【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを大量に活性化させ、かつ失活させずに供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する基板支持体３と、触媒板５と、触媒板５に接触させて活性化させる第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給部７０aと、触媒板５を誘導加熱する誘導加熱コイル６とを備え、基板支持体３は、触媒板５の一面側に配され、誘導加熱コイル６は、触媒板５の他面側に配され、触媒板５は、処理室１を、誘導加熱コイル６側の第１空間及び基板支持体３側の第２空間に隔てる。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に高いガスバリア性と耐水性とを兼ね備えたガスバリア薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】プラスチック成形体９１の表面に、密着層８１とガスバリア発現層８２とを順次有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法において、プラスチック成形体の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、原料ガスとして一般式（化１）で表される有機シラン系化合物を用いて、密着層として構成元素の１つがＳｉである層を形成する工程１を有する。（化１）Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＨ（一般式（化１）中、Ｒ^１はメチル基を表し、かつ、Ｒ^２，Ｒ^３は水素若しくはメチル基を表すか、又は、Ｒ^１はビニル基を表し、かつ、Ｒ^２，Ｒ^３は水素若しくはメトキシ基を表す。） （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が大きい原料と、その原料を用いたガスバリア性能が大きい炭素含有酸化ケイ素からなる組成膜を提供する。
【解決手段】アルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下式１、４を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成する。


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【課題】本発明の目的は、高いバリア性及び弱酸性〜中性域における耐内容物性を有するガスバリア薄膜を備えるプラスチック成形体を提供することである。また、本発明の第二の目的は、安全、かつ、高速に、かつ、高価な機材を必要としない製造装置で稼動しうる安価なガスバリア薄膜を備えたプラスチック成形体の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア薄膜９２を備えるプラスチック成形体９０は、プラスチック成形体９１の表面に、金属酸化物を含有するガスバリア薄膜を備えるプラスチック成形体において、金属酸化物の金属元素が、少なくともアルミニウム元素（Ａｌ）及びチタン元素（Ｔｉ）であり、ガスバリア薄膜９２をＸ線光電子分光分析によって測定したチタン元素及びアルミニウム元素の合計含有量に対するチタン元素の含有量の比（｛Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ）｝×１００）が、４１〜７８ａｔ％である。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金で構成された工具基体表面に、下部層として結晶性ダイヤモンド膜、上部層として微結晶ナノダイヤモンド膜を被覆し、刃先稜線部のみ、ウエットブラスト処理等により下部層を露出させたダイヤモンド被覆切削工具において、工具の刃先稜線部に形成されている下部層の圧縮残留応力分布を測定した場合、下部層の露出表面の残留応力値σｓは１．５〜３ＧＰａであって、しかも、刃先稜線部に形成されている下部層の膜厚の１／２の位置における残留応力値をσ_１／２とした場合、σｓ／σ_１／２の値は、０．８〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】触媒成長によって成長したワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く方法を提供する。
【解決手段】触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。前記ソリッド構造体（３，４）はワイヤであり、且つ有利にナノワイヤである。前記触媒（２）は、銅、金、白金及びアルミニウムを含む群から有利に選ばれた金属触媒である。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはグラファイト等の難削材の切削加工において、ダイヤモンド皮膜の耐剥離性にすぐれたダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面にダイヤモンド皮膜を被覆形成したダイヤモンド被覆切削工具において、工具基体表面直上からダイヤモンド皮膜の膜厚方向４００ｎｍ以下の範囲にわたってダイヤモンド相とグラファイト相の共存領域を形成し、該共存領域には、１０〜１００μｍの格子幅でダイヤモンド相を格子状に形成し、かつ、該格子状のダイヤモンド相の格子間間隙を埋めるように幅１０〜２００μｍのグラファイト相を分散分布させることにより、刃先近傍に大きな負荷が作用する難削材の切削加工におけるダイヤモンド皮膜の剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】熱伸びせず、耐久性に優れた通電加熱線、通電加熱線の製造方法及びこの通電加熱線を用いた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。すなわち、強度が高く変形が少ない窒化タンタル線の表面を、第２の層が被覆することによって、高温環境下での窒化タンタル線からの脱窒素を抑制でき、耐久性が非常に高い通電加熱線として利用できる。また、このようなＴａＢＮ線２０を用いた真空処理装置は、コストの低減・生産性の向上を図れると同時に、基板成膜時の膜質安定化も期待できる。 （もっと読む）

【課題】反応管内の清掃を不要にし得るカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応管２１内に水平方向で配置された基板Ｋの表面に原料ガスＧを供給して熱化学気相成長法によりカーボンナノチューブを形成するための熱ＣＶＤ装置１であって、上記反応管２１内で所定の隙間を有して上下に複数の基板Ｋを保持し得る基板ホルダー体１１と、この基板ホルダー体１１を載置する台座板１９とを具備するとともに、基板Ｋを保持した基板ホルダー体１１により、反応管２１内を、それぞれ原料ガスＧが供給される下の基板Ｋ表面と台座板１９との間および基板Ｋ同士間の反応空間部７と、上の基板Ｋ表面および台座板１９表面と当該反応管２１内壁面との間の原料ガスＧが供給されない非反応空間部８とに区画し得るようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ電気抵抗の小さい通電加熱線、この通電加熱線を用いる成膜装置及びこの通電加熱線の製造方法を提供すること
【解決手段】 本発明の通電加熱線６は、芯部６ａと、周縁部６ｂとを具備する。芯部６ａは線状であり、タンタルからなる。周縁部６ｂは、炭化タンタルからなり、芯部６ａを被覆する。
通電加熱線６は金属タンタルからなる芯部６ａを、高温でのクリープ強度が大きく、機械的強度も高い炭化タンタルからなる周縁部６ｂにより被覆しているため、通電加熱線６の熱的及び機械的耐久性を高いものとすることができる。また、通電加熱線６は、断面構造の大部分が金属タンタルからなる芯部６ａであるため、導電性が高く、金属タンタルのみからなる通電加熱線と同程度の印加電圧により加熱することが可能である。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して比較的小さいヘッド３０を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド３０には、基板Ｗに還元ガスを供給する還元室４０と炭素源ガスを供給する炭素源室５０とを設けている。また、基板Ｗに対するヘッド３０の相対移動方向に沿って還元室４０を炭素源室５０よりも前段側に設ける。基板Ｗの表面に配置された触媒が還元室４０または炭素源室５０に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Ｗであっても還元室４０および炭素源室５０の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】別途加熱手段を設けることなく、真空室に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させる熱ＣＶＤ装置であって、基板Ｋの上方で且つ加熱室１３内に配置されて基板Ｋを加熱する加熱装置２１と、この加熱装置２１の上方に配置されて加熱装置２１により加熱される渦巻状の被加熱部３３を有するとともに基板Ｋの下方から原料ガスＧを供給するガス供給管３１とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超音波ホーンの損耗を防ぐことにより高寿命化する。
【解決手段】 多結晶材料からなる超音波ホーン基材１の表面をダイヤモンドライクカーボンからなる皮膜２で覆うことにより非晶化し、ホーン表面における不規則な超音波の集中を防止する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いて作製したダイアモンドライクカーボンによる微小構造体で、ピエゾ抵抗特性が得られるようにする。
【解決手段】基板の上に原料ガスを供給した状態で集束イオンビームを照射し、集束イオンビームの照射箇所にダイアモンドライクカーボンからなる微小構造体を形成する（ステップＳ１０１）。次に、形成した微小構造体を加熱して微小構造体より集束イオンビームのイオンを除去して微小構造体にピエゾ抵抗特性を発現させる（ステップＳ１０２）。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金やグラファイト、ＣＦＲＰ材等の難削材の切削加工において、密着性にすぐれ、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、上記工具基体とダイヤモンド皮膜の界面部のダイヤモンド皮膜側には、平均粒径５〜２００ｎｍのＣｏ粒子が析出し、Ｃｏ粒子の含有割合は０．１〜２０原子％である。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）