【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

【課題】Ａｓを含むシリコン単結晶基板にエピタキシャル膜を形成したエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域の抵抗率均一性を向上させ、効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成する際に、シラン化合物と水素ガスからなる供給ガスを毎分５０リットル以上流し、かつウェーハを１０８０℃以上、１１００℃以下の温度範囲になるように加熱することにより、形成されたエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域のエピタキシャル層内の抵抗率特性が大幅に改善される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧力調整弁における外部リークを抑え、半導体ウェーハに形成されるエピタキシャル膜などの膜質の向上、生産性の向上を図ることが可能な半導体製造装置、半導体製造方法および圧力調整弁を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室11に接続される供給部21と、排気機構18に接続される排気部22を有する弁箱23と、弁箱23内に設けられ、排気部22の開度を調整するための弁体24と、これに接続される駆動軸25と、これを駆動させる駆動制御機構26と弁箱23に接続され、駆動軸25の外周に設けられる軸管27と、弁箱23側の駆動軸25と軸管27との間隙をシールする第１のシール28と、軸管27の端部側の駆動軸25と軸管27との間隙をシールする第２のシール29と、第１のシール28と第２のシール29間の中間室210にパージガスを供給するパージガス供給機構211を有する圧力調整弁20を備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の膜厚分布を均一にできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】実質的に直方体状のチャンバ本体１０と、前記チャンバ本体の一端側壁部１１に設けられ、ガス導入方向に対して横方向に分割された領域ごとに設けられたガス導入部２０と、前記チャンバ本体の他端側壁部１４に設けられたガス排出部１８と、前記チャンバ本体の底壁部１６に回転可能に設けられ、被処理物である複数の基板Ｗを円周状に搭載するサセプタ３０と、前記チャンバ本体内であって、前記ガス導入部に対面して前記ガス導入部から前記チャンバ本体に導入されたガスが衝突する位置に設けられた整流体１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ラジカル種を基板間に十分に供給して、基板の処理量を面内、面間均一化する。
【解決手段】複数の基板を積層した状態で収容する処理室２０１と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出系と、所定の高周波電力を出力する高周波ユニット２７１と、前記処理ガスをプラズマ励起するため、前記高周波ユニットから所定の高周波電力が印加される電極と、前記ガス供給系、前記ガス排出系および前記高周波ユニットを制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記高周波ユニットを制御することにより、前記電極に一定の高周波電力を印加してプラズマを生成させている間、前記処理ガスが、第１の流量と、前記第１の流量より多い第２の流量とで交互に前記処理室に供給されるように前記ガス供給系を制御する基板処理装置。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜のパーティクルレベルを低減させて、また当該硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性や抵抗選択性を向上させることで半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒素ガスにマイクロ波を照射することで生成した窒素ラジカルと成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４とを成膜室３１Ｓへ供給して成膜温度下にある基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜するに際し、成膜装置は、成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４が熱分解により形成する膜の成膜速度に関して成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を基準増加率とすると、硼窒化ジルコニウム膜の成膜速度に関しては成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を前記基準増加率にする。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜と前記絶縁膜に囲まれた金属膜とが露出する基板を加熱した状態で収容する成膜室３１Ｓと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４と励起した窒素とを前記成膜室３１Ｓへ供給して加熱下である基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜する成膜部とを備えた半導体装置の製造装置であって、前記成膜部が、成膜時間が経過するに連れて前記励起した窒素の供給量を低くすることを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法が提供されており、ＭＦＣ制御スキームは、処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成される。その方法は、レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程を備える。その方法は、さらに、１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度および初期オーバーシュート持続時間を確立する工程を含む。方法は、さらに、レシピの実行中に各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整することによってＭＦＣ制御スキームを確立する工程を含む。ＭＦＣハードウェアの調整は、ＭＦＣ制御スキームが、各ガス種に、処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、初期オーバーシュート強度を初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】真空装置中の全圧を制御しつつ気体供給路を短時間で変更できる調圧機能付高速ガス切替装置とする。
【解決手段】第１流量制御バルブを介して第１供給ガスを真空装置に供給する第１管路と、第２流量制御バルブを介して第２供給ガスを供給する第２管路とを第１三方向バルブで連結して、第１供給ガスと第２供給ガスのいずれかのガスを第１三方向バルブから第３流量制御バルブを介して真空装置に供給可能とする。また、第２管路の第２流量制御バルブと第１三方向バルブとの間の管路と、第４流量制御バルブを介して排気する排気管路とを第２三方向バルブで連結するとともに、排気管路の第４流量制御バルブと第２三方向バルブとの間の管路に前記第１管路から分岐した管路を連結して、第１供給ガスと第２供給ガスのいずれかのガスを第４流量制御バルブを介して排気可能とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さ（あるいはエピタキシャル層のロールオフ、ＺＤＤ）を任意に制御してエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】被処理ウエーハ上に原料ガスおよびキャリアガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、
前記供給するキャリアガスの流量を制御することにより、前記被処理ウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御するエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向に不純物濃度が連続的に変化した薄膜や、不純物濃度が大きく変化した薄膜を容易に気相成長させることができる気相成長装置および薄膜の気相成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、不純物ガスを第一の流量調整機構１２によって、希釈ガスを第二の流量調整機構１４によって流量を制御して混合させた希釈不純物ガスを、第三の流量調整機構１６によって流量を制御して第四の流量調整機構１８によって流量を制御した主ガスと混合させた原料ガスを前記反応室２２に導入し、かつ前記第一、第二、第三の流量調整機構を流れるガスの流量を、薄膜が厚さ方向で所望の抵抗率プロファイルとなるように、演算制御によって同時に連続的に変化させて前記反応室２２に原料ガスを供給しながら気相成長を行うことで、該薄膜の厚さ方向の抵抗率分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】減圧下でウォールデポを生じさせることなくサセプタを大径化できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】水平な円板状のサセプタ１１と、サセプタ１１を内部空間１３ａに収容する反応容器１３と、内部空間１３ａにガス流を形成するガス給排手段と、サセプタ１１に載置された半導体ウェーハ１２を加熱する加熱手段１７と、反応容器１３を外部から空冷する冷却手段とを備え、反応容器１３は中央が上方に膨出してサセプタ１１を覆う窓部１４ａを有する。サセプタ１１の外径Ｗが４９０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、窓部１４ａの厚みｔが４ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、窓部１４ａの曲率半径Ｒが５８０ｍｍ以上６２０ｍｍ以下であり、サセプタ１１の上面から窓部１４ａ内面までの高さの最大値Ｈが２００ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】金属汚染の危険を伴わず、かつ容易な手段で、均一な膜厚の薄膜を気相成長させることのできる気相成長装置および薄膜の気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる装置であって、少なくとも、気相成長を行う反応室と、該反応室に原料ガスを導入する複数の流路と、前記反応室からガスを排気する排出口と、ウエーハを載置するサセプタと、前記ウエーハを加熱する加熱手段とを備え、前記複数の流路は、原料ガスを各流路毎に個別に前記反応室に供給するものであり、かつ各流路毎に個別に流量をコントロールする調整機構を備えたものであって、さらに、前記複数の流路の原料ガスの流量比を変更・制御するための制御機構とを備えたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）