【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハＷが載置された処理容器１５０と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Ｍｂを処理容器１５０内に放出する超音波噴霧器１１０と、放出された金属塩溶液の液滴Ｍｂが処理容器１５０の内部をウエハＷに向けて移動する際に通過する空間Ａに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂを熱分解する温度調整器１５２とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 （もっと読む）

【課題】加熱した触媒により処理ガスを活性化し、この処理ガスから生成する活性種を用いて基板に対して処理を行うにあたり、触媒を加熱するための給電部位の断線や短絡を防止すること。
【解決手段】ウエハＷに対向するように島状に複数の棒状体のセラミックヒータ３１処理容器１の天板に固定して配置すると共に、このセラミックヒータ３１の下方側の先端部にガス拡散板１１のガス吐出孔１３に対向するように金属触媒層４４を設けて、セラミックヒータ３１（抵抗発熱線４２）により金属触媒層４４を間接的に加熱して処理ガスを活性化する。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 複数の基板を収容する反応室を形成する反応管と、反応管の内部に設けられたバッファ室と、反応室内に第１の処理ガスを導入する第１のガス導入部と、バッファ室内に第２の処理ガスを導入する第２のガス導入部と、を備え、第１のガス導入部は第１のガス供給口を有し、第２のガス導入部はガス導入口を有し、バッファ室は、第２の処理ガスを反応室内に供給する複数の第２のガス供給口を有し、第２のガス導入部にリモートプラズマユニットが設けられ、第２の処理ガスが活性化され、活性化された第２の処理ガスが複数の第２のガス供給口から反応室内に供給され、第１の処理ガスと活性化された第２の処理ガスとが交互に複数回供給されて基板の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】工具基体表面に対し、すぐれた密着性を有し、ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、ＷＣ層からなる下地層とダイヤモンド層からなる上部層とを蒸着形成したダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具において、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、下地層、上部層の各結晶粒の（１１１）面の法線が基体表面の法線に対してなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、ＷＣ層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の７０％以上の割合を占め、また、ダイヤモンド層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の８０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に、下部ダイヤモンド皮膜、中間ダイヤモンド皮膜および上部ダイヤモンド皮膜が被覆された全体膜厚が７．５〜３０μｍのダイヤモンド被覆工具であって、（ａ）下部ダイヤモンド皮膜は、５〜１５μｍの膜厚を有する８００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の平均粒径の粗結晶層、（ｂ）中間ダイヤモンド皮膜は、６５０〜１０００ｎｍの一層平均膜厚を有し４０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の平均粒径の細粒結晶で構成された細結晶層と、５０〜３００ｎｍの一層平均膜厚を有する含非晶質炭素で構成された非晶質層との交互積層、（ｃ）上部ダイヤモンド皮膜は、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の平均粒径の粗結晶層からなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはＡｌ合金等の高速切削加工において、すぐれた耐欠損性、耐溶着性を示し、長期の使用に亘ってすぐれた切削性能を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、第１単位層と第２単位層との交互積層からなるダイヤモンド皮膜を被覆したダイヤモンド被覆工具において、第１単位層は、（１１１）面結晶配向性の高いダイヤモンド薄層Ａと含非晶質炭素層Ｃとの交互積層構造として構成され、また、第２単位層は、（１００）面結晶配向性の高いダイヤモンド薄層Ｂと含非晶質炭素層Ｃとのの交互積層構造として構成されているダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工において、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金からなる基体表面に、結晶性が相異なるＡ層とＢ層の２種のダイヤモンド膜が交互積層されたダイヤモンド被覆工具であって、ラマン分光分析による１３３３±５ｃｍ−１のピーク最大値Ｉ_１と、１４００〜１６００ｃｍ−１のピーク最大値Ｉ_２の比の値は、Ａ層では０．７＜Ｉ_２／Ｉ_１＜０．９、また、Ｂ層ではＩ_２／Ｉ_１＜０．６であり、さらに、基体側においては、Ａ層の合計層厚ＬａとＢ層の合計層厚Ｌｂは、０．６≦Ｌａ／（Ｌａ＋Ｌｂ）、また、ダイヤモンド被覆表面側におけるそれは０．６≦Ｌｂ／（Ｌａ＋Ｌｂ）を満足し、さらに、場合により、ダイヤモンド被覆表面側のＢ層は、（１１０）または（１１１）に配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、粗粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜３０μｍの下部ダイヤモンド皮膜と、細粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜１０μｍの上部ダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、下部ダイヤモンド皮膜上方側の粗粒結晶層の膜厚は、下部ダイヤモンド皮膜下方側の粗粒結晶層の膜厚より薄膜として形成され、また、上部ダイヤモンド皮膜表面側の細粒結晶層の膜厚は、上部ダイヤモンド皮膜下方側の細粒結晶層の膜厚より薄膜として形成されてなるダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、制御部は、成膜時の前後の所定の時間において、触媒線１３の温度を待機温度に制御する。待機温度は、成膜時における触媒線１３の温度より低く、かつ、室温より高い所定の温度である。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質と成膜速度を確保でき、触媒線のねじれや振動を抑えて触媒線を安定させ、膜厚の均一性を確保することができ、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒化学気相成長装置は、真空チャンバ３と、基板Ｓを保持するホルダ１と、触媒線６と、交流電源装置８とを具備する。各触媒線６の長さは２ｍ以上あり、各触媒線６は、反応室２内を垂直方向に垂下し、反応室２内の下部の領域で鉛直方向に折り返されるようにして真空チャンバ３に吊り下げられる。前記基板と前記触媒線間の間隔を６０〜２００ｍｍとする。これにより、良好な膜質と成膜速度を確保できる。また、電源は触媒線に交流電圧を印加することで触媒線のねじれや振動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置の運用方法、該装置を用いる触媒ＣＶＤ法による膜の形成方法、および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置を用いて膜を形成する際の触媒線の通電方法に着目し、触媒線への通電制御を、昇温開始時には定電流制御で行い、成膜時には定電力制御で行うことで触媒線の過加熱による劣化を防止して長寿命化を図る。更に、触媒線の過加熱による成膜時の基板の異常昇温も回避して膜質の異常を防止する。 （もっと読む）

【課題】基材の過熱を抑制できる触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法、太陽電池の製造方法及び基材の保持体を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、保持体３００は、触媒線１１から放出される輻射線の基材２００側への反射を防止するための反射防止構造を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直方向に折り返すようにチャンバの内部に吊り下げられた触媒線のねじれを抑制し、所望の精度で成膜を行うことが可能な触媒化学気相成長装置、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒線化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６がＺ軸を中心に時計回りの方向にねじれるとき、折り返し部６３は、円柱部３０ｂ，３０ｃから離れ、円柱部３０ａ，３０ｄに近づくように図中矢印で示す方向にＺ軸回りに回転する。回転した折り返し部６３の垂下部６１側の端部が円柱部３０ａに当接し、垂下部６２側の端部が円柱部３０ｄに当接して触媒線６のねじれがＹ軸方向で規制される。また、このとき、垂下部６２は平板部２０から離れ、垂下部６１は平板部２０に近づく如く位置ずれする。位置ずれした触媒線６の垂下部６１が平板部２０の端部２１ｃに当接して触媒線６の位置ずれがＸ軸方向で規制される。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ成膜する際に膜中の不純物除去のような膜の改質処理を過剰な設備負担なく有効に行うことができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜装置は、チャンバと、ウエハを支持するサセプタと、処理ガス供給機構と、ウエハ加熱するヒーターと、チャンバとは別個に設けられた、チャンバ内に水素ラジカルを供給する水素ラジカル供給機構４０とを具備する。水素ラジカル供給機構４０は、水素ラジカルを生成する容器５１と、容器５１内に水素ガスを供給する水素ガス供給機構４２と、容器５１内に設けられた触媒ワイヤ５３と、触媒ワイヤ５３を加熱する可変直流電源５６と、容器５１内で加熱された触媒ワイヤ５３に水素ガスが接触して生成した水素ラジカルをチャンバ１に導入する水素ラジカル導入配管４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】気化室に対して改質剤化合物を供給する際の温度変化の影響を排除し、ひいては、燃料ガス中に含まれる改質剤化合物の濃度変化が少ない表面改質装置等を提供する。
【解決手段】改質剤化合物を貯蔵するための貯蔵室と、所定温度下に蒸発させ、気体状態の改質剤化合物を生成するための気化部と、気化部に、キャリアガスを導入し、気体状態の改質剤化合物を、噴射部に移送するための移送部と、改質剤化合物を含む燃料ガスに由来した火炎を吹き付けるための噴射部と、を含む表面改質装置等であって、気化部が、少なくとも第１の気化室及び第２の気化室を含む複数の気化室を備えるとともに、当該第１の気化室及び第２の気化室を交互使用するための切替装置を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイヤモンド薄膜の生長装置に関する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）