【課題】均一で高品質な絶縁膜を作成、特に３００℃以下の低温プロセスのみで高品質な絶縁膜を作成する。
【解決手段】基板１００を保持するヒーターユニット１４を格納した反応炉１０と、有機シリコンまたは有機金属を含有する原料ガスを反応炉１０内に導入する原料ガス導入バルブＶ１を備えた配管１１と、オゾン含有ガスを反応炉１０内に導入するオゾン含有ガス導入バルブＶ２を備えた配管１２と、反応炉１０内のガスを排出する排気バルブＶ３を備えた配管１３とを備え、前記原料ガスとオゾン含有ガスを交互に反応炉１０内に供給するように原料ガス導入バルブＶ１とオゾン含有ガス導入バルブＶ２と排気バルブＶ３が開閉動作する際、オゾン含有ガス導入バルブＶ３は前記オゾン含有ガスのオゾン濃度が０．１〜１００ｖｏｌ％となるように動作する共に、ヒーターユニット１４は基板１００の温度を室温から４００℃までの範囲で調整する。 （もっと読む）

【課題】気相ダイヤモンドの合成反応における反応ガスの導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法および気相ダイヤモンドの合成反応に有用である酸素の導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法を提供すること。液体原料である有機溶媒等を霧化しその霧化状有機溶媒等と水素ガスとの反応ガスを調製することができる気相ダイヤモンドの合成装置を提供すること。
【解決手段】熱フィラメント式ダイヤモンドの合成装置本体と、この内部に該本体外部に設置した液体原料制御供給部と連通する静電霧化器を内設してなる気相ダイヤモンドの合成装置を使用し、この合成装置の内部に水素ガスを充満すると共に前記液体原料制御供給部に有機溶媒等を供給し、該有機溶媒等を静電霧化器で霧化しその霧化状有機溶媒と水素ガスとの反応ガスを調製して気相ダイヤモンドの合成反応を行うことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性に優れる窒化シリコン膜を低温で形成することができる窒化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る窒化シリコン膜の製造方法は、冷却可能な基材ホルダ４上にプラスチックフィルム１５が設置され、かつ、このプラスチックフィルム１５の上方に加熱可能なタングステンワイヤ６が設けられた真空槽２の内部を、減圧装置３により減圧して真空状態にする減圧工程と、減圧工程により減圧された真空槽２の内部に、シャワーヘッド５によりシランガス、アンモニアガス及び水素ガスを導入するガス導入工程と、ガス導入工程により真空槽２の内部に導入されたガスを、タングステンワイヤ６を加熱しつつタングステンワイヤ６により接触分解するガス分解工程と、ガス分解工程により得られるガスの分解種を、基材ホルダ４を冷却しつつプラスチックフィルム１５の表面に堆積させることにより、プラスチックフィルム１５の表面に窒化シリコン膜を形成する成膜工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。
【解決手段】 １４００〜１８００℃に加熱した金属触媒体に水素ガスを接触させて生成した水素ラジカルにより、７００℃以上９００℃未満に加熱したケイ素基板の表面近傍でモノメチルシランを分解してケイ素基板表面に立方晶炭化ケイ素結晶膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ前処理を行うこともなく、低温で、比抵抗が低く、酸化物膜やＣｕ配線膜に対する密着性が優れ、またＣｕ配線の信頼性を損なうことのないバリアメタル膜であるＷ系金属薄膜を形成する方法の提供。
【解決手段】真空チャンバー１０２内に原料ガス(ＷＦ_６、Ｗ(ＣＯ)_６ガス等)を導入する工程と、化学構造中に水素原子を含んだ反応性ガス(Ｈ_２、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、ＮＨ_２ＮＨ_２ガス等)を触媒体１０８に接触させて活性種にしてから真空チャンバー１０２内に導入する工程とからなるＣＡＴ−ＡＬＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】 被堆積材の温度上昇の抑制と高速な成膜との両立を図る。
【解決手段】 真空容器２内に設置された被堆積材３上に薄膜形成を行う成膜装置であって、材料ガスの一部を活性化する触媒体５と、触媒体５と接触するように材料ガスの一部を導入する第１のガス供給手段６と、触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第２のガス供給手段７とを有する。材料ガスの少なくとも一部を触媒体５により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより残りの材料ガスを活性化して堆積種とし、被堆積材４上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

基板上に多層膜／コーティングを形成する改善された気相堆積方法及び装置を開示する。本方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるものであって、基板と直接的に接触する酸化物層の厚さが、基板の化学組成に相関するものとして制御される。これにより、後に堆積される層は、酸化物層により良好に結合される。改善された方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるが、この多層コーティングでは、酸化物層が基板上に直接的に堆積され、有機物層が酸化物層上に直接的に堆積される。典型的には、酸化物層及び有機物層が交互に配置される一連の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐腐蝕性が改良されたダイヤモンド被覆電極を提供すること。
【解決手段】本発明は、導電性ダイヤモンドで形成された被覆部を、少なくともその一方の面に有する基板（Ｆ）からなる電極で、該被覆部が、第１平均粒径を有する少なくとも１つの第１ダイヤモンド層（Ｂ、Ｄ）と、第２平均粒径を有する少なくとも１つの第２ダイヤモンド層（Ｃ、Ｅ）とからなり、該第１平均粒径が、第２平均粒径よりも大きく、第１ダイヤモンド層（Ｂ、Ｄ）が、第２ダイヤモンド層（Ｃ、Ｅ）で覆われている、電極に関する。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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