【課題】炭素膜と基材との界面における残留応力を抑制し、炭素膜のクラックや剥離を防止し、性能が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】基材１を被覆する炭素膜２であって、ＤＬＣからなる第１炭素膜１１と、平均粒径が２００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子からなる第２炭素膜１２と、平均粒径が２００ｎｍを超えるダイヤモンド粒子からなる第３炭素膜１３と、を備え、前記第１、第２、第３炭素膜１１、１２、１３が、前記基材１側からこの順に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、品質が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】基材１を被覆する炭素膜２であって、平均粒径が２００ｎｍを超えるダイヤモンド粒子からなる第１炭素膜１１と、平均粒径が２００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子又はＤＬＣからなる第２炭素膜１２と、を備え、前記第１、第２炭素膜１１、１２が、前記基材１側からこの順に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、互いに重ねて積層された複数のダイヤモンド層（８）を含むＣＶＤ自立ダイヤモンド膜であって、各ダイヤモンド層（８）の下面は、第１の平均結晶粒径が２〜５０ｎｍであるダイヤモンドから形成され、ダイヤモンド層（８）内の平均結晶粒径はダイヤモンド層（８）の下面から上面へと増大し、上面の領域の第２の平均結晶粒径が５０〜５００ｎｍであるＣＶＤ自立ダイヤモンド膜に関する。
（もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

一態様における方法は、第１熱伝導率を有する第１ダイアモンド層と、第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム（ＧａＮ）層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第２ダイアモンド層を第１ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いるステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
（もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
（もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。 （もっと読む）

容器の内部表面上に防護材料および／または潤滑剤材料を付着させるシステム、装置および方法が提供され、そのようなシステムは、チャンバを有する容器と、チャンバ内に延びる一部分を有するガス入口ダクトを介して、モノマーガスを供給するためのガス供給源と、少なくとも１つの反応性部分を含む反応性ガスを形成させるように、モノマーガスの少なくとも一部分を光分解させるおよび／または熱分解させる光分解源および／または熱分解面と、任意選択で容器の内部表面上に反応性部分の堆積および重合を促進させるために、容器の内部表面を熱分解面の温度より低い温度に維持するための温度制御器と、容器の開端部または第２の端部のところの、チャンバから余剰の反応性ガスを除去するための出口ダクトとを含む。
（もっと読む）

【課題】成膜すべき薄膜と同じ材料のコーティング膜を母材の表面に形成した触媒体により還元ガスを活性化することにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｓの表面に薄膜を形成する成膜方法において、真空排気が可能になされた処理容器内へタングステン含有ガスと還元ガスとを供給すると共に、還元ガスを、触媒作用を有する母材９４Ａの表面に薄膜と同じ材料よりなるコーティング膜９４Ｂが形成されて通電により加熱された触媒体９４により活性化させて成膜する成膜工程を行うようにする。これにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒体触媒化学気相成長装置の触媒体の長さを長くしてもその形状を高温で維持すると共に、冷熱サイクルに耐えられる触媒体支持構造を提供する。
【解決手段】触媒体支持枠１は、所定形状の触媒体４を張架する枠体２０と、枠体２０を挟んで向かい合って配されて触媒体４を把持すると共に触媒体４に通電する電気回路を構成する導電金具５０と、向かい合う導電金具のうち少なくとも一方の導電金具５１Ａを他方の導電金具５１Ｂから離す方向に押すスプリング６を備える。 （もっと読む）

【課題】クラスターイオンビームにより、自形面を持ち、１０μｍ四方の最大高さで１μｍを超えるダイヤモンド被覆膜表面を平滑化し、切削抵抗が少なく、切り屑排出性に優れ、切れ味の良いダイヤモンド被覆切削工具及び製造方法を提供。
【解決手段】超硬合金製の基体に、原子間力顕微鏡観察像において、１０μｍ四方における最大高さが１μｍ以上のＣＶＤ法により形成された多結晶質ダイヤモンド被覆膜を形成した後、ダイヤモンド被覆膜４の垂直面７に対し、入射角θを６０°超８０°未満でガスクラスターイオンビーム１を照射して、少なくとも長手方向長さが５μｍ以上の複数の平行溝（研磨痕）２を形成し、かつ、１０μｍ四方における最大高さで０．５μｍ以下又は中心線平均粗さで０．１μｍ以下に研磨する。また、超硬合金製の切削工具基体の切れ刃１２の逃げ面１３又はすくい面１１を平滑化する。さらに切れ刃１２′の丸み半径を１０μｍ以下とする。 （もっと読む）

少なくとも、１０μｍに等しいかそれより大きな厚さを有するドープダイアモンドベースの薄膜（１０６）と、少なくとも一つの半導体か前記半導体ベースの層を含む積層に基づく層（１０２）と、前記ドープダイアモンドベースの薄膜上、すなわち、前記ドープダイアモンドベースの薄膜と前記半導体ベースの層との間に位置する真性ダイアモンドベースの薄膜（１０４）と、を備えている基板（１００）。
（もっと読む）

【課題】膜厚及び特性の均一性を満足する堆積膜を形成可能な触媒ＣＶＤ装置及び堆積膜形成方法を、より簡便な装置構成で達成すること。
【解決手段】触媒体ＣＶＤ装置において、触媒体４を円筒状基体７の母線に対してａ（ｍｍ）の間隔を保って設置し、円筒状基体の母線方向の長さをｂ（ｍｍ）としたときに、触媒体の長さＬ（ｍｍ）を次式（１）を満たす長さに設定する。
（もっと読む）

【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。 （もっと読む）

【課題】発熱体を用いた触媒化学蒸着において、作成される薄膜中への不純物の混入を防止する。
【解決手段】タングステン等の高融点金属のワイヤーから成る発熱体は、還元性ガス雰囲気下で通電され、ジュール熱を発生させながら還元性ガス工程が行われる。その後、処理容器１内にガス供給系により原料ガスが供給され、１５００〜１９００℃程度の高温に維持された発熱体３の表面で原料ガスが分解及び又は活性化して基板の表面に薄膜が作成される。発熱体の成形時等に混入した重金属が高温処理により予め放出され、薄膜中への混入は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃを下回る。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法において、緻密で、膜質の良好な半導体層を有する電子写真感光体の形成が可能な堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された触媒体と、を備えた触媒ＣＶＤ装置を用いて、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する堆積膜形成方法であって、前記原料ガスのうち、シリコン原子を含んだガス状の分子が前記真空容器内に導入されてから排出されるまでの間に、前記触媒体に衝突する回数が１回以上、４回以下となる条件下で堆積膜形成を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に保持する構成や基板を水平に配置する構成においても活性化あるいは分解によって生成された堆積種を基板面内に均一に堆積させることができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー５ａ，５ｂの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂを設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔７を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔から前記触媒体３に向かって噴出することにより堆積種とし、前記基板ホルダー上に設けられた前記基板６に堆積させるように構成し、前記反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂの容積を可変とした。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供する。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。また、ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にする。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれたダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体表面にダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、ダイヤモンド皮膜は、Σ３対応粒界比率の高いダイヤモンド皮膜と無配向ダイヤモンド皮膜、との少なくとも３層以上の積層構造からなり、前記Σ３対応粒界比率の高いダイヤモンド皮膜は、構成原子共有格子点分布グラフにおいて、ΣＮ＋１全体に対してΣ３が４０％以上の分布割合を占める。 （もっと読む）