【課題】液体原料が気化器へ供給される際の応答性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室１６と、第１の液体原料の流量を制御するＬＭＦＣ７８ｈと、ＬＭＦＣ７８ｈにより流量制御された液体原料を気化する気化器７６ｈと、気化器７６ｈで液体原料を気化した原料ガスを処理室１６内に供給する原料ガス供給管９０と、ＬＭＦＣ７８ｈにおける液体原料の流量設定値をウエハ１４処理時の第１の流量設定値（ｆ１）に設定する際に、それよりも先行して一旦第１の流量設定値（ｆ１）よりも小さい第２の流量設定値（ｆ２）に設定するようにＬＭＦＣ７８ｈを制御するコントローラ１５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ１７内で基板２１上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置１に設けられ、薄膜の原料となる１種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する１つまたは複数のガス導入管１３と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体１０と、触媒体に導線１１ａ，１１ｂを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】基材とダイヤモンド膜との界面で剥離が生じにくいダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド被覆工具は、基材と、基材の表面を被覆したダイヤモンド膜とを含むダイヤモンド被覆工具であって、基材の表面は、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが１μｍ以上１００μｍ以下であり、ダイヤモンド膜は、基材と接する部分から結晶成長方向に伸びる空隙を複数有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 （もっと読む）

カーボンナノチューブの成長を促進するのに十分な第１の温度まで加熱する成長チャンバーを準備するステップと、基材を成長チャンバーに通すステップと、少なくとも一部の原料ガスを少なくとも遊離炭素ラジカルに解離するのに十分な第２の温度まで予熱した成長チャンバーに導入し、これによって基材上でカーボンナノチューブの形成を開始するステップと、を含んで構成されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）合成方法。 （もっと読む）

本発明は、真空排気が可能でありかつ基板（３０）を受け入れるように構成される少なくとも１つの受け入れ容器と、その受け入れ容器の中に少なくとも１種の気体状前駆物質を導入するのに用いられる少なくとも１つのガス供給装置と、所定の長さ方向の範囲を有すると共に少なくとも１つの関連する機械的固定装置によって固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素とを含むコーティング装置に関する。活性化要素には、少なくとも２つの接点要素を介して電流を供給することが可能であり、その接点要素は、受け入れ容器に対して事実上不動であるように固定される。活性化要素は、受け入れ容器に対して可動に配置される。本発明は、さらに、対応するコーティング方法にも関する。
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本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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本発明は、真空化が可能で基板を受けるように提供された少なくとも１つの受容器と、受容器の中に少なくとも１つの気体前駆体を導入できる少なくとも１つの気体供給装置と、少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含み、その活性化要素の端部が保持要素上の固定点に固定されている少なくとも１つの活性化装置と、を備える成膜設備に関する。活性化要素は、少なくとも１つの第一の加熱装置と少なくとも１つの第二の加熱装置によって加熱可能であり、第一の加熱装置は、活性化要素の長さ方向の範囲全体にわたって均一にエネルギーが入力されるようにすることができ、第二の加熱装置は活性化要素の長さ方向の範囲全体にわたって変化可能にエネルギーが入力されるようにして、活性化要素の温度が、第二の加熱要素の効果によって、少なくとも１つの長さ方向の区分において１３００℃を超えるようにすることができる。本発明はまた、これに対応する成膜方法にも関する。
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本発明は、真空化が可能で、基板を収容するようになされた少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つの気体前駆体を受容器の中に導入するために使用される少なくとも１つの気体供給装置と、画定可能な長さ方向の範囲を有し、受容器に関して事実上移動不能となるように少なくとも１つの関連する機械的固定装置によって固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素と、を備える成膜設備に関する。少なくとも２つの接触要素を介して電流を活性化要素に供給することができ、接触要素の少なくとも１つは、交互の接触地点で活性化要素と接触するように設計される。本発明はさらに、これに対応する成膜方法にも関する。
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【課題】電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】電極棒５の下端には保持部材１２を介してフィラメント１５の上端部が接続されている。電極棒５のすり割り部１６にフィラメント１５を嵌合し、ナット部材１４を電極棒５に螺合することによりすり割り部１６を縮径し、電極棒５に対してフィラメント１５を面接触により接続し、電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になりすぎることを抑制する。 （もっと読む）

【課題】刃の厚さを極薄に形成しても剛性を充分に確保でき、耐摩耗性が高められ、安定して精度よく被切断材を切断加工できる切断ブレード、切断ブレードの製造方法及び切断加工装置を提供する。
【解決手段】円形薄板状をなす基材１の外周縁部の切刃を用いて、被切断材を切断加工する切断ブレード１０であって、前記基材１が、ダイヤモンドで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスバリアフィルムに関し、バリア性の向上、製造の簡便と低コスト化を図る。
【解決手段】プラスティックフィルムの各主面に接するガスバリヤ層は触媒ＣＶＤによるＳｉＣＮＦＨ層で０．０１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０５、０．００＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０７、０．０４＜Ｉ（ＮＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０８、および０．０５＜Ｉ（ＣＦ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．３の条件、またはＳｉＯＣＮＨ層で０．１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＮＨ）＜０．９、０．０＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＮＨ）＜０．３、８＜Ｉ（ＳｉＮ）／Ｉ（ＮＨ）＜２０、および２＜Ｉ（ＳｉＯ₂）／Ｉ（ＮＨ）＜８の条件、またはＳｉＣＮＨ層で０．０１＜Ｉ（ＳｉＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０５、０．００＜Ｉ（ＣＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０７、および０．０４＜Ｉ（ＮＨ）／Ｉ（ＳｉＮ）＜０．０８の条件を満たすガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】新規のグラフェン製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はグラフェンの製造方法に関し、以下の段階を含む。
・基板上にアモルファス炭素を含む薄層を堆積する段階、
・光及び／又は電子照射の下で前記薄層をアニーリングし、それによってグラフェンを含む層が得られる段階。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が高められるとともに、品質が充分に確保される炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、基材１の表面１Ａに炭素膜２を成膜する炭素膜の形成方法であって、前記表面１Ａに、前記基材１と同種の粒子３を分散させる工程と、ＣＶＤ法により、前記表面１Ａと前記粒子３の外周面とにより形成された段部４に種粒子５を捕捉させるとともに、前記種粒子５を核にして炭素膜２を成長させる工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】炭素膜の基材に対する剥離強度が高められ、剥離を防止できる炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の表面１Ａを被覆する炭素膜とを有する炭素膜被覆部材であって、前記表面１Ａには、連続する曲線状の溝１１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ装置において、反応室の内部のヒータの設置の手間を軽減する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ装置のヒータ２０において、一対の電極２２ａ、２２ｂと、電極２２ａ、２２ｂを平行状態に相対向させ保持する枠体２３と、電極間２２ａ、２２ｂに張架された熱フィラメント２１により形成された加熱部と、電極２２ａの略下側に設けられた複数の係止部６０を備えた固定部２４と、電極２２ｂの略後方側に配置された複数の係止部７１を備えた可動部２５とを有する。加熱部は、１本のワイヤ状の熱フィラメント２１を、固定部２４の係止部６０と、可動部２５の係止部７１とに交互に架け渡し係止して電極間２２ａ、２２ｂにチドリ状に張架することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】初期切削抵抗が小さく、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体表面にダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、上記ダイヤモンド皮膜は、平均結晶粒径０．２〜１．５μｍの配向ダイヤモンド結晶粒が、無配向ダイヤモンド結晶粒のマトリックス中に平均面積割合で３０〜８０面積％分散分布する膜構造を有し、かつ、ダイヤモンド皮膜の厚さ方向に沿ってみた場合、表面側に向かうほど、配向ダイヤモンド結晶粒の結晶粒径及び面積割合は小さな値となり、さらに、前記ダイヤモンド皮膜の結晶粒の（１１０）面または（１１１）面の少なくともいずれかの面は、基体表面の法線に対する傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、０〜１０度の範囲内に存在する度数合計は、度数全体の３０〜６０％の割合を占める。 （もっと読む）