程、を有することを特徴とする堆積膜形成方法。
（１）減圧可能な反応容器内に、投入ステージにてゲートバルブから被処理基体を設置する工程、
（２）前記反応容器を投入ステージから切り離し、処理ステージに移動させ、被処理基体に堆積膜形成処理を行う工程、
（３）減圧状態にて、前記ゲートバルブより被処理基体を反応容器から取り出す工程、
（４）処理ステージにて、前記反応容器にクリーニング性のガスを用いた、ドライエッチングを実施する工程、
（５）反応容器を処理ステージから切り離し、反応容器メンテナンスステージに移動させる工程、
（６）反応容器メンテナンスステージで、少なくとも前記ゲートバルブのメンテナンスを実施する工程。 （もっと読む）

【課題】 処理される微粒子が確実に表面改質効果を得ることができる微粒子処理方法並びに装置の提供。
【解決手段】 ガスをプラズマ処理装置に供給する工程と、前記ガスのプラズマ処理装置への供給経路に粒子を供給し、ガスの流れとともにプラズマ処理装置内へ粒子を供給する工程と、前記供給経路のプラズマ処理装置内出口に対向して配された一対の電極間において、該出口を囲むようにプラズマを生じさせる工程からなることを特徴とする微粒子処理方法である （もっと読む）

本発明は、ｎ−型ダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明の方法は、ｎ−ドーピングステップを含み、その間において、アクセプタとドナー種との間に形成された錯体の解離温度以下、またはその温度と等しい温度で、ドナー種を含んだドナー基を形成するために、ドナー種が、最初にアクセプタ（１２）でドーピングされたダイヤモンド中で真空拡散される。
（もっと読む）

本発明は、容器を搬送するための運動システムと、大気圧で動作する、それぞれ１個ずつ容器を処理するべく設計された複数のプラズマ発生器とを備えた、プラズマを使用して容器の表面を処理するためのデバイスに関する。プラズマ発生器は、処理ガス供給システムと、スイッチとして機能する少なくとも１つのトランジスタもしくはＬＣアダプタを備えた、電流にパルスを供給するべく設計された電源システムとを備えている。
（もっと読む）

【課題】 プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた処理容器１２と、前記被処理体を保持する被処理体保持手段２０と、高周波電圧を発生する高周波電源５８と、前記処理容器内へプラズマ化されるプラズマ化ガスを供給するプラズマガス供給手段３８と、前記処理容器内にプラズマを発生させるために前記高周波電源の出力側に接地されることなく配線６０により接続されて、共に励起電極状態になされた対のプラズマ電極５６Ａ、５６Ｂと、前記配線の途中に介設された高周波整合手段７２とを備える。これにより、プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができるプラズマＣＶＤ装置及びそのクリーニング方法を提供すること
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法は、（Ａ）製膜室１０にフッ素系ガス６１を導入するステップと、（Ｂ）放電電極２０上の電圧分布がほぼ均一になるように、高周波電力を放電電極２０に供給するステップと、（Ｃ）放電電極２０上の電圧分布の最大点ＭＰが、第１給電点２５Ａと第２給電点２５Ｂの中間地点Ｃを挟んで往復するように、高周波電力を放電電極２０に供給するステップとを備える。上記（Ｃ）供給するステップは、上記（Ｂ）供給するステップに続いて実行される。 （もっと読む）

【課題】
保護膜の薄膜化と共に、磁性膜表面に膜厚分布の小さい保護膜を形成し、特に、ロード/アンロード領域における膜厚分布を小さくして、摺動耐力の確保と対腐食性の高い磁気ディスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、保護膜を成膜する工程において、基板が、基板を保持する爪部と爪部を支持する支持具とを有する保持具に搭載され、基板と支持具の最短距離が10ｍｍ以上であることを特徴とする。または、支持具の基板に対向する面に角取り加工が行われ、かつ、基板と支持具の最短距離が5ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、熱可塑性容器の表面（３）上に、この容器を受け入れる円形の真空キャビティ（１）内にＵＨＦ電磁波により前駆ガスを励起することによって低圧プラズマを用いてコーティングを付着させることに関する。本発明は、キャビティの内部にいくつかの電磁界を発生する結合モードが得られるようにＵＨＦ電磁波の周波数に対してキャビティ（１）の大きさを定めることから成る。特に、キャビティの内部に２つの中心磁界（４Ａ、４Ｂ）を発生し、それによって２つの容器（３）をキャビティ（１）内で同時に処理するのを可能にするＴＭ１２０結合モードが得られる。
（もっと読む）

【課題】バリヤ効果を高めた既知の容器で生じる問題を解決し、経済的条件下であまり複雑でない手段を用いて、内容物を効果的に保護しながら製造しやすい容器を提案する。
【解決方法】本発明は、高真空を発生させたチャンバ内に、基板を形成するポリマー材料からなる容器ブランクを導入するステップと、非常に低い圧力下で気相状態のものであって、アルカン、アルケン、アルキン、芳香族化合物等から選択された少なくとも１つの炭素前駆体を反応チャンバ内に注入するステップと、ガラス転移温度よりも低い温度でポリマーを維持し、ポリマー傾向を有する過度に水素と化合させた炭素材料を堆積させる温度条件下で、プラズマを発生させる比較的低い電力で、ＵＨＦ帯域のマイクロ波電磁励起を反応チャンバ内に発生させるステップとからなる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、処理チャンバにダメージを与えることなく、クリーニング速度を速め、低温度で効率良く処理チャンバのクリーニングを行うことの可能な半導体基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に所定の処理を施す処理チャンバを備えた半導体基板処理装置のクリーニング方法において、外部のチャンバ内で発生させたプラズマ放電によって、前記外部のチャンバ内でクリーニング用のガスを活性化させてハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを生成させ、前記ハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを処理チャンバ内に導入し、処理チャンバ内に堆積している堆積物を前記還元性ラジカルで還元して、前記ハロゲンラジカルで高蒸気圧ハロゲン化物として排気することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法による封止膜のパターニング精度及び膜厚均一性の向上を図ることができる封止膜の形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板１の下面１ａ上に配置されるメタルマスク２は、０．５ｍｍ程度の板厚を有するマスク本体部４を有すると共に開口の周縁部に位置する開口エッジ部５がマスク本体部４の板厚よりも薄く形成されている。メタルマスク２は、一対の主面のうち第１の主面２ａが基板１の表面に当接される一方、第２の主面２ｂの開口エッジ部５が切り欠かれることによりマスク本体部４と開口エッジ部５との間には段差が設けられている。封止膜の形成時には、まず基板１の下面１ａ上にメタルマスク２を配置し、次にメタルマスク２の開口を介してプラズマＣＶＤ法により基板１上の第１電極６、発光層７及び第２電極８を覆うように封止膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムは、磁界を生成することができる磁界発生器と、該システムの処理チャンバ内の粒子を照射することが可能な光シートを生成することができるシート光学素子とを含む。イメージング装置は、該光シートにより照射された粒子に対応するイメージデータを獲得することができる。該磁界発生器、該シート光学素子及び該イメージング装置は、プラズマにアクセスするために、互いに関連するように配置することができる。イメージプロセッサは、該光シート内の粒子の濃度を得るために、該イメージデータを処理することができる。プラズマ処理システムにおける粒子濃度を測定する方法は、該磁界発生器、シート光学素子及びイメージング装置を、プラズマにアクセスするために互いに関連するように配置することと、該光シート内の粒子の濃度を得ることと含む。 （もっと読む）

【課題】 改質後の透光性を改善することができる水素化炭素膜の改質方法およびその方法により得られた水素化炭素膜を提供する。
【解決手段】 水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも１種類の元素を含むガスの雰囲気中で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも１種類の元素を含む材料を水素化炭素膜の表面に設置した状態で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、炭素および水素以外の第３の元素を含む水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム内のアーク抑制方法およびシステム
【解決手段】プラズマ処理のためのアーク抑制システムは、このプラズマ処理システムに結合された少なくとも１つのセンサと、少なくとも１つのセンサに結合されたコントローラを備える。コントローラが、少なくとも１つのセンサから発生された少なくとも１つの信号を使用して基板と接触するプラズマの状態を決定すると共に、アーク発生事象を抑制するためにプラズマ処理システムを制御するための、少なくとも１つのアルゴリズムを提供する。センサ間の電圧差が目標差を超えたときに、プラズマ処理システムがアーク発生の影響を受け易くなることが決定される。この状態にある間、オペレータは通知を受け、また処理を続行するか、処理を修正するか、または処理を中止するか決定がなされる。
（もっと読む）

下地を被覆するためのシステムは、下地を加熱するヒータを含む。このヒータは、二次元配列された複数の熱源を含み、これらの熱源は、下地が熱源配列の面前にあるときにこの下地に熱を供給する。ヒータは更に制御装置を含み、この制御装置は、下地の表面の局部区域を、下地のための所定の温度プロファイルに従って加熱するために、各熱源の動作を制御する。
（もっと読む）