【課題】ワークをエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御可能とし、エネルギ線によりワークに高精度な処理を行えるようにした自律型のエネルギ線照射による処理装置および方法を提供する。
【解決手段】位置決めカメラによって保持装置に保持されたワークの保持装置に対する位置ずれ量を検出し、制御装置は処理データを位置ずれ量だけ補正してステージ装置を作動させ、保持装置をエネルギ線照射装置に対して移動させるので、保持装置に保持されたワークがエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御され、ワークの正確な位置および範囲にエネルギ線を照射して高精度な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】延性−脆性遷移温度が高い材料をフィラメントの材料として用いる場合であっても、フィラメントの交換を容易に行うことを可能とするｃａｔ−ＣＶＤ装置及びフィラメント交換方法を提供する。
【解決手段】成長基板２００を収容する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内に配置されたフィラメント１とを備えたｃａｔ−ＣＶＤ装置１００が、フィラメント１を真空チャンバ３０内に送り出す送り出しローラー２０と、フィラメント１を真空チャンバ３０内から巻き取る巻き取りピンチローラー４０と、フィラメント１の延性−脆性遷移温度よりも高い温度となるまで、フィラメント１を巻き取りピンチローラー４０側で加熱するヒータ４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガスバリア薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、低価格な原料を使用し、安全かつ高速でガスバリア性を有する薄膜を成膜することが可能であって、高価な機材を必要としない製造装置で稼動しうる安価な製法を提供することである。
【解決手段】本発明の製造方法は、プラスチック容器１１を収容した真空チャンバ６の内部を大気圧以下の所定圧力とする工程と、真空チャンバの内部に配置されているワイヤー１８に通電して所定温度以上に発熱させてホットワイヤーとする工程と、真空チャンバの内部に供給された、ケイ素若しくは金属元素を構成元素として含む非自然発火性原料及びオゾンガスを、ホットワイヤーで加熱し、その後、プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方に接触させて、非自然発火性原料由来の酸化物薄膜を形成させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、安全かつ高速で、プラズマによる損傷が無いガスバリア薄膜を立体形状のプラスチック容器に低温で成膜することを可能とし、しかもプラズマＣＶＤ成膜装置と比較して高価な機材を必要としない製造装置で稼動しうる安価な被膜プラスチック容器の製法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るバリア膜被覆プラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器を収容した真空チャンバの内部に炭素源原料ガスを供給し、炭素源原料ガスを熱触媒体に吹き付けて炭素源原料ガスを分解して化学種を生成させ、かつ、ホットワイヤーから金属種を揮発させ、容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方に化学種及び金属種を到達させることによって金属種含有ＤＬＣ薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の部材であっても、部材加熱手段を設けて加熱することなしに、その表面に付着した膜を効率よく完全に除去可能な付着膜の除去ができるシリコン含有膜の製造装置を提供する。
【解決手段】処理室１の内部に、原料ガスとクリーニングガスとを切り換えて導入するためのガス導入切換手段と、発熱下において、前記原料ガス及びクリーニングガスを分解及び／又は活性化するための発熱体３とを有するリコン含有膜の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体の長寿命化を図った発熱体ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】発熱体３と電力供給機構との接続部と、前記支持体３１による発熱体３の支持部とのいずれか一方又は両者を覆い、内部と発熱体３の延出部の周囲とに隙間が設けられたカバー３０１，３０２と、該カバー３０１，３０２内部の隙間にガスを導入するガス導入系とを備えている発熱体ＣＶＤ装置とし、前記カバー３０１，３０２内部の隙間に導入したガスを前記発熱体の延出部の周囲の隙間から前記処理容器内に流動させ、前記処理容器内に供給された原料ガスの前記カバー内部の隙間への侵入を抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】局所排気装置の浮上面面積の低減が可能な加工装置と、この加工装置を備えた配線基板の製造装置と、を提供する。
【解決手段】加工装置の構成を、局所排気装置４が、支持台２に対する浮上用ガスの噴射によって支持台２から相対的に浮上可能とされ、浮上用ガスの噴射が、局所排気装置４内に設けられた絞り通気手段１３を介してなされる構成とする。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にＳｉソースを供給し、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体３の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。熱触媒体３はコイル状であり、コイルの軸方向が基板９の表面に対して平行である。熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 （もっと読む）

【課題】耐剥離性に優れたダイヤモンド被覆膜を切削インサート基材に被覆した耐久性の高いダイヤモンド被覆切削インサート１、およびこのダイヤモンド被覆切削インサート１を備えた切削工具２の提供。
【解決手段】超硬合金の基材表面に形成されたダイヤモンド被覆膜中のダイヤモンド粒子のうち粒径２００ｎｍ以下の粒子の数の割合が５０％以上であり、隣接するダイヤモンド粒子における結晶方位が相違してなり、好ましくはダイヤモンド被覆膜中のダイヤモンド粒子間に非ダイヤモンド炭素成分が形成されており、ダイヤモンド被覆膜の膜厚が３〜３０μｍであり、表面にβ層を析出させてなる超硬合金にダイヤモンド被覆膜を被覆したことを特徴とするダイヤモンド被覆切削インサート１、およびこのダイヤモンド被覆切削インサート１を備えた切削工具２。 （もっと読む）

【課題】耐剥離性に優れたダイヤモンド薄膜を切削インサート母材に被覆した、耐久性の高いダイヤモンド被覆切削インサート１、およびこのダイヤモンド被覆切削インサート１を備えた切削工具２の提供。
【解決手段】被覆膜を形成したダイヤモンド被覆切削インサート１であり、この被覆膜のラマンスペクトル分析において１１４０±３０ｃｍ^−１、１３３０±１０ｃｍ^−１、１４８０±５０ｃｍ^−１および１５８０±２０ｃｍ^−１にピークが存在し、１４８０±５０ｃｍ^−１におけるピークの強度が１５８０±２０ｃｍ^−１におけるピークの強度より大であるラマンスペクトルを持つダイヤモンド被覆切削インサート１、およびこのダイヤモンド被覆切削インサート１を備えた切削工具２。 （もっと読む）

【課題】カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いシリコン窒化膜を成膜する。
【解決手段】真空槽２内に配置された触媒体１１を加熱し、真空槽２内にＳｉ_nＨ_2n+2(ｎは１又は２)ガスと、ＮＨ₃ガスと、Ｈ₂ガスとを導入し、Ｓｉ_nＨ_2n+2ガスとＮＨ₃ガスとＨ₂ガスとを、加熱した触媒体１１に接触させて分解させてシリコン窒化膜を形成する。成膜時にＨ₂ガスが添加されているので、段差に対する被覆性（カバレッジ）が高く、特に、１０Ｐａ未満の低圧で形成すると、絶縁耐圧も高いシリコン窒化膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイス及びその製造方法に関し、カーボンナノチューブの特性を生かすとともに、よりに良好な電気伝導特性をもつ配線構造を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束３の間隙を重合フラーレン６で埋め込んだカーボンベース配線を設ける。 （もっと読む）

【課題】 宇宙や真空装置内で用いられるような真空中および大気中あるいはそれらの両方で低摩擦で耐久性の高い摺動部材を提供。
【解決手段】 第一の摺動部材のダイヤモンドまたはダイヤモンド膜の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．５μｍ以下に研磨し、その摺動の相手材である第二の摺動部材の最表面をＮｉを４重量％以上、９６重量％以下を含有する合金又はめっき、あるいはＮｉを５重量％以上、６５重量％以下、かつＣｒを１５重量％以上、５５重量％以下を含む合金又はめっきし、第一及び第二の摺動部材とで真空用摺動部材とする。 （もっと読む）

【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ^２以上１００ｍｍ^２以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は３〜１００μｍが好ましく、基板表面の粗さはＲａ０．１μｍ以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】CVD設備の提供。
【解決手段】主にチャンバー、気体管路加熱器、基材キャリア、キャリア加熱器、複数のホットフィラメント、電場装置、磁場装置を含む。該気体管路加熱器は気体を予熱し、該キャリア加熱器、該複数のホットフィラメントは該基材を加熱し、多種の異なる加熱方式により、気体と基材の加熱速度を加速し、積層時間を短縮し、積層効率を高める。さらに電場と磁場装置を組み合わせることで、該チャンバー内の気体イオン化濃度を高め、基材の積層膜厚度の均一性を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】水平積層カバー覆面と動力源によるホットフィラメント制御を備えたＣＶＤ設備の提供。
【解決手段】主にチャンバーを含み、該チャンバー内には少なくとも１個の回転電極、複数のホットフィラメント、回転動力源を設置する。該複数のホットフィラメントの少なくとも一端は回転電極上に設置する。本発明は回転動力源が回転動力を出力し回転電極を駆動し回転させることで、温度変化により伸長したホットフィラメントを引き支え、該ホットフィラメントが伸長し、該基材に接触し、該基材を破裂させる事態の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】直立積層カバー覆面と動力源によるホットフィラメント制御を備えたCVD設備の提供。
【解決手段】主にチャンバーを含み、該チャンバー内には少なくとも１個の回転電極、複数のホットフィラメント、回転動力を設置する。積層カバーする対象の基材は該チャンバー内に垂直に設置し、しかも該ホットフィラメントを通して該基材に対して少なくとも片側積層カバー面の積層カバーを行う。該複数のホットフィラメントの少なくとも一端は回転電極上に設置する。ホットフィラメントが温度変化により伸長すると、該回転電極の回転により引き支えられ、該各ホットフィラメントの特定張力の不変は保持され、ホットフィラメントが緩み、該チャンバー内の気流を受け、左右に揺れることで積層カバー効果に影響を及ぼし、さらには該基材に接触し、該基材を破裂させる事態の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低温でカーボンナノチューブを形成できる技術を提供する。
【解決手段】第一の真空チャンバ１０と第二の真空チャンバ２０を、ダクト１１、２１によって接続し、第一、第二の真空チャンバ１０、２０とダクト１１、２１を真空排気しておき、第一の真空チャンバ１０内で基板表面に形成した触媒薄膜をダクト１１、２１を通過させて第二の真空チャンバ２０内に搬入し、触媒薄膜表面にカーボンナノチューブを成長させる。触媒薄膜は大気に曝されないので失活せず、低温でもカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの成膜過程及び電極としての使用過程においてダイヤモンド膜の剥離及び亀裂が生じることが防止され、耐久性が優れたダイヤモンド電極を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１の表面に凹部３が形成されており、凹部３の底面に背面電極４が形成されている。この背面電極４の上に、導電性ダイヤモンド膜７が形成されている。背面電極４にはリード線８が接続されている。また、背面電極４には微細な孔９が形成されており、この孔９に導電性ダイヤモンド膜７が侵入している。 （もっと読む）