【課題】 気相合成法により超硬合金基台上に１０〜１０００μｍの厚みでダイヤモンドを形成した気相合成ダイヤモンドチップおよびこのチップを設けたダイヤモンド工具で、耐摩耗性が高く、ダイヤモンドが基台や工具本体から剥離しにくく耐久性が高いダイヤモンドチップおよびダイヤモンド工具を提案する。
【解決手段】 超硬合金基台の少なくともダイヤモンドとの境界部は、ＷＣ粒子が溶融結合したＷＣ集合体からなるものとする。超硬合金基台とダイヤモンドの境界部の少なくとも一部分は、ＷＣ集合体とダイヤモンドとが絡み合った形状とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 光学素子の反射防止層上に、光学素子の視認性を損なうことなく、耐久性の優れた防汚層を備えた反射防止層の成膜方法及び同成膜を行うための装置を提供する。
【解決手段】 基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のポリテトラフルオロエチレン膜を防汚層としてＣＶＤ法により積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属などの混入もなく高純度且つ高濃度のオゾンを簡便に効率よく製造することができ、基材との密着性などにも優れたオゾン生成用電極を提供する。
【解決手段】本発明のオゾン生成用電極は、基材と、基材の少なくとも一部を被覆する導電性薄膜とから構成され、導電性薄膜は、結晶質成分と非晶質成分が混在したダイヤモンドライクカーボンからなるものである。導電性薄膜は、ラマン分光分析において、１３２０〜１３５０ｃｍ^−１の範囲内、および１５４０〜１５９０ｃｍ^−１の範囲内に明確なピークを有しており、詳細には、１３４０ｃｍ^−１±２０ｃｍ^−１に存在するピークの積分強度Int＜１３４０＞と１５８０ｃｍ^−１±２０ｃｍ^−１に存在するピークの積分強度Int＜１５８０＞との比が下記（１）式を満足している。
Int＜１３４０＞／Int＜１５８０＞＝０．５〜１．５ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】スラリー液分の侵入によるダイヤモンド膜等の硬質被膜の脱落を防止して、その使用寿命の延長を図ることができるとともに、パッド等の被加工材により加工・調整される半導体ウェハ等にスクラッチを生じさせることのない軟質材加工用回転工具を提供する。
【解決手段】軟質材よりなる被加工材が移動され、この被加工材に対して加工を施す軟質材加工用回転工具であって、前記被加工材に対して対向させられる基板１１の表面１１Ａに切刃凸部１４が突出するように形成されており、この切刃凸部１４の突端面１５に、気相合成ダイヤモンド膜１７が形成されており、この気相合成ダイヤモンド膜１７表面が水素終端処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトブロックを用いた炭素元素からなる線状構造体を材料とする配線を、できるだけ工程数を削減して、低コストで容易且つ確実に形成する。
【解決手段】コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。そして、電気的に接合されたＣＮＴ束３の間隙を金属材料４で埋め込み、ＣＮＴ束３と金属材料４との複合状態とされてなる配線５を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内の酸素若しくは水分を軽減することができる、補助排気装置を提供する。
【解決手段】シリコンを含む原料ガスと、水素又はアンモニアとを原料として、シリコン膜若しくはシリコンを含む膜を成膜する成膜装置に設置される補助排気装置であって、補助排気装置は、高融点金属からなる触媒体と、前記触媒体の近傍に設置された３００℃から６００℃に加熱された板材とからなり、この板材は前記触媒体ヘガス分子が到達するための隙間を開けて配置された構成とされており、成膜装置の排気室若しくは排気ポンプの近傍に設置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供する。
【解決手段】原料ガス吸着室１と反応性ガス照射室２とを基板交換室３を挟んで設置し、原料ガス吸着室１と反応性ガス照射室２とに基板４を交互に入れながら、基板４に原料ガスを吸着させる工程と、基板４が吸着した原料に反応性ガスを反応させる工程とを繰り返してＡＬＤ法により真空成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】触媒気相成長法と物理気相成長法により連続してガスバリア層を積層形成することにより、基材フィルム表面にプライマー処理を施すことなくガスバリア性に優れたガスバリア積層フィルム、及び該フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも一方の面に、厚さ０．１〜５００ｎｍの無機及び／又は有機の薄膜層（Ａ層）、及び厚さ０．１〜５００ｎｍの無機薄膜層（Ｂ層）を順次形成してなるガスバリア積層フィルムであって、上記Ａ層が加熱触媒体を用いて材料ガスを接触熱分解する触媒化学気相成長法により形成され、かつＢ層が物理気相成長法により形成されたガスバリア積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】
透明性、ガスバリア性の優れたガスバリア性のある薄膜を触媒ＣＶＤなどの方法において、効率よく製造する方法、及びその方法によって得られる薄膜を提
供することを目的とする。
【解決手段】
複数の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、その反応物からなる薄膜を減圧系に配置されたフィルム上に形成する薄膜製造方法において、第１の原料ガス導入口から窒素含有ガス、及び水素が系内に保持された加熱金属の近傍に供給されること、及び当該減圧系に第２の原料ガス導入口からシラン系ガスが導入されること等を特徴とする薄膜製造方法、及びその製造方法から得られる薄膜。 （もっと読む）

【課題】弾性ヒステリシス損失を利用することにより、耐摩耗性を高めつつ高摩擦係数化を図ることができる高摩擦摺動膜を提供する。
【解決手段】高摩擦摺動膜１０は、基材２０の表面に形成され、基材２０に対して垂直な方向と基材２０に対して平行な方向との弾性率が異なり、荷重−変位特性においてヒステリシスを示す。 （もっと読む）

【課題】
透明性、ガスバリア性の優れたガスバリア性のある薄膜を触媒ＣＶＤなどによる製造方法において、薄膜を構成するＳｉＮ、及びＳｉＯＮの組成比率等を効率よく制御する方法、及びその方法によって得られる薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
複数の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、その反応物からなる薄膜を減圧系に配置された基材上に形成する薄膜製造方法において、第１の原料ガス導入口から窒素含有ガス、及び水素が系内に保持され、かつ加熱された金属体の近傍に供給されること、及び当該減圧系に第２の原料ガス導入口からシラン系ガスが導入されること、前記基材上の第１の原料ガス導入口から最近傍部、及び前記最近傍部を挟んだ両側部の何れか一以上に第３の原料ガス導入口からの酸素ガスが供給されること等を特徴とする薄膜製造方法、及びその製造方法から得られる薄膜。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を有し、かつ高い導電率を有する粒状ダイヤモンド、およびそれを用いたダイヤモンド電極を提供する。
【解決手段】長手方向における長さが３０ｍｍ以下であり、かつ、長手方向に対し垂直な方向における最大長さが１５ｍｍ以下であるＮｂ、ＴｉまたはＷで形成された柱状の基体と、基体表面の３０％以上を被覆する導電性ダイヤモンドとを備える粒状ダイヤモンド、または、直径１５ｍｍ以下のＮｂ、ＴｉまたはＷで形成された球状の基体と、基体表面の５０％以上を被覆する導電性ダイヤモンドとを備える粒状ダイヤモンド、ならびにこれらの粒状ダイヤモンドを用いたダイヤモンド電極。 （もっと読む）

【課題】
透明性、ガスバリア性の優れたガスバリア性のある薄膜を触媒ＣＶＤなどの方法において、効率よく製造する方法、及びその方法によって得られる薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
触媒ＣＶＤにより基材の表面に窒化珪素（ＳｉＮ）膜等の無機薄膜を形成する方法であって、触媒ＣＶＤを行う減圧系に供給される原料ガス中のシラン系ガスの流量に対する水素ガスの流量の比率を３〜１５とすることを特徴とする窒化珪素又は酸窒化珪素の薄膜の製造方法。原料ガスを触媒ＣＶＤの減圧系に供給し、かつ加熱された金属体の近傍の減圧下において反応させ、その反応物からなる薄膜をその減圧系に配置された基材上に形成する。 （もっと読む）

【課題】透明性、ガスバリア性の優れたガスバリア性のある薄膜を触媒ＣＶＤなどの方法において、効率よく製造する方法、及びその方法によって得られる安定した膜厚を有する薄膜を提供する。
【解決手段】複数の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、その反応物からなる薄膜を減圧系に配置された基材上に形成する薄膜製造方法において、第１の原料ガス導入口４から窒素含有ガス、及び水素が、原料ガス混合手段によって混合された後、系内に保持され、かつ加熱された金属体３の近傍に供給されること、及び当該減圧系に第２の原料ガス導入口５からシラン系ガスが導入される等の薄膜製造方法、及びその製造方法から得られる薄膜を提案する。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応してコンパクトで簡素な装置構成で、確実に化学気相成長法による成膜を行うことが可能な化学気相成長装置及びこれを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】略直立した状態の基板８に対して成膜を行う縦型化学気相成長装置を、第１成膜室３内に、全面に亘って所定間隔でエアフロー孔２０ａ、２０ｂ、２０ｃを配設した縦型搬送ベースプレート１１を、搬送ベースプレート下端部の基板搬送方向の軸線２１回りに回動可能に設け、搬送ベースプレート下端部の基板搬送方向に沿って基板８の下端縁を支持して基板搬送を行う複数の搬送ローラ２３を取り付けて構成する。そして、縦型搬送ベースプレート１１の基板支持面１１ｓが上面となるように搬送ベースプレート１１を軸線２１回りに傾倒させると共に、エアフロー孔２０ａ、２０ｂ、２０ｃにより搬送ベースプレート１１の基板支持面１１ｓ方向にエアフローを行った状態で基板支持面１１ｓ上に基板８を搬入する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

【課題】水蒸気や酸素の透過を防止して種々の物品を保護し得るガスバリヤフィルムを簡便かつ効率的に低コストで提供する。
【解決手段】 ガスバリヤフィルムは、プラスティックフィルム（１）の一方の主面上に順に積層された第１、第２、および第３の有機・無機ハイブリッド層（２、３、４）を含み、これらのいずれの有機・無機ハイブリッド層も意図的に導入された炭素シリコン窒素および水素を含み、第１と第３の有機・無機ハイブリッド層（２、４）は第２の有機・無機ハイブリッド層（３）に比べて大きな炭素組成比を有し、第２の有機・無機ハイブリッド層（３）においては第１と第３の有機・無機ハイブリッド（２、４）に比べてシリコンと窒素の合計組成比が大きく設定されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】フィールドエミッションランプに用いる陰極の量産性を向上すること。
【解決手段】本成膜方法は、大気に開放してある反応炉１２内に基板２０を配置し、基板２０に直流電源２６から直流負バイアスを印加し、反応炉１２内に炭化水素系ガスと酸素系ガスとを導入し、反応炉１２内に設置した触媒金属材を含む放電電極対１８によりスパーク放電を発生させることにより、基板２０の表面に電界電子放出用の炭素膜３６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】透明性、ガスバリア性、耐久性及び信頼性に優れたガスバリア積層体を提供すること。
【解決手段】 ガスバリア積層体は、ポリビニルアルコール系樹脂よりなる基板の少なくとも片面に、または光硬化性樹脂よりなる基板の少なくとも片面に、酸化シリコンを主成分とする膜Ａと、窒化シリコンを主成分とする膜Ｂとがこの順で形成された構造を有する。 （もっと読む）