【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび／または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤによって、可撓性に優れ、かつ、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板と対向する石英ガラス管内壁面に堆積物を付着し難くすることのできる気相成長方法の提供。
【解決手段】一端部に原料ガスの供給口を備え、他端部に反応ガスの排出口を備えた管状の反応容器を水平方向に設置し、該反応容器の内部に、半導体結晶基板を主表面が水平になるように配置し、前記反応容器の外周部に配置されたランプにより加熱しながら原料ガスを水平に一方向に流して前記半導体結晶基板の主表面に所望の半導体結晶を成長させる気相成長方法において、前記原料ガスの流速を１１８ｃｍ／秒以上とする。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

モル送出のシステムおよび方法は、各パルスの持続時間の関数として既知のモル量のパルスを供給し、各パルスの持続時間は、理想気体の法則の関数として導出される。このシステムの一実施形態では、同システムは、既知の温度に制御された既知の容量のチャンバと、チャンバ内の圧力を測定するための圧力センサと、処理手段への出口弁と、チャンバに送出ガスを充填するための入口弁と、出口弁の動作を制御して、処理手段への弁のタイミングを制御することにより、各パルス状ガスの量を制御するように構成して配置された制御システムとを備える。
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【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_１(０≦Ａ_１)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_１(０＜Ｂ_１)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_１(０＜Ｃ_１)で供給する第１工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_２(０＜Ａ_２)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_２(０＜Ｂ_２)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_２(０＜Ｃ_２)で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を形成し、前記III族原料ガス流量Ａ_１はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ_１≦０．５Ａ_２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に堆積されるオルガノ珪酸塩膜の厚さ均一性を制御する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、急速加熱処理などにより、処理チャンバ内に大型基板を提供するステップと、前記大型基板の表面周囲領域と前記周囲領域の内側表面領域とを含むように、前記大型基板上の識別可能な少なくとも２か所の温度を制御するステップと、前記大型基板の表面周囲領域の温度を、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約１０℃低い温度から、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約２０℃高い温度までの範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップを備え、堆積された前記オルガノ珪酸塩膜は約１０％以下の膜均一性を提供する方法。 （もっと読む）

【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】空孔を含む絶縁膜を用いる半導体装置及びその製造方法において、配線間耐圧を向上すると共に配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置２００の製造方法は、基板上に、単一層からなり且つ空孔形成材料２０２を含む絶縁膜２０３を形成する工程（ａ）と、絶縁膜２０３の表面部である第１領域２１０には空孔を形成することなく、絶縁膜２０３における第１領域２１０よりも下方の第２領域には空孔形成材料２０２の除去により空孔２０４を形成する工程（ｂ）と、絶縁膜２０３に少なくとも１つの配線溝２１１を形成する工程（ｃ）と、配線溝２１１を埋め込むように導電膜２１５を形成する工程（ｄ）と、配線溝２１１からはみ出た余剰部分の導電膜２１５を除去することにより配線２０７を形成する工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはＡｌ合金等の難削材の高速切削加工において、すぐれた耐摩耗性を長期にわたって発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣと少なくともＣｏを含有するＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、ダイヤモンド皮膜の膜厚方向に平行な断面で見た場合、工具基体の表面から５〜２００μｍの幅で膜厚方向にグラファイト相が成長して形成され、好ましくは、工具基体の表面で５０〜３００μｍのピッチで格子状に形成され、かつ、膜厚方向に成長させたグラファイト相の形成長さは、ダイヤモンド皮膜の膜厚より短く、ダイヤモンド皮膜の表面は全てダイヤモンド相で構成されている。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜の表面粗さを改善することを可能とする。
【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第１の炉内圧力で成膜するプリパージ工程と、プリパージ工程の次の工程であり第２の炉内圧力で成膜するデポ工程とからなり、前記デポ工程時の炉内圧力である第２の炉内圧力に関しては前記プリパージ工程の炉内圧力である第１の炉内圧力より低くしたことを特徴とする。更に各工程におけるＳｉＨ_４の流量を異ならせることを特徴とする。 （もっと読む）

真空堆積室の様なプロセス工具の少なくとも２つの帯域へ流れるガス又は蒸気の圧力を制御する方法及び制御するための多帯域圧力制御装置システムである。本システムは、プロセス工具の対応する帯域へガス又は蒸気の流れを提供するように構成及び配列されている少なくとも２つの流路であって、それぞれの流路が、各々の流路のガス又は蒸気の圧力を制御するように構成及び配列されている圧力制御装置と、流路からのガス又は蒸気の漏れ速度を提供するように構成されている漏らしオリフィス又はノズルとを含んでいる、流路と、室の真の漏れ速度を確定することができるように、プロセス工具のそれぞれの帯域への真の流れについての情報を確定するように構成及び配列されている制御装置と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】流量制御部のゼロ点の補正及び補正結果の確認を効率的に行う。
【解決手段】処理室と、処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、流量制御部の動作を制御する制御部と、を備え、流量制御部は、補正処理開始要求を受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、補正処理が完了したらゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を送信し、制御部は、基板処理レシピを実行する前に補正処理開始要求を流量制御部に送信し、補正処理が完了したら流量モニタ情報を流量制御部から受信し、ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば補正処理が成功したと判定し、ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ補正処理が失敗したと判定する。 （もっと読む）

【課題】成膜に用いる原料ガス同士の気相反応を抑制し、均一な成膜速度で均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）において、基板１５に近いほうから順に配置された、窒素ガスとＶ族元素ガスとが混合された第１の混合ガスを流す第１ガスライン１０と、窒素ガスとＩＩＩ族元素ガスとが混合された第２の混合ガスを流す第２ガスライン２０と、サブフロー窒素ガスを流す第３ガスライン３０から、基板の主表面に対向する領域へガスを流す。ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）における、基板１５が配置される反応室内５０の圧力は１５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下であり、第２の混合ガス中に含まれる窒素ガスの流速が３．２５ｍ／ｓ以上３．３５ｍ／ｓ以下である。 （もっと読む）

それぞれのガス源用のサイクリング弁によって、複数のガス源からビーム・システムの試料室内へのガス流が制御され、弁が開いている相対時間および弁の上流の圧力によって、試料室内のガス圧が決定される。真空室の内部に配置されたガス弁が、ガスを遮断する際の迅速な応答を可能にする。好ましいいくつかの実施形態では、使用中も真空システムの外部に置かれる容器内の固体または液体材料から前駆体ガスが供給され、この容器は、重大な漏れを生じることなく、ガス注入システムに容易に接続され、またはガス注入システムから容易に分離される。
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【課題】流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。ガス導入部２１は、ガス供給管２０と、ガス供給管２０と反応室５０とをつないで反応ガスを流通させるガス流路拡大部とを含んでいる。ガス流路拡大部は、ガス供給管２０から反応室５０まで、基板１５の主表面に沿うとともに反応ガスの流通方向に交差する方向である平面方向での幅が、ガス供給管２０側から反応室５０側に向けて広がるように構成され、ガス流路拡大部の平面方向の幅を規定する側壁では、ガス供給管２０からガス流路拡大部へ導入される反応ガスの吐出方向に対する、側壁の傾斜角度のうちガス供給管２０側に位置する部分の傾斜角度が、側壁のうち反応室５０側に位置する部分の吐出方向に対する傾斜角度より小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層保持する基板保持具２１７と、該基板保持具２１７に保持された基板２００を処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内の前記基板２００の積層方向に延在し、前記基板２００の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔２４８を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部２４１と、前記処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部２４３と、前記基板２００の処理中に、複数のガス供給孔２４８の少なくとも一つのガス供給孔２４８から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部２４１、又は前記圧力制御部２４３を制御するコントローラ２８０とから構成する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが狭い高誘電率膜を用いたキャパシタにおいて、リーク電流を低減するとともに、製造コストを削減することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２上に形成された下部電極としてのＴｉＮ膜１００と、ＴｉＮ膜１００上に形成された第１の高誘電率絶縁膜としてのＨｆＯ_２膜１１０と、ＨｆＯ_２膜１１０上に形成され、ＨｆＯ_２膜１１０のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する第２の高誘電率絶縁膜としてのＴｉＯ_２膜１２０と、ＴｉＯ_２膜１２０上に形成され、非貴金属であって４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する上部電極膜としてのＣｏ膜１３０と、により構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ不純物のエピタキシャル層へのオートドーピングを抑え、特性のばらつきを生じることなく、信頼性の高い、良好な特性を有する半導体ウェーハ、半導体装置を形成することが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内でウェーハを保持し、反応室内を、所定の圧力に制御し、ウェーハを加熱し、回転させながら、上方からウェーハ上にプロセスガスを整流して供給し、余剰なプロセスガスおよびプロセスガスより生成された反応副生成物を含むウェーハ上の排ガスを、ウェーハの端部上の主流速が０．７〜２．０ｍ／ｓｅｃとなるように制御して、ウェーハ上より外周方向に排出し、ウェーハ上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）