【課題】処理パラメータの変動をあまり受けない、化学蒸着用の前駆体物質のより制御可能な計量を行う。
【解決手段】加工物３０上に層を生成する方法であって、層を生成する少なくとも１つの成分を計量し、この成分は計量の際に液相中に存在し、次の処理工程において、異なる凝集状態に少なくとも部分的に変わる方法。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、ガス供給部（ガス供給部材３８、配管３７、流量制御装置３６、配管３３〜３５、バッファ室２３〜２５）とを備える。処理室４は反応ガスを流通させる。複数のガス供給口１３〜１５は、処理室４の壁面(上壁６）において、反応ガスの流通方向に沿って形成される。ガス供給部は、複数のガス供給口１３〜１５において、一のガス供給口１３と、当該一のガス供給口１３と異なる他のガス供給口１５（またはガス供給口１４）とのそれぞれから異なる流量でガスを処理室４の内部に供給可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１にプラズマ処理を施すＭＭＴ装置１０は、気密性を確保した処理室１４でウエハ１を保持するサセプタ２１と、処理室１４にプラズマを生成する筒状電極１５および筒状磁石１９と、処理ガスＧを処理室１４内に供給するガス供給管３３やバルブ３４およびＭＦＣ３５と、バルブ３４およびＭＦＣ３５を信号線Ｅを通じて制御するコントローラ４１と、サセプタ２１の周縁部を覆う周辺カバー５０とを備えている。ガスの流量によって２つ以上の異なるプラズマ状態を選択することにより、プラズマ状態を制御し、所望の膜厚および均一に成膜する。 （もっと読む）

【課題】
安定した処理性能を維持しつつ生産性の高いプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
複数のガスを用いて形成したプラズマによりこの処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記複数のガスが各々通流する複数の供給用のガスラインと、これら供給用のガスラインの各々上に配置され各々の前記複数のガス流量を各々調節する複数のガス流量調節器と、前記ガスラインに連結されて前記処理室外に配置されこのガス流量制御器からのガスの流量を検定する検定器が配置された検定用のガス流路とを有し、前記処理と並行して前記複数のガスのうち前記処理に使用されていないガスに対応するガスライン上の前記ガス流量調節器の検定を行う。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率を有するタングステン膜の均一性および接着性を高める方法を提供する。
【解決手段】低抵抗率のタングステン膜は、タングステンのバルク層を形成する前に、タングステンの核生成層を一連のパルス状還元剤にさらすことにより形成される。さまざまな実施形態によれば、方法は、異なる流量、異なるパルス時間、および、異なるインターバル時間を有する還元剤パルスを含む。 （もっと読む）

【課題】例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下凸の上壁を有する反応室内に単結晶基板を配置し、反応室内にガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入して、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層する枚葉式のエピタキシャル成長方法であって、ガス導入口から反応室内に導入するキャリアガスの流量に応じて、反応室の上壁の曲率半径および／またはガス導入口の上端と反応室の上壁の下端との高さ方向における差を調整してから、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長方法。 （もっと読む）

【課題】 改善されたステップカバレージを有するアモルファスカーボン膜を高温堆積するための方法を提供すること。
【解決手段】 一実施形態では、アモルファスカーボン膜を堆積するための方法は、処理チャンバに基板を準備し、５００℃よりも高い温度に上記基板を加熱し、上記加熱された基板を含む上記処理チャンバ内へ炭化水素化合物及び不活性ガスを含むガス混合物を供給し、上記加熱された基板上に、約１００メガパスカル（ＭＰａ）の引張力と約１００メガパスカル（ＭＰａ）の圧縮力との間の応力を有するアモルファスカーボン膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。
【解決手段】オゾン供給装置１１からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ１２内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ１４はオゾン濃度計１３によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。前記基板の加熱温度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面には紫外光領域の光が照射される。前記基板に照射する光の強度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。 （もっと読む）

【課題】インゴットから得たＧａＮ基板表面の研磨傷を消失させる。
【解決手段】研磨された、ＧａＮ基板表面の処理方法であって、トリメチルガリウムと、アンモニアと、水素とを含む雰囲気下で加熱することを特徴とする。トリメチルガリウムの供給量は１５０μｍｏｌ／ｍｉｎ以上、アンモニアとトリメチルガリウムの供給量の比（Ｖ／III比）は、１２００以上４０００以下が好ましく加熱の際の温度は１０００℃以上１２５０℃以下が好ましい。また、表面処理温度は、後に形成されるＧａＮの成長時の温度以上に設定され、トリメチルガリウム供給量は、その成長時の供給量よりも低い。表面の高低差のＲＭＳは１．３ｎｍ以下、ステップ状態の良好な基板面が得られた。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１の制御部は、洗浄処理において、クリーニングガス供給管１０ａ、１０ｂ、１０ｃからクリーニングガスを供給するともに、第１の処理ガス供給管８、及び、第２の処理ガス供給管９から希釈ガスを供給する。第２の処理ガス供給管９内に付着した付着物を除去する場合、第２の処理ガス供給管９からの希釈ガスの流量を、第１の処理ガス供給管８、及び、クリーニングガス供給管１０ｃからの希釈ガスの流量より減少させ、第２の処理ガス供給管９の管内にクリーニングガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、複数のガス導入ヘッド３１を介して処理チャンバー内に原料ガスを導入すると共に、各ガス導入ヘッド３１からの原料ガスの導入量を独立して制御する。 （もっと読む）

１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ（288nm)と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ（288nm)／Ｈβ〕が１０．０以下であるガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマのもとで、５００℃以下の低温で基板Ｓ上に直接粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ_３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン膜を成膜する工程だけでシリサイド化反応が起こり易くすることで，スループットを飛躍的に向上させる。
【解決手段】ウエハ上にチタン化合物ガスと還元ガスと窒素ガスとを供給しつつプラズマを生成することによってウエハ上に窒化チタン膜を成膜する工程を有し，この工程において窒素ガスはその供給開始から所定の設定流量に達するまで（時間Ｔｓ），その供給流量を徐々に増加させるように供給することによって，シリコン含有表面にチタンシリサイド膜を形成しながらウエハ上に窒化チタン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い成膜レートで窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】原料ガスとして、シランガス、アンモニアガス、および窒素ガスを用い、かつ、窒素ガスの流量を、シランガスおよびアンモニアガスの総流量の０．２〜２０倍とし、ＩＣＰ−ＣＶＤ法で窒化シリコン膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体の品質低下を防止できるＭＯＣＶD法による半導体製造設備のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応炉ＰＣへの原料ガスを供給するメインガス供給ラインＬ_１と前記原料の排気をするべントガス供給ラインＬ_２とを備え、前記メインガス供給ラインの入口側に圧力式流量制御装置ＦＣＳ−Ｎを設け、当該圧力式流量制御装置により流量制御をしつつ所定流量のキャリアガスＣ_１〜Ｃ_５をメインガス供給ラインへ供給すると共に、前記ベントガス供給ラインの入口側に圧力制御装置ＦＣＳ−ＲＶを設け、当該圧力制御装置により圧力調整をしつつ所定圧力のキャリアガスをベントガス供給ラインへ供給し、前記圧力式流量制御装置のオリフィスＯＬ下流側で検出したメインガス供給ラインの圧力Ｐ₁₀とベントガス供給ラインの圧力Ｐ₂とを対比し、両者の差が零となるようにベントガス供給ラインのガス圧Ｐ₂を調整する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】低面粗度による低い相手攻撃性を有するばかりでなく、高硬度を有し、さらに、優れた耐磨耗性を有するとともに、従来のＰＶＤ法よりも生産性が高く、膜の着き回り性に優れるＣＶＤ法によって製造できるため、低コストを実現できる水素化アモルファスカーボン膜の提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。
【解決手段】（ａ）基板（３４）が設置された第１電極（３３）と前記第１電極（３３）から離れて設置された第２電極（３２）との間に、シラン系ガスと水素ガスと酸素ガスとを含む製膜ガス（５１）を供給するステップと、（ｂ）前記第１電極（３３）と前記第２電極（３２）との間に交流電力を印加し、所定の範囲の割合で負イオンを含むプラズマを発生させながら、前記基板（３４）上にシリコン系の膜を製膜するステップと、前記製膜の途中で、前記製膜ガスのうち前記酸素ガスの供給を停止するステップとを具備するシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）