【課題】 改質後の透光性を改善することができる水素化炭素膜の改質方法およびその方法により得られた水素化炭素膜を提供する。
【解決手段】 水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも１種類の元素を含むガスの雰囲気中で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、酸素および硫黄の群から選択された少なくとも１種類の元素を含む材料を水素化炭素膜の表面に設置した状態で、水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。また、炭素および水素以外の第３の元素を含む水素化炭素膜にエネルギビームを照射する水素化炭素膜の改質方法である。 （もっと読む）

【課題】気体電離を促進する高いエネルギーを持つ電子を気体中に照射し、放電装置の放電開始電圧を低下させるとともに、空間的に均一な放電を発生させるプラズマイグナイタ及びこれを搭載した装置の提供。
【解決手段】プラズマイグナイタ３は、ホットエレクトロン、準弾道電子、又は弾道電子を生成する半導体もしくは導電性基板４上に形成された電子ドリフト層５と、電子ドリフト層５上に形成された表面電極６とからなり、大気圧プラズマ処理装置に搭載する。 （もっと読む）

基板処理中における大面積基板のマスク部分を提供する。シャドーフレームと１つ以上のマスクパネルとを備えたシャドーフレームアセンブリが提供される。シャドーフレームアセンブリにより、大面積基板上に複数の処理領域を画成する処理開口部が形成される。

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【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたＤＬＣ膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を１層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が１μＳ〜２０ｍＳ、印加電圧が−１〜−５０ｋＶ、パルス繰り返しが１０００〜８０００ｐｐｓのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 原料容器内で生成した原料ガスを断続的または周期的に処理容器に供給するに際して原料ガスの消費量とメンテナンスコストを低減する。
【解決手段】ＡＬＤ成膜処理が開始されると、原料ガス供給部４０は、原料ガス供給モードと原料ガス充填モードとを交互に切り換える。原料ガス供給モードから原料ガス充填モードへ移行した直後は、導入バルブ７４が開状態から閉状態に切り換ってもキャリアガス供給部７２のバルブ８４をしばらく開けたままにしてＡｒガスを原料容器７０に供給し続け、次回の原料ガス供給ステップのためのストック分を稼いでおく。原料ガス充填モード中に原料容器７０内で生成された原料ガスは、導入バルブ７４よりも上流側の原料ガス供給管４６と原料容器７０内のガス空間に充填または蓄積される。次回の原料ガス供給モードに切り換わると、充填されていた原料ガスが開状態の導入バルブ７４を通って一気に処理容器１０に導入される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置を、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理のためのマイクロ波を案内するスロット電極と、該プラズマを着火させるためのプラズマ源とで構成する。 （もっと読む）

基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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励起された、および／またはイオン化された粒子をプラズマ内でプロセスガスから発
生するための装置が提供され、この装置は円筒状に形成され、内部でプラズマ帯域が発
生可能な内部空間（３）、同軸内側導体（１０）、同軸外側導体（１１）、プロセスガ
スが内部空間（３）へ供給可能な入口（１４）、プロセスガスが内部空間（３）から排
気可能な出口（１５）を有し、同軸内側導体（１０）が少なくとも部分的に曲がった形
状を有することを特徴とする。
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【課題】 炭素源を含む原料ガスを用いて放電プラズマを生成させて薄膜を形成するのに際して、良好な品質の薄膜が得られるようにする。
【解決手段】 対向電極４、５の少なくとも一方の上に基材６を設置する。炭素源を含む原料ガスＡを含む雰囲気下で、対向電極４、５間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材６上に薄膜７を生成させる。パルス電圧として正パルスと負パルスとを印加し、かつ正パルスおよび負パルスのパルス半値幅が１０００ｎｓｅｃ以下である。 （もっと読む）

加工物が陰極として機能するようにバイアス電圧（２０及び４７）を接続すると共に、加工物のそれぞれの開口部に陽極（２２及び２４）を接続することにより、加工物の内部表面のコーティングを実現している。真空源（３２）を出口の開口部に接続した状態で、ソースガス（１６及び１８）を入口の開口部から導入する。加工物内の圧力を監視し（３４）、この結果得られた圧力情報を、中空陰極効果を示す状態を維持するべく使用する。任意選択により、炭化水素混合物を導入すると共に加工物に対して負のバイアスを印加することによって、アルゴンガス（１６）を使用して加工物から汚染物質をスパッタリングし、事前浄化（５２）を提供することが可能である。又、アルゴンガスをコーティングプロセスにおいて導入し、コーティングを再スパッタリングすることにより、加工物の長さに沿った均一性を改善することも可能である。このコーティングは、イオン照射エネルギーの制御によって決定される特性を具備したＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）材料であってよい。 （もっと読む）

【課題】成膜時において処理温度の低減、膜へのプラズマダメージの低減を図るとともに膜中へのカーボンの混入を回避した窒化タンタル膜を低温で形成できる。
【解決手段】（ａ）チャンバ内に被処理基板を収納する工程；（ｂ）１）０．１〜１００Ｔｏｒｒの減圧下、２５０〜４００℃の基板温度にてチャンバ内に不活性ガスを供給してチャンバ内のガスを一掃する、２）同減圧および同温度の下でチャンバ内にハロゲン化タンタルガスを供給し、被処理基板上にハロゲン化タンタルを吸着させる、３）同減圧および同温度の下でチャンバ内の未吸着ハロゲン化タンタルを不活性ガスにより一掃する、４）同減圧および同温度の下でチャンバ内に予めラジカル化された水素およびアンモニアの混合ラジカル化ガスを供給し、被処理基板上に吸着されたハロゲン化タンタルと反応させて窒化タンタルを生成する、工程；（ｃ）前記１）〜４）の工程を繰り返す工程；を含む。 （もっと読む）

本発明は、シート状基板の概ね対向する主面上に薄膜を堆積させるためのコーター及びコーターの使用方法を提供する。コーターは、基板が、完全に鉛直な位置にあるのではなく、むしろ鉛直から鋭角度分だけオフセットされた鉛直オフセット構成で基板を支持するよう適合させた基板移送システムを有する。移送システムは、コーターを通って延びる基板進行路を規定する。移送システムは、基板を基板進行路に沿って搬送するよう適合されている。好ましくは、移送システムは、基板のうら主面を支持するためのサイドサポートを含む。好ましいサイドサポートは、コーティング材料が基板のうら主面上に堆積される場合に、そのようなコーティング材料が通過する少なくとも１つのパッセージを画定する。好ましくは、コーターは、基板進行路の両側のそれぞれに（例えば、コーティング材料を供給するよう適合させた）少なくとも１つのコーティング装置を含む。コーティング装置は、好ましくは、基板を基板進行路に沿って一度だけ通過させて、基板の概ね対向する両主面上にコーティングを堆積させるよう適合されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐酸化性および耐拡散性、高機械強度を有し、且つ、離型がし易い金型を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、ガラス成形品を製造するための金型であって、成形面を有するベースと、該成形面に被覆される超硬被膜を有する金型を提供する。該超硬被膜は、非晶質窒化炭素基材、及び該非晶窒化炭素基材中に分散される立方格子窒化炭素粒子を有する。金型は、非晶質窒化炭素の良好な潤滑性によって光学ガラス成形品と接着せずに離型し易くなり、立方格子窒化炭素粒子の極めて高い硬度によって成形面の機械強度を増加し、また、該超硬被膜は金型ベースの金属元素の拡散を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の特性を制御することができる水素脱離方法および水素脱離装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜に、少なくとも１０ｅＶよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。また、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜または樹脂膜に、膜の温度が２００℃未満である状態で、少なくとも３ｅＶよりも大きく１０ｅＶよりも小さいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 第一前駆体ガスを蒸着室内の基板へ流し込んで基板上へ第一単層を形成する。蒸着室内表面マイクロ波プラズマ条件下で、蒸着室内の第一単層へ第一前駆体ガスとは組成の異なる第二前駆体ガスを流し込んで第一単層と反応させ、第一単層とは組成の異なる第二単層を基板上へ形成する。第二単層には第一単層成分と第二前駆体が含まれる。実施態様の一例では、第一及び第二前駆体の流し込みを連続的に反復して第二単層組成から成る材料塊を基板上へ生成する。追加及び他の実施形態についても開示している。
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【課題】 電極を確実に絶縁できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極３１は、プラズマ化空間３０ａから基材Ｗへ向かう方向とは直交する方向に延びている。電極３１のプラズマ化空間３０ａを形成する側とは逆側に金属製のフレーム部材２２Ｌを設ける。電極３１とフレーム部材２２Ｌの間には、絶縁性のスペーサ７０，７５を電極３１の長手方向に間欠的に配置する。電極３１と基材Ｗ配置位置の間には、電気的に接地された導電部材５０を介在させ、この電極３１と導電部材５０の間にＬ形をなすスペーサ７０の第２側部７２を介在させる。隣り合うスペーサ７０，７５どうしの間には絶縁空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が５０原子％よりも多く６５原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．３ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．５ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が０原子％よりも多く５０原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．４ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．９ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。 （もっと読む）

【課題】金属配線の間にボイドのない優れた膜を形成しながらプラズマによる接合漏洩電流を防止することが可能な半導体素子のパッシベーション層形成方法を提供する。
【解決手段】多数の金属配線が形成された基板を高密度プラズマＣＶＤ法の蒸着装備にローディングする段階と、プラズマによるダメージを防止するために、前記金属配線を含んだ全体構造上に第１工程条件で第１絶縁膜を形成する段階と、前記金属配線の間をギャップフィルするために、前記第１絶縁膜上に第２工程条件で第２絶縁膜を形成する段階と、前記蒸着装備から前記基板をアンローディングした後、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 微細化された半導体装置において、半導体素子相互間及び配線相互間に層間絶縁膜が十分に埋め込む。
【解決手段】半導体基板１に形成された半導体素子と、半導体素子上及び半導体基板１上に位置し、下地膜としての第１の絶縁膜９ａと、第１の絶縁膜９ａ上に位置し、Ｏ_３とＴＥＯＳを反応させるＣＶＤ法により形成された第２の絶縁膜９ｂと、第２の絶縁膜９ｂ上に位置し、プラズマＣＶＤ法により形成され、表面がＣＭＰ法により平坦化された第３の絶縁膜９ｃと、第１乃至第３の絶縁膜に形成され、半導体素子上に位置する接続孔１０ａ，１０ｂと、接続孔１０ａ，１０ｂに埋め込まれた導電体１１ａ，１１ｂと、第３の絶縁膜９ｃ上に形成され、導電体１１ａ，１１ｂを介して半導体素子に接続する配線１２ａ，１２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の導波管スロットアンテナからなるアンテナアレーの開口面積を大きくするときの装置構成の複雑化および大型化を抑制する。
【解決手段】分配器３０は、導波管スロットアンテナ１０Ａ〜１０Ｈの幅方向に延びる給電用導波管と、導波管スロットアンテナ１０Ａ〜１０Ｈの放射用導波管と給電用導波管とを連通する給電用導波管の壁面に形成された開口１２とを有する。この分配器３０では、導波管スロットアンテナ１０Ａ〜１０Ｈの放射用導波管の幅の総和と同じ長さの給電用導波管を用いればよいので、アンテナアレーを構成する導波管スロットアンテナの数を増やして開口面積を大きくしても、装置構成が複雑化かつ大型化することはない。 （もっと読む）