【課題】触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。トレンチ、ビアホール、コンタクト、広い受動素子だけでなく電力素子と電力線のための大きいトレンチとホールを充填する配線方法がここに開示されて提供される。ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 （もっと読む）

開放性火炎に基づく噴射のための本発明の装置および方法は、機械的に圧送された反応性かつ可燃の液体溶液をノズルを用いて小さいオリフィスまたはノズルを経て予熱、与圧および霧化し、それから一組の点火炎により該噴射を燃焼させるものである。液体原料はノズルに達する前に超臨界温度に予熱され、入口に関する原料流経路の出口ポートの大きさの削減によって噴射の前に加圧される。補足のコリメーションまたは被覆ガスが原料の流経路に供給され、原料および補給ガスの両方が噴射の前に均一に加熱される。この配置によりノズルの目詰まりが避けられ、噴射手法の粒子生産物の特性が充分に制御される。 （もっと読む）

【課題】 複数種類の原料ガスを用いて薄膜を堆積する場合において、各原料ガスを効率的に分解可能とする。
【解決手段】 原料ガスを触媒体８で接触分解して生成した分解種により基板２上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装置である。２種類以上の原料ガスを導入する原料ガス導入機構（シャワーヘッド４）と、構成材料が異なり原料ガスの分解に対して選択性を有する少なくとも２種類の触媒体８Ｘ，８Ｙとを備える。２種類以上の触媒体としては、例えばニッケルを含有する第１の触媒体と、タングステン、タンタル、モリブデン、イリジウム、レニウムから選択される少なくとも１種を含有する第２の触媒体である。第１の原料ガスとしてヘキサフルオロプロピレンオキサイドを導入し、第２の原料ガスとして水素及びアンモニアから選ばれる少なくとも１種を導入することで、ポリテトラフルオロエチレン薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、物理的・化学的に極めて安定で、過酷な環境下で使用することが可能な耐久性に優れた多孔質性複合基板を提供することを目的とする。また電極としても使用が可能である。
【解決手段】 基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該基板が多孔質で開気孔を有し、該導電性ダイヤモンド層を構成する導電性ダイヤモンドが連続している部分が１０００μｍ^２以下であることを特徴とするダイヤモンド被覆基板である。また、前記多孔質基板の開気孔径が０．１μｍ〜１０００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
液晶素子表示体又は有機ＥＬ素子表示体に係る部材として、好適な水蒸気バリア性を有し、且つ、液晶素子表示体又は有機ＥＬ素子表示体の製造プロセスによって水蒸気バリア性の劣化が少ない透明ガスバリア基板を提供する。
【解決手段】
下記の透明ガスバリア基板を提供する。
［１］透明樹脂基板の片面又は両面に、酸窒化ケイ素層及び窒化ケイ素層が、この順に積層されてなる透明ガスバリア基板。
［２］酸窒化ケイ素層が、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ法）で観測される酸素の元素比率をｘ、窒素の元素比率をｙとしたとき、０．３０≦ｘ/(ｘ＋ｙ)≦０．９０で示される条件を満たすものである、前記［１］記載の透明ガスバリア基板。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

【課題】 触媒ＣＶＤ法で堆積したアモルファスシリコン膜に対し、レーザーアニーリング法により結晶化（ポリシリコン化）を行う際に、水素の突沸によりポリシリコン膜の膜面荒れが生じることがあった。
【解決手段】 予め加熱した触媒体と第一の供給ガスとの反応生成物により真空処理室内部の処理をすることにより、基板を真空処理室に搬送してシリコン系薄膜を堆積する際の真空処理室内部に付着したシリコン膜の離脱による堆積種の発生を低減でき、シリコン系薄膜の膜中の水素含有量を安定的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】 触媒体としてワイヤー形状のイリジウムを用いた触媒ＣＶＤ法では、触媒体加熱時のワイヤーのたわみにより、触媒体と基板間の距離が一定に保持できないため、基板面内で膜厚分布や膜質が不均質になった。
【解決手段】 触媒体をイリジウム等の酸化防止する元素で被服することにより、触媒ＣＶＤ法により酸化膜を形成する際の触媒体選択の自由度が向上し、入手性を改善するとともに加工性に優れた触媒体を選択できるため、酸化膜の膜厚及び膜質の不均一性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド電極が各種電極の材料として有用であることは公知であるが、電解プロセスにおいて満足する電極寿命を有する電極はいまだ商用化されていない。工業電解に利用できる耐久性且つ大型化の容易なダイヤモンド電極を開発する必要が生じている。
【解決手段】 導電性基体17表面に導電性ダイヤモンド層21を形成した電解用電極の前記導電性基体の粗さ曲線の算術平均高さ（Ｒａ）と粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍ）を一定範囲に維持して大きな山谷18、中程度の山谷19及び微細な山谷20を形成することにより、前記電極の表面積を増大させて長寿命化を図る。 （もっと読む）

【課題】 触媒線の寿命を長期化し、生産性の向上を図ることができる触媒線化学気相成長装置および触媒線の再生方法を提供する。
【解決手段】 触媒線１７と同一成分元素（例えばタングステン）のハロゲン化物（例えばＷＦ₆）を含む再生ガス１８ｃをガス導入配管１６を介して、触媒線１７が設置された反応室１１へ導入する。導入された再生ガス１８ｃは触媒線１７に接触されることで、触媒線１７の熱でハロゲン化物が分解し、その分離したタングステン元素が触媒線１７と結合される。これにより、触媒線１７の線径を回復させ、長寿命化を図る。また、クリーニングガス１８ｂとの接触で損耗した触媒線１７の再生を図る。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置を簡素化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ２内に導入された原料ガスを触媒線３により活性化して、被処理基板６に成膜処理を行う成膜方法であって、成膜処理工程の前に、触媒線３を用いて被処理基板６を加熱処理する工程を有する。加熱処理工程では、被処理基板６の両側に触媒線３を配置して被処理基板６を加熱処理し、成膜処理工程では、被処理基板６の両側に触媒線３を配置して被処理基板６の両面に成膜処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｌ_２ガスの供給を均一にして前駆体のガスを均一に形成し、均等な薄膜を作成する。
【解決手段】 チャンバ１内で被エッチング部材１５を加熱し、加熱された被エッチング部材１５にシャワーヘッド１１から噴出されたＣｌ_２ガスを接触させて前駆体ＣｕＣｌのガスを均一に形成すると共に、チャンバ１の外部から塩素ラジカルＣｌ^＊を供給し、前駆体ＣｕＣｌを基板３に吸着させると共に基板３に吸着状態となっている前駆体ＣｕＣｌに塩素ラジカルＣｌ^＊を作用させて前駆体ＣｕＣｌを還元することで前駆体ＣｕＣｌのＣｕ成分を析出させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、特に大気圧に近い圧力雰囲気で半導体基板上に薄膜を形成する装置におけるパーティクル発生の問題を回避して生産性を向上するのに好適な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】
本発明における成膜装置は、少なくとも、半導体基板上に薄膜を形成するための反応室と、ガス供給系と、ガス排気系を有しており、前記ガス排気系は、反応室に接続する第一の排気管と、第一の排気管を分岐した第二および第三の排気管とで構成される。第二の排気管は第一のバルブと第一の圧力制御弁を有し、第三の排気管は第二のバルブと第二の圧力制御弁を備え、第一のバルブと第二のバルブとは、同時に開状態にはならないようにし、また、第一の圧力制御弁と第二の圧力制御弁とは、各々独立して機能する構成とした。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂製容器にプラズマ蒸着を用いて被膜を形成することにより生じる様々な問題を解決する。
【解決手段】本発明装置10は、加熱体16を備えボトル1の本体を構成する壁部2の口部2aからその内部への挿入及び当該内部からの引き出しが可能なパイプ15と、このパイプ15に原料ガスＧを供給する原料ガス供給手段と、加熱体16の発熱を生起させる発熱手段とを備え、壁部2の内部に挿入したパイプ15を介して供給した原料ガスＧを加熱体16により加熱して原料ガスＧから生成した分解種を壁部2の内側表面に蒸着させて被膜3を成膜する。 （もっと読む）

【課題】触媒強化化学気相蒸着装置のシャワーヘッドにフィラメントを效率的に配列することによって蒸着ソースの分解を均一に発生させてガス使用効率を極大化させて、これを通じて均一な薄膜を得ることができる触媒強化ＣＶＤ装置及びフィラメント配列構造により形成された薄膜を採用する有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】２個以上の電極と、電極に各端が接続されたフィラメント、及びフィラメント側に噴射口が向くように配列された複数個のガスノズルで構成されるシャワーヘッドを含む触媒強化化学気相蒸着装置であって、フィラメントは、シャワーヘッドの中心軸に対して左右対称に装着される。フィラメントを效率的に配列することによって蒸着ソースガスの分解を均一に発生させてガス使用効率を８０％以上まで極大化させて、これを通じて均一な薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】触媒化学気相蒸着装置に使われる触媒ワイヤに張力を加えて熱変形によるワイヤの垂れが防止され、追加的なガスを引入して異物生成を排除させるようになった触媒化学気相蒸着装置及び触媒化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】工程チャンバ１と、前記工程チャンバ１内に工程ガスを引入するように構成されるシャワーヘッド２と、前記シャワーヘッド２から引入されるガスを分解させるように前記工程チャンバ１内に構成される張力付加の可能な触媒ワイヤ構造体３と、前記触媒ワイヤ構造体３で分解されたガスが蒸着される基板４と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】触媒化学気相蒸着装置を利用して別途の後熱処理工程及び脱水素工程なしにも多結晶質Ｓｉ薄膜の成長が可能になるようにした多結晶質薄膜のインサイチュー成長方法を提供する。
【解決手段】工程チャンバ内に真空を排気させる準備段階と、真空が排気された工程チャンバ内に真空チャンバ及び触媒を清浄化させる清浄化段階と、清浄化がなされた工程チャンバ内に基板が引入される基板引入段階と、基板が引入された前記工程チャンバ内に工程ガスが噴射される工程ガス噴射段階と、及び工程ガスが噴射された工程チャンバ内に工程ガスを触媒の反応を利用して基板上に多結晶質薄膜で成長させる工程段階と、を含んでなる。 （もっと読む）

特にナノ領域で個々の材料成分を堆積する公知方法は顕微鏡のプローブチップと基板の間に電界を使用して運転し、電界に前駆物質ガスを、材料成分を含有する１種の化合物と一緒に導入する。電界の作用下に化合物が分離し、材料成分が遊離し、材料成分が引き続き基板上にプローブチップの下に狭く限られた領域に堆積する。本発明の方法では複数の先駆物質ガス（ＰＧ）を、他の材料成分（Ｃｄ、Ｔｅ）を含有するそれぞれ他の化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）と一緒にガス混合物中で、調節可能な混合比で、同時にまたは相前後して使用し、分離された異なる前駆物質化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）から分離された材料成分（Ｃｄ，Ｔｅ）から選択された混合比に相当して共通の化合物（ＣｄＴｅ）を形成し、この化合物を基板（Ｓ）に局所的に堆積する。従ってパラメーターを調節した化合物材料、特に化合物半導体を異なる材料成分と一緒に変動できる濃度で堆積できる。有利に異なるスペクトル帯域の間隙を有するナノ構造化された、堆積されたナノポイントからのフォトダイオードまたは発光ダイオードを有する半導体部品を形成することもできる。
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【課題】シャワーヘッドと触媒支持部が分離して簡単な構成を持ち、工程最適化条件としてシャワーヘッド、触媒ワイヤ及び基板間の距離調節が可能であり、低温部から発生されうる異物の発生防止が可能になるようにパージング機能が具備された触媒化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】工程チャンバ１と、工程チャンバ１内に工程ガスを導入するように構成されるシャワーヘッド７と、シャワーヘッド７から導入されるガスを分解させるように工程チャンバ１内に構成される触媒ワイヤ８と、触媒ワイヤ８を支持するように構成された触媒支持部８００と、触媒ワイヤ８で分解されたガスが蒸着される基板Ｓと、基板Ｓを支持する基板支持部４とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶質シリコンを別途の後続熱処理なしに形成可能にする化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板３８に薄膜を形成するためのチャンバ３０と、チャンバ３０の上部に設けられ、基板３８上に反応ガスを噴射するシャワーヘッド３２と、反応ガスを均一に分散するための分散孔３４ａが形成された分散器３４と、分散器３４の分散孔３４ａを介して注入された反応ガスを加熱してイオンまたはラジカル状態に分解する触媒熱線部３６と、基板３８が装着されるチャック３９と、反応ガスを排出するための排出口３１と、チャンバ３０の内部で側壁を成し、パーティクルの発生を抑制するための加熱部４２ａを具備した二重壁４２と、を含んで構成される。 （もっと読む）