【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】 緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 ２種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、少なくとも１種の原料を第１の供給量で処理室内に供給する第１の原料供給工程と、この少なくとも１種の原料を第１の供給量とは異なる第２の供給量で処理室内に供給する第２の原料供給工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減し、ウエハ上に均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室２０１と、前記基板の積層方向に沿って配設され、前記処理室に処理ガスを供給するガスノズル２３３ｂと、を有し、前記ガスノズル２３３ｂは前記基板の積層方向に沿って複数のガス供給孔２３４ｂが形成され、前記ガスノズル２３３ｂの上端及び下端に前記ガスノズル２３３ｂへ前記処理ガスを供給するガス供給管２３４ｂがそれぞれ接続される。 （もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
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【課題】 真空設備を用いずにＤＬＣ膜の成膜処理を行うものであって、製造装置の構成の簡略化、安全管理の容易さ及びＤＬＣ皮膜容器に係る生産効率の向上を実現するＤＬＣ皮膜容器の製造装置、ＤＬＣ皮膜容器及びＤＬＣ皮膜容器の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＬＣ皮膜容器の製造装置は、プラスチック容器Ｂを収容し、そのプラスチック容器Ｂ表面にＤＬＣ膜を成膜するチャンバ１０と、そのチャンバ１０内に設けられた電極に電圧を印加する電源部２０と、上記チャンバ１０内に窒素ガスを給気してガス置換を行った後に、ＤＬＣ膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給排出部３０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体のシート抵抗を低減でき、かつ、この効果によるオン電流値を向上させた化合物半導体基板を低コストで提供する。
【解決手段】本発明によって、下地となる基板１と、前記基板１の主面上に形成された中間層２と、前記中間層２の主面上に形成された化合物半導体層３と、前記化合物半導体層３の主面上に形成された電極５と、前記化合物半導体層３の主面と前記電極５との間に形成され、前記化合物半導体層３の主面側から順に単結晶相、多結晶相、非晶質相の形態を有する窒化物のパッシベーション膜４と、を備えることを特徴とする化合物半導体基板１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】形成する抵抗体薄膜の抵抗率の制御性を高くして、高抵抗素子の形成を容易にする。
【解決手段】金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 （もっと読む）

移動する基板上への材料の原子層堆積装置は、所定の平面または湾曲移動経路に沿って基板を移動させる搬送機構と、少なくとも１つの前駆体送出流路を有するコーティングバーとを備える。前駆体送出流路は、基板上に堆積される材料を含有する流体を移動経路に向かって導く。使用時、移動経路に沿って移動可能な基板が、前駆体送出流路の出口端部と基板との間に間隙を画定する。間隙は、前駆体送出流路からの流体の流れに対してインピーダンスＺ_ｇを画定する。流れ制限体が、前駆体送出流路内に配置され、前駆体送出流路内の流れに対して所定インピーダンスＺ_ｆｃを提供する。制限体は、インピーダンスＺ_ｆｃがインピーダンスＺ_ｇの少なくとも５倍、より好ましくは少なくとも１５倍であるように寸法が決められる。インピーダンスＺ_ｆｃは、摩擦係数ｆを有する。前駆体送出流路内の制限体は、インピーダンスＺ_ｆｃが、１００未満、好ましくは１０未満の摩擦係数ｆを有するように寸法が決められる。
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【課題】プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。
【解決手段】半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の薄膜を形成する成膜方法において、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電によってプラズマを生成し、放電プラズマによって半導体表面上に２層からなる薄膜を成膜し、２層の薄膜の内、第１層目の薄膜は６０ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速で膜厚１０ｎｍ以下に成膜し、第２層目の薄膜は１００ｎｍ／ｍｉｎ以上の高速で膜厚１０ｎｍ以上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び水素を含有する反応ガス及び添加ガスを、半導体基板が中に配置された反応空間に導入する工程と、高周波ＲＦパワー入力源と低周波ＲＦパワー入力源を使用してＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、プラズマが励起している反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態で導入し、このことにより基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】劣化率を低下させ、安定化効率を高めた光起電力装置を提供する。
【解決手段】基板１００の上部に配置された第１電極２１０と、第１電極２１０の上部に受光層２３３を含む少なくとも一つ以上の光電変換層２３０と、光電変換層２３０の上部に配置された第２電極２５０とを含み、受光層２３３は、水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウムと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウム間に形成された非晶質シリコンゲルマニウムネットワークとを含む第１副層２３３ａと、水素化されたマイクロ結晶質シリコンと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコン間に形成された非晶質シリコンネットワークとを含む第２副層２３３ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】
基板加熱ヒータの加熱領域の影響で、シャワープレートの温度が高い領域と低い領域が発生し、シャワープレートの外周部分の温度の低い領域（非加熱領域）においては、シャワープレート表面にフレーク状の安易に剥がれる生成物が形成され、被処理基板にコンタミネーションとして付着して、膜質や均一性の劣化が発生する。
【解決手段】
シャワープレートの基板保持部材に対向する領域より外側で、かつ、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を配設し、シャワープレートの空間が配設された領域部分に反応室内と連通する複数の貫通孔を設け、貫通孔を通じてパージガスを導入する。
それにより、非加熱領域部のシャワープレート表面に存在する原料ガスをガス排出口側へ流し、さらに角部に淀み領域が発生しにくくすることができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物を減少し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】気相中でのキャリアガスに対する前駆体の濃度を維持する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス出口ライン２４における気体状混合物中の気化前駆体化合物の濃度を検出し、検出された濃度（ｃ）と参照濃度（ｃ０）とを比較し、濃度差（ｃ−ｃ０）を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号によりガス制御バルブ２３を調節し、気化容器内の全圧力を調節し、温度検出手段は前駆体化合物の温度を検出するように配置され、前駆体化合物の温度を検出し、検出された温度（Ｔ）と参照温度（Ｔ０）とを比較して温度差（Ｔ−Ｔ０）を提供し、当該温度差を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号がガス制御バルブを調節し、気化容器内の全圧力を調節し、ガス出口ラインにおける気体状混合物中での気化前駆体化合物の実質的に一定の濃度を維持する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に関するプログラムの編集画面において、編集画面の編集部分を、コンピュータ上のツールで変換することなく編集の内容を一目で理解できるようにする。
【解決手段】 基板処理に関するプログラムの編集画面を表示する表示手段と、編集画面に表示される各種キーの操作をキーログとして収集するキーログ収集入力手段と、キーにより編集された編集画面をキーログに関連付けて記憶手段に保存するキーログ保存手段と、記憶手段に保存された編集手段とキーにより編集された部分の画面表示形式を、区別可能に変更する表示形式変更手段と、を備える。 （もっと読む）

絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のC_xH_yガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。
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【課題】本発明の光起電力装置の製造方法は、光起電力装置の劣化率を低下させ、安定化効率を高めるためのものである。
【解決手段】一実施形態は、基板と、前記基板の上部に配置された第１電極と、前記第１電極の上部に受光層を含む少なくとも一つ以上の光電変換層と、前記光電変換層の上部に配置された第２電極とを含み、前記少なくとも一つの光電変換層に含まれた受光層は、水素化された非晶質シリコン系を含む第１副層と、結晶性シリコン粒子を含む第２副層とを含む光起電力装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置されるプロセス配管に副生成物を付着しにくくすることにより、チャンバ内のパーティクル量を減少させて、製品の品質および歩留まりの向上を図ることができる、プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ３と、原料ガス８をガス供給部１１に導入するプロセス配管５と、プロセス配管５の少なくとも一部を加熱するテープヒータ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の膜厚制御性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ガス流入口２０Ｂの上流側で、ガス流の幅方向に独立してガス流量を制御可能な複数の部分制御範囲（ＬＬゾーン、ＬＲゾーン、Ｒゾーン）が構成されており、各部分制御範囲におけるガス流量を制御する制御装置６６を備え、制御装置６６は、ウェハ２８を回転させつつ行われた回転成膜によりウェハ２８上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ２８上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求め、部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、ウェハ２８への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データ７２を用いて、種々の位置における偏差を減らすように、部分制御範囲のそれぞれのガス流量を制御するように構成する。 （もっと読む）

真性型の微結晶シリコン層向けの方法が提供される。一実施形態では、微結晶シリコン層は、加工チャンバ内へ基板を提供し、加工チャンバ内へガス混合物を供給し、ガス混合物内に第１のモードでＲＦ電力を印加し、加工チャンバ内へガス混合物をパルシングし、パルシングされたガス混合物内に第２のモードでＲＦ電力を印加することによって製作される。
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【課題】均一な薄膜を再現性よく形成するために、原料ガスの流れを監視する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、基板載置位置に載置した基板上に薄膜を形成する原料ガスを導入するガス導入口を備える容器と、ガス導入口と正対する位置からガス導入口に向けてレーザを照射するレーザ光源部と、ガス導入口から原料ガスを導入する際に、原料ガス成分からなるパーティクルがレーザに照射されることにより、基板載置位置のガス導入口側の端とガス導入口との間で生じる散乱光を測定する測定部と、を有する。 （もっと読む）