【課題】 ガスバリア性のみならず、耐酸化性および透明性にも優れるガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｈ結合を有する原料と、Ｎ−Ｈ結合を有する原料と、窒素ガス、水素ガスおよび希ガスの少なくとも１以上とを用い、４１４ｎｍの発光強度Ａ、３３６ｎｍの発光強度Ｂ、３３７ｎｍの発光強度Ｃおよび６５６ｎｍの発光強度Ｄが、『２＜［Ｂ／Ａ］＜２０』、『Ｃ／Ｂ］』、および『０．５＜［Ｄ／Ｂ］＜５０』を満たすプラズマによるプラズマＣＶＤでガスバリア膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工においてすぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、粗粒結晶層Ｃ、含非晶質炭素層Ａ、微粒結晶層Ｂおよび含非晶質炭素層Ａからなる交互積層単位構造が複数周期繰り返されることにより２．５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆され、さらに、該ダイヤモンド皮膜について、基体表面の法線に対して、ダイヤモンド皮膜中の結晶粒の（１０１）面の法線がなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、０〜２０度の範囲内の傾斜角区分に存在する度数の合計が、全度数の３０％以上の割合を占めるようなダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】
加熱触媒体の腐食劣化を低減することのできる薄膜形成装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】
第二の電極に高周波電力を印加する工程と、水素ガスまたは不活性ガスを含んだキャリアガスを前記第一供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、分子式にフッ素（Ｆ）を含んだガスまたは分子式に塩素（Ｃｌ）を含んだクリーニングガスを前記第二供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記第一の電極と第二の電極間に生じるグロー放電によるプラズマ空間において活性化する工程と、を有し、前記第一供給口の個数をｎ_１、開口径をｄ_１、前記第一供給口を流れるキャリアガスの全流量Ｑ_１、前記第二供給口の個数をｎ_２、前記開口径をｄ_２、前記第二供給口を流れるクリーニングガスの全流量Ｑ_２、チャンバー内の圧力をＰとしたとき、Ｑ_１≧（ｄ_１^２・ｎ_１）／（ｄ_２^２・ｎ_２）×Ｑ_２、Ｐ≦２００Ｐａを満たす。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

【課題】 コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置1は、流体制御部2と流体導入部3とを有している。流体導入部3は、３つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ２×Ｎ／２個の開閉弁23からなる第１および第２入口側遮断開放部5,6と、４×Ｍ個の開閉弁23からなり、第１および第２入口側遮断開放部5,6と流体制御部2との間に配置された流体制御部側遮断開放部7とからなる。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】超硬合金母材との密着性に秀れ、しかも、高硬度で非鉄系高硬度被削材に対して十分な耐摩耗性を有し、切削工具の工具寿命を大幅に延長することができる極めて実用性に秀れた切削工具用ダイヤモンド皮膜の提供。
【解決手段】基材上に形成される切削工具用ダイヤモンド皮膜であって、０．３μｍ以上３μｍ以下の平均結晶粒径を有する第一皮膜層と該第一皮膜層より平均結晶粒径が大きい第二皮膜層とが交互に各１層以上積層して成る多層皮膜層を少なくとも１層以上含み、前記基材直上に１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚で前記第一皮膜層が形成されている切削工具用ダイヤモンド皮膜。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上に落下したフレーク状の付着物を、サセプタのサイズに関係なく、サセプタ上のパージガスの乱れ及び巻き上がりを発生させることなく、確実に除去し、延いては、基板温度の均一性を保ち、再現性のよい膜品質を得ることができ、稼働率を高め得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド１４における複数のガス噴出孔を中心部から外周に向かって同心に区画した複数の領域に対して、ガスの噴出量を個別に制御する流量制御装置６が設けられている。流量制御装置６は、トレイ１２のサセプタ１３への載置前に、シャワーヘッド１４に対向するサセプタ１３の面内領域に向けて、複数の領域に対して個別に流量を変えながらパージガスをシャワーヘッド１４のガス噴出孔からシャワー状に噴出させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置でエピタキシャル層（エピ層）の厚みを測定し、開閉部材の操作によって開閉部材に対応するガス流出口を開閉させ、開閉部材の操作に対応するウェーハ面内のエピ層の厚みをモデル化して、ウェーハ面内エピ厚推定モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、ウェーハにエピ層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層形成工程Ｓ２により形成されたエピ層について複数の測定位置においてエピ層の実厚みであるウェーハ面内実エピ厚を測定する実厚み測定工程Ｓ３と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたウェーハ面内エピ厚推定モデルに基づいて開閉部材を操作し、ウェーハ面内実エピ厚のばらつきが最小となるように修正するウェーハ面内実エピ厚修正工程Ｓ１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

ボトルや中空管などのようなプラスチック製または金属製の物体のような成形された物体の内側表面上に薄膜を室温で堆積するプラズマ系の堆積方法が開発された。本発明において、プラスチックボトルの内側表面上の均一な（ダイヤモンド状炭素ＤＬＣとも呼ばれる）水素化非晶質炭素膜が成功裏に堆積される。そのような製品の適用には、食品および薬品業界全体が挙げられる。飲料水、炭酸清涼飲料、ワイン、薬剤などの保管用の、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のボトルには大きな需要がある。しかし、より高い費用によって、それらの広範な使用が妨げられる。より安価な代替案は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のような化学的に不活性な材料で内側を被覆されたプラスチックボトルを使用することであり、商業的に実現可能となるであろう。発明者の方法は、大量生産用に規模を拡大されることができる。この方法は、金属の内側表面へのより良好な接着を有するＤＬＣ膜を得るために、（水素化非晶質ケイ素のような）中間層を形成する炭化物で金属製の棒または管の内側表面上を被覆するのにも使用されることができる。
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【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】低い真空雰囲気下で用いられる真空ポンプの故障を防止することが可能なレシピの作成装置を提供する。
【解決手段】被処理体を収容する処理容器と、被処理体を保持する保持手段と、ガス導入手段と、ガス導入手段に接続された複数のガス供給ラインを有するガス供給手段と、真空ポンプを有する真空排気系とを備えた処理装置を用いて処理を施すために複数の処理ステップを含むレシピの作成装置において、ガス供給ライン毎に流すガスのガス流量を仮ガス流量として入力する入力部と、各仮ガス流量を各処理ステップ毎に合算して仮の総和ガス流量を求めるガス流量合算部と、仮の総和ガス流量と予め定められた真空ポンプの許容値とを比較して仮の総和ガス流量を受け入れるか否かを判断する比較判断部と、比較判断部の結果によって受け入れた仮の総和ガス流量を含むレシピを実行可能なレシピとして記憶するレシピ記憶部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積させる方法は、一様な酸化シリコン成長速度が基板表面全域にわたって実現されるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることを伴う。実施形態により成長した酸化シリコン層の表面粗さは、添加剤前駆体を用いて成長させることにより低減させることができる。本発明の別の態様では、トレンチが、内部のボイドの数量が少なくおよび／またはサイズが小さい酸化シリコンフィラー材料で埋められるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることによって、表面上にトレンチを具備するパターン形成基板上に酸化シリコン層を堆積させる。
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【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】少流量ガスが処理チャンバーに到達する時間に大きな遅れが発生することを抑制することができ、所定の混合ガスをより早くガス使用対象に供給することのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】共通配管１０に接続された複数の個別ガス供給ライン１Ａ〜１Ｐを通して複数種のガスを供給し、当該複数種のガスの混合ガスを、前記共通配管１０のガスアウト部１１を通じて混合ガス供給ラインにより処理チャンバー３０に供給する混合ガスの供給方法であって、流量の異なる２種類以上のガスを同時に供給する際に、流量の少ないガスを、流量の多いガスよりガスアウト部１１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａ〜１Ｐから供給する。 （もっと読む）