【課題】本件は、従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られなかった高度のガスバリア性を奏するプラスチック容器を提供する。
【解決手段】プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第１層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。 （もっと読む）

【課題】 シランガス等を使った高周波プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成工程において生成されるポリシラン等のシリコン含有副生成物を除去する為のクリーニングをプラズマレスで行う工程において、クリーニング反応を促進させクリーニングガス利用率を向上させ、かつクリーニング時間の大幅な短縮化を実現する手段の提供。
【解決手段】 少なくとも反応室１０１及び／又は配管１０８内に堆積したシリコン含有物をクリーニングガスを導入して除去する方法であって、シリコン含有物を、その堆積箇所から、クリーニングガスの流速がより大きな場所へ向かって移動させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 耐衝撃性が向上した反射防止膜を有する光学物品及び光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸着装置内に配置したプラスチック製の光学基板の表面に、水素またはフッ素を含有するガスを分解するための高周波電力値を所定値に設定して、ＳｉＯ₂の金属酸化物からなる薄膜、あるいはＴｉＯ₂の金属酸化物からなる薄膜を、少なくとも１層以上形成した反射防止膜が、３０原子％〜５０原子％の少なくとも水素または／及びフッ素を含有することにより、反射防止膜を有する光学物品の耐衝撃性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 基板近傍だけでプラズマを効率的に発生させるとともに、不純物混入の防止、装置の小型化、消費電力の低減を実現して、半導体デバイス製作に必要な単結晶ダイヤモンドの合成に適したダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 放電室１０を球状に形成し、この内面１１を鏡面仕上げとする。放電室１０の半径は、導入されるマイクロ波の波長の３／４の長さとする。そして、胴部が絶縁部材（石英）で囲まれた同軸アンテナ２１の先端には基板ホルダ３０が載せられ、さらにその上に処理対象物Ａが載せられる。この基板ホルダ３０あるいは処理対象物Ａは、放電室１０の中心に位置する。同軸構造２０の底部は真空シール部４０で完全メタルシールされている。 （もっと読む）

【課題】窒素含有材料を形成するために窒素を組み込むための改良方法を提供すること。
【解決手段】ＮＨ_３の供給源とガス連通しており、励起種ジェネレータとガス連通している単一基板反応チャンバを備えること；該反応チャンバ中に半導体基板を提供すること；
該励起種ジェネレータ中で励起種を生成すること；ＮＨ_３を該基板の上流及び該励起種ジェネレータの下流で該励起種に曝露すること；および該ＮＨ_３の該励起種への曝露の後に、該基板を該ＮＨ_３及び該励起種に曝露することを含む半導体加工方法。 （もっと読む）

【課題】従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られない高度のガスバリア性を奏するプラスチック容器の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック容器本体の内面に、酸化珪素ＳｉＯ_xnＣ_ynを主体とするガスバリア性薄膜を備えるガスバリア性プラスチック容器の製造方法において、プラスチック容器本体１の内面に有機珪素化合物を含む原料ガスを用いてプラズマ化学気相成長法によって複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜２ａ、２ｂ、・・・２ｎを製膜し、その場合、各層の製膜時にプラズマ放電出力を第１層２ａから最上層２ｎにかけて段階的に増加させて各層の酸化度を順次増加させ、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光強度の測定位置やクリーニング条件、プラズマの変動などの要因に影響されることなく、確実にクリーニングの終点検出を行なう。
【解決手段】 成膜処理済みのウエハＷをチャンバー２から搬出した後、チャンバー２内を減圧し、ガス導入口７からクリーニングガスを導入する。高周波電源３０からシャワーヘッド５に高周波電力を印加し、上部電極としてのシャワーヘッド５と下部電極としてのサセプタ３との間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスをプラズマ化する。クリーニング中は、チャンバー２内のプラズマ中のラジカルの発光強度を分光器２２によって測定し、クリーニングの進行に伴って減少するスペクトル（Ｄ）と、クリーニングの進行に伴って増加するスペクトル（Ｉ）との比Ｄ／Ｉを自動的に求め、チャート化することにより、クリーニングのエンドポイントを検出する。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法に比べてより短時間で生成物の除去が可能であり、より精度良く終点検知が可能な生成物の除去方法を提供する。
【解決手段】 反応容器１０１又は該反応容器と連通する配管１０８内の生成物を化学反応によって除去する方法であって、反応容器１０１内に生成物除去用ガスを流す工程と、反応容器１０１又は配管１０８の少なくとも一箇所以上の壁面の温度を測定し、該温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物がプラズマにより損傷を受けず、同時に高い処理速度を達成でき、且つ処理特性が均一なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、電極ユニット１１と反応ガス供給路５２、反応ガス供給口５とを備える。電極ユニット１１は内側電極１、絶縁体２および外側電極３を含む。内側電極１にはプラズマを形成するために電源１３から電力が供給される。外側電極３は、内側電極１と絶縁体２を挟んで対向する。反応ガス供給路５２、反応ガス供給口５は、プラズマによるプラズマ処理に用いられる反応ガスを、電極ユニット１１と試料６との間の空間に供給する。試料６において電極ユニット１１と対向する表面から内側電極１までの最短距離である（距離Ａ＋距離Ｇ）が、試料６の表面から外側電極３までの最短距離である距離Ｇより大きくなるように、内側電極１および外側電極３の配置は決定されている。 （もっと読む）

【解決手段】基板加工システムは、析出チャンバ（１０２）と、析出チャンバ（１０２）内に配置される複数の管電極（１２６）を備え、管電極の間にプラズマ領域（１２８）が定められる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜の均一な薄膜の電極の成膜時間の短縮を図るとともに所望の電極形状を形成する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以下のダイヤモンド微粒子１６を分散させた溶液１１を基材２表面に接触させてダイヤモンド微粒子１６を基材２表面に定着させ、基材２上の定着したダイヤモンド微粒子を核として、気相成長法にて導電性ダイヤモンド薄膜３０を成長させ電極を形成する導電性ダイヤモンド電極において、基材２を分散液１１に接触させる際に分散液１１と基材２のゼータ電位を制御して、基材２上にダイヤモンド薄膜３０を定着させてダイヤモンド電極を形成する。 （もっと読む）

本発明は、適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスがプラズマを発生するためにマイクロ波注入デバイスを介して注入される反応器のプラズマ室内で、導電性透明被膜またはＴＣＯ被膜を基板に付着するプラズマ・インパルスＣＶＤ方法（ＰＩＣＶＤ方法）に関する。マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は、保護デバイスによって特に抑制されるが、これは、そうしないと、マイクロ波透過率の減衰によってプラズマ強度が低減され、それによって結局プラズマ形成が妨げられるからである。層形成を抑制するために使用される保護デバイスは、たとえば、プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間のマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイス、たとえば、一定の間隔で、任意選択で清浄化されるかあるいは取り替えられるフィルムまたは接着テープでもよい。そのような基板はまた、被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用されることもできる。層の所望しない形成はまた、プラズマ室内のガス組成を制御することによって効果的に抑制されることもできる。マイクロ波注入デバイスおよび／または保護デバイスは、マイクロ波透過を実質的に妨げず非導電性または弱導電性である被膜が堆積される温度レベルまで冷却できる。本発明はまた、本発明の方法を実施するＰＩＣＶＤ反応器にも関する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバで使用される加熱基板支持アセンブリを作成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、１つ以上の加熱要素２３２を受け取るための、第１のプレート３２０とその中に溝が配置されている第２のプレート３６０とを有する基板支持アセンブリ２３８と、基板支持アセンブリ２３２を加熱するための電源とを含む。第１のプレート３２０の第１の表面３８０と第２のプレート３６０の第２の表面３９０は、両プレート３２０，３６０が静水圧圧縮によって共に圧縮され、かつ基板処理時に基板を支持するためにプレート状構成に形成されるように、その上に配置されている１つ以上の対応する構成を含む。別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０は周辺全体に圧力を印加することによって圧縮される。さらに別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０の圧縮は、高温で実行される。 （もっと読む）

【課題】膜の強度が高く、メンブレンの応力制御が可能であるとともに、電子線透過特性に優れたメンブレンマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。前記メンブレンは、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】 処理の均一性を非常に良く制御することができるような方法および装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つの基板がプロセスチャンバ内に配置され、プロセスチャンバ内の圧力が比較的低くなっており、少なくとも１つのプラズマ源によりプラズマが生成され、処理を行う間、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または任意で設けられた少なくとも１つの処理流体供給源が、基板の表面に対して移動するようになっているような、少なくとも１つの基板の表面を処理する方法である。本発明は更に、プロセスチャンバと少なくとも１つのプラズマ源とを備え、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または少なくとも１つの任意で設けられた処理流体発生源が移動自在に設けられた、少なくとも１つの基板の表面を処理する装置を提供する。
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【課題】薄膜化が容易で、応力制御が可能であるとともに、加工性が高く、しかも膜の強度が高く、パターン精度の高い、電子線照射特性の優れたステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするステンシルマスク。ダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブに関する。当該プローブは、内側導体（２１）および外側導体（２２）を含む導電性ライン（２０）上に取り付けられており、電流センサ（４１）および電圧センサ（４２）を含み、該電流センサが、該導体（２２）中を流れる電流のための迂回路を形成するために、該導体の１つの主要部内に形成されたグルーブ（４１０）と、該導体に接続されたアースと該グルーブのポイントとの間の電圧を測定するためのポイントとを含み、それによって、該電流センサは、該励起電流の強度（Ｉ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ１）を測定することができる。該電圧センサ（４２）は、該励起電流の電圧（Ｖ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ２）を測定することができる分路センサである。本発明はまた、上記タイプのプローブを有するプラズマ反応器に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、水蒸気透過率が５×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下及び／又は酸素透過率が５×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下、さらには、ＥＬ基板に求められる水蒸気透過率１×１０^-6ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、酸素透過率１×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下のバリアフィルムを安価に提供するものである。
【解決手段】樹脂フィルムの両面に、５ｎｍ〜１００ｎｍ厚の酸化珪素膜からなるバリア層と、さらにその外側に０．１〜３μｍ厚のアクリレート又はメタクリレート膜からなる保護層とを設けた両面に単膜のバリア層を形成した構造のバリアフィルムであって、バリア層及び保護層が真空成膜により形成されたバリアフィルムの水蒸気透過率が５×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下及び／又は酸素透過率が５×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下となるバリアフィルムである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ媒質を用いた真空においてその処理のために薄い半導体基板ウエハを支持するように適合されたデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板デバイスを支持するデバイスは、冷却システムおよび電気的接続手段を含んだ処理室に取り付けられたサンプルホルダ１を備える。このデバイスは静電的手段によって、またはクランプを用いてサンプルホルダ１に固定されるとともに電気的かつ熱的にサンプルホルダ１に接続された中間要素５ａを備える。中間要素５ａは取外し可能であり、支持する薄い基板４の操作を可能にするのに十分な剛性を有し、かつ基板４よりも高い導電率を有する第１の材料から成るベース７を含む。ベース７を被覆する第１の層８は高い誘電強度を有する第２の材料から成る。第１および第２の電極９ａ、９ｂが第１の層８上に配設される。第１の層８および電極を被覆する第２の層１２は高い誘電強度を有する第３の材料から成る。 （もっと読む）

充てん物を含むポリマーマトリクス複合体から作られる製品表面の電気的接続性を改善する方法は、以下の工程を含む：室温よりも高い第一処理温度まで製品の表面を加熱する工程；表面のポリマーの除去と充てん物の除去を酸素ラジカルにより行う表面の第一プラズマ処理工程；プラズマ処理した当該製品の表面を第一処理温度よりも低い第二処理温度まで冷却する工程；表面の活性化を酸素ラジカルにより行う第一プラズマ処理によって生成された表面の第二プラズマ処理工程；第二プラズマ処理により生成された表面上でメタライゼーションを蒸着する工程。 （もっと読む）