【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、ガス導入ヘッド３１を高温媒体４に沿って配置することで、原料ガスの使用効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を削減可能にして薄膜の生産性を向上した成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤチャンバ１３は、成膜位置にある基板Ｓの面方向に沿って延びる退避室３１を搭載し、退避室３１に収容されたホルダ３３を昇降させて各触媒線３５をそれぞれ成膜室２１と退避室３１とに選択的に配置する。そして、成膜室２１に成膜ガスを供給する場合には、各触媒線３５をそれぞれ成膜室２１へ移動させ、成膜室２１にクリーニングガスを供給する場合には、各触媒線３５をそれぞれ退避室３１へ移動させ、ゲートバルブＧＶ２を閉じる。 （もっと読む）

【課題】高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置において、高温媒体４の垂れに起因した問題を解消し、ランニングコストや生産性を向上させる。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー１内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダー２により保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、基板ホルダー２を、高温媒体４を挟んで対称の位置にそれぞれ基板９を垂直に保持する第１の基板ホルダーと第２の基板ホルダーとし、高温媒体４を、垂直な面内に、当該垂直な面内における斜め４５度より垂直に近い角度で設置された複数の媒体エレメント４１で構成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体３が電力供給機構に接続されている接続部３３及び／又は発熱体３が支持体３１に支持されている支持部を、接続部３３、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体３と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部３３、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構３２１を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部３３に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体３の端部にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、窒化物膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。
【解決手段】触媒反応装置５内にヒドラジン及び窒素酸化物から選択された１種以上の窒素供給ガスを導入し、この窒素供給ガスを触媒と接触させることにより生成される反応性ガスを触媒反応装置５から噴出させ、反応性ガスと化合物ガスとを反応させて、基板７上に窒化物膜を堆積させる、窒化物膜の堆積方法である。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水蒸気バリア性と特に剥離強度に優れる樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂層と、この樹脂層の表面に形成された表面層を有する樹脂基板であって、前記表面層は、（ａ）前記樹脂層の表面に形成され、化学気相成長法により成膜開始温度が５０℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とする第１のＳｉＮ層と、（ｂ）前記第１のＳｉＮ層上に形成され、化学気相成長法により成膜開始温度が１７０℃以下で成膜された窒化ケイ素を主成分とする第２のＳｉＮ層とを有することを特徴とする樹脂基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水蒸気バリア性と特に剥離強度に優れる樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が５０℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするＳｉＮ層を少なくとも１層有する表面層とを有することを特徴とする樹脂基板。 （もっと読む）

無機多孔質基材、及びベース基板に堆積させたナノ粒子を用いた無機多孔質基材の製造方法である。無機多孔質基材は生物学的応用、例えば、ＤＮＡ、ＲＮＡ、蛋白質等の生体分子の固定に有益である。また、無機多孔質基材は細胞増殖の分野でも有益である。
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【課題】作成される薄膜中への不純物の混入を防止する発熱体を用いた化学蒸着方法の提供。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により１５００〜１９００℃程度の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３はタングステン等の高融点金属のワイヤーであり、薄膜作成時の温度以上の２０００〜３０００℃程度の温度に１×１０^−６〜１Ｐａ程度の真空中で５分以上維持する高温処理が施された後、処理容器１内に取り付けられている。発熱体３の成形時等に混入した重金属が高温処理により予め放出され、薄膜中への混入は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃを下回る。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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【課題】本発明は、水蒸気バリア性と平坦性を兼ね備えた樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂層と、この樹脂層の表面に表面層を有する樹脂基板であって、前記表面層は、化学気相成長法により成膜された窒化ケイ素を主成分とする層であり、前記樹脂層と前記表面層との界面において、前記表面層中の窒素濃度の最大値と樹脂層中の窒素定常濃度の差分を１００％としたときに、８０％から２０％に遷移する界面領域の厚みが２５ｎｍ以下であり、且つ前記表面層の平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下であることを特徴とする樹脂基板。 （もっと読む）

【課題】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、導電性ダイヤモンド電極構造体を用いてフッ素含有物質を合成する電解合成方法を提供する。
【解決手段】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する導電性ダイヤモンド電極構造体であって、導電性電極給電体８と導電性基体の表面に導電性ダイヤモンド皮膜を坦持した導電性ダイヤモンド触媒担持体９とよりなり、導電性電極給電体８の前記電解浴に浸漬する部分に導電性ダイヤモンド触媒担持体９を着脱自在に取り付けたことを特徴とする導電性ダイヤモンド電極構造体、及び、該導電性ダイヤモンド電極構造体を陽極として用いるフッ素含有物質の電解合成方法。 （もっと読む）

【課題】成長コストの増大を抑制し、かつ基板温度の上昇を抑制しつつ原料ガスを加熱できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが導入されるチャンバー１０と、チャンバー１０内に配置され、基板１００を載せるサセプタ４０と、サセプタ４０を加熱する加熱源３０と、原料ガスに接するチャンバー１０の内壁１１とサセプタ４０との間に配置された熱伝達部５０とを備え、サセプタ４０から熱伝達部５０を介して内壁１１に伝達される熱により原料ガスを加熱する。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる半導体装置を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に第１，第２層目のパッシベーション膜１５，１６（第１パッシベーション膜）が形成されている。そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。このように触媒化学気相成長で形成したＳｉＮ膜は、従来のようにプラズマ化学気相成長で形成したＳｉＮ膜に比べて吸湿性が低い。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を図ることができる触媒化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る触媒化学気相成長装置１においては、触媒線６として、タンタル線の表面にそのホウ化物層が形成されたものを用いる。金属タンタルのホウ化物（ホウ化タンタル）は、金属タンタルよりも硬質であるため、このホウ化物層が表面に形成されたタンタル線を触媒線として用いることで、触媒線の熱伸びを低減し、機械的強度を向上させて、長寿命化を図ることが可能となる。また、触媒線６の通電加熱を連続通電によって行うことで、触媒線６の更なる高寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜容器内に付着する反応生成膜の除去作業などの成膜に寄与しない作業での待ち時間を削減でき、これにより、生産性を向上させることができると共に、成膜対象物への均一な成膜を実現できる構造簡単且つ安価なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１内に収容される成膜対象物Ｓを加熱し、該加熱された状態の成膜対象物Ｓに膜形成するＣＶＤ装置１００は、成膜容器１内において、トレイ１０に支持される成膜対象物Ｓとは反対側で該成膜対象物Ｓを加熱する発熱源２と、トレイ１０と発熱源２との間に位置すると共に、トレイ１０に接触され且つ発熱源２との間に空間Ｑを確保した状態で、トレイ１０に支持される成膜対象物Ｓの温度を均一化する温度均一化部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

【課題】触媒体の劣化を抑制させて生産性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造する半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート２４が、チャンバ本体２１の空間Ｓを２つに区画し、成膜を行う第一室Ｓ１と、第一室Ｓ１を除く第二室Ｓ２とを形成する。また、接続端子ホルダ３１が、各接続端子３２をそれぞれ第二室Ｓ２に配置し、触媒体Ｗの両端部を、それぞれ第二室Ｓ２にまで案内する。そして、第一調整バルブＶｃ１が、第一室Ｓ１の圧力を「第一目標圧力」に調整し、第二調整バルブＶｃ２が、第二室Ｓ２の圧力を「第一目標圧力」よりも低圧の「第二目標圧力」に調整する。 （もっと読む）