【課題】電極群の全体にわたって均一なプラズマを生成する。
【解決手段】処理室３２内に配置した複数段のサセプタ電極５０のそれぞれにウエハ１を載置し、この複数段のサセプタ電極５０に接続した交流電力供給装置６０によって交流電力を供給してプラズマ５１を生成し、この複数段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１群を一括してプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、サセプタ電極５０群を複数の領域に分割し、交流電力供給装置６０に第一ロータリースイッチ７０と、第二ロータリースイッチ８０と、第一ロータリースイッチ７０と第二ロータリースイッチ８０とを同期して作動させるスイッチ切換器９０とを設ける。放電開始電圧のサセプタ電極群への印加タイミングをサセプタ電極群の分割領域毎に順次切り換える。分割領域毎に放電開始電圧を適正に印加できるので、全サセプタ電極群に均一なプラズマを生成できる。
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加工部材の表面を被覆するためのシステムは、前記加工部材をアノードに対して負にバイアスするように加工部材とアノードに接続するためのバイアスシステムと、加工部材の内部を真空にするための真空源とを含む。処理用材料を含有するガスを前記加工部材に導入するために、ガス供給部が使用され、加工部材の内部に中空陰極効果を確立するように、制御システムが、バイアスシステムと真空源とガス供給部とを制御する。１対の結合ヘッドが、３本の軸の１つまたは複数において移動可能な関節式アームの上に支持され、取外し可能なシールドを含んで、ヘッドとアノードを受け入れるためのアノード取付け部とを保護する。関節式アームによって、システムは複数の異なる形状と異なるサイズの加工部材に対処することができ、同時にシールドは堆積工程中に結合ヘッドを保護する。 （もっと読む）

【課題】処理品質および耐久性に優れた半導体装置製造装置を得ること。
【解決手段】反応ガスを導入する反応容器と、前記反応容器内に設けられて高周波電圧によってプラズマを発生させる一対の高周波電極と、前記反応容器内に設けられて処理対象物を保持する保持部材と、前記処理対象物を加熱するヒータ部材と、を備え、前記反応容器内に配設される部材の外表面に耐食性被膜が形成されている。これにより、反応ガス中の成分と部材の構成材料の成分との化学反応を抑制、防止することができ、ウエハの処理品質および耐久性に優れた半導体装置製造装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】回転電極の外周面と基材表面との間に好適な寸法の隙間を確保しながら、パーティクルの発生を抑止する。
【解決手段】回転電極２０と基材２８とを対向させてその回転電極２０と対向電極４０との間にプラズマ４２を生成し、そのプラズマ４２で反応ガスを化学反応させることにより前記基材２８の表面に薄膜を形成する。その際、前記回転電極２０と基材２８との隙間２３が最小となる最小隙間位置に対して回転電極２０の回転方向上流側に偏った位置にプラズマ４２を形成するように、前記対向電極４０の位置を前記最小隙間位置に対して回転電極２０の回転方向上流側にシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチック製品について、被膜で表面を被覆することで、優れたガスバリア性、耐摩耗性、耐衝撃性及び耐傷性に加えて、優れた耐変形性を付与することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る被覆プラスチック製品は、プラスチック成形体の表面上に炭素原子と水素原子とを主構成原子として含む被膜が形成された被覆プラスチック製品である。被膜は、例えば、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法の陰イオン解析において、単原子炭素のピークに対する３原子炭素のピークの強度比率（Ｃ３／Ｃ１）が０．０７以上であり、かつ、ＤＳＣ法の解析において、１４０〜１５０℃の間に発熱ピークの頂点が出現し、７０〜８０℃の間に吸熱ピークの頂点が出現する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上させる。
【解決手段】ボート４３の保持柱４６に半円形の第一電極板５１と半円形の第二電極板５２と誘電体５３とを備えた電極体５０を各段のウエハ１に対応して架設する。第一電極板５１と第二電極板５２とを同一平面内で対称形に配置した状態で、誘電体５３によって包囲する。各段の電極体５０の第一電極板５１と第二電極板５２との間には交流電力を印加する交流電源６１を整合器６２を介して並列に接続し、交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス６３を介設する。電極体５０の表面に沿面放電による均一で平坦なプラズマ６０を生成し、各段のウエハ１の主面に均一なプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】特性に優れた電子写真感光体を安定して低コストで製造可能にする。
【解決手段】堆積膜形成装置が、真空気密可能な反応容器１００と円筒状の放電電極１０１とを有している。反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０７が配置され、放電電極１０１は反応容器１００の側壁を構成し、複数の円筒状基体１０７を取り囲んでいる。放電電極１０１に高周波電力を印加して反応容器１００内にグロー放電を発生させ、反応容器１００内に導入された原料ガスを分解して複数の円筒状基体１０７の表面上に堆積膜を形成できる。各円筒状基体１０７は回転軸１０８を介して接地されている。放電電極１０１と電気的に接続された仕切板１１１が、各円筒状基体１０７同士の間に設けられているため、各円筒状基体１０７の堆積膜形成面同士が直接対向することがない。この仕切板１１１は排気口１１３を有し、排気部の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、歩留まりよく安定して製造し得る、円筒状基体上への堆積膜の形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０５が設置され、放電電極１０１が複数の円筒状基体１０５を取り囲むように設けられている。円筒状基体１０５と円筒状基体１０５の間に放電電極１０１と電気的に接続された仕切板１０４が配置され、かつ、円筒状基体１０５の周方向において仕切板１０４との距離が等間隔とならないように設置されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対して破損や劣化がなく長期間にわたり安定したプラズマ生成を行うことができる大気圧プラズマ生成用電極を提供する。
【解決手段】ガス供給管２５と高周波電源７によりそれぞれガスと電力とを供給して互いに対向する電極１４，１５間に電界を形成し大気圧下でプラズマを発生させるプラズマ生成装置に用いる一対の電極１４，１５であって、電極１４，１５は導体であり、その導体表面には誘電体層１１，１２が形成され、電極１４，１５の対向面には固体誘電体１６，１７が誘電体層１１，１２を覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の大面積化に対応できるとともに、異常放電を起こすことなく正規の放電処理開始地点での処理の良好性確保できる大気圧プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ処理装置の第１ステージ部２１の露出された第１金属表面２１ａ上に被処理物Ｗを設置する。第１ステージ部２１の外側の第２ステージ部２２の第２金属表面２４ａには固体誘電体層２５を設ける。電極１１が、第２ステージ部２２に対応する第２移動範囲Ｒ２とその外側の第３移動範囲Ｒ３とに跨る所定位置より第３移動範囲Ｒ３側に位置するとき、該電極１１への電圧供給を停止し、上記所定位置より第１移動範囲Ｒ１側に位置するとき、該電極１１に電圧を供給しプラズマ放電Ｄ２，Ｄ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高温においてもウエハを均一に加熱処理することができ、電極部分の断線を招くことがないウエハ保持体、及びそのウエハ保持体を搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 電気回路を有する半導体製造装置用のウエハ保持体であって、その高周波電極回路や抵抗発熱体回路などの電気回路に接続するための電極が筒状になっている。この筒状電極の内部には、不活性ガスを供給することができる。また、筒状電極の外径は２ｍｍ以上、内径は１ｍｍ以上であることが好ましく、筒状電極の表面の比透磁率は６００以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡素な装置構成で、低電力で高速な処理能力を確保し、かつ均一な処理を実現し、大型の被処理物にも対応するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ガス流通路（スリット）９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄから放電空間Ａへガスを供給するとともに、電力供給電極３ａ，３ｂと接地電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに高周波電源１１より高周波電力を供給して、電力供給電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと接地電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが対向する放電空間Ｂａ，Ｂｂ，Ｂｃ，Ｂｄでプラズマを生成し、このプラズマをプラズマ処理空間Ａに送り込み被処理物１を処理する。 （もっと読む）

【課題】１回のクリーニングに要する時間を比較的短くし、かつ確実にクリーニングすることができるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応容器内のクリーニングの際、反応容器の内壁面に沿って配置された、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子を有して構成されたプラズマ処理装置によって、反応容器の壁面に沿った空間領域にプラズマを生成することで、反応容器の内壁面を高プラズマ領域に直接曝した状態でクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の相違による破損の発生を防止する。
【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をフィーダ５３によってそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置１０において、各段のサセプタ電極５０とフィーダ５３とを電気的に接続するターミナル５６を柔軟に構成する。複数段のサセプタ電極を支持するボートの熱膨張率とフィーダの熱膨張率との相違によって発生する位置ずれをターミナルの柔軟性によって吸収できるので、サセプタ電極やボートやフィーダ等の破損が発生する現象を防止できる。
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【課題】
薄膜太陽電池等の製造に用いられる両面放電型のプラズマＣＶＤ装置において、同時に搬入搬出される２枚の基板に、安定して均一な堆積膜を形成することが可能、即ち、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することが可能な高周波プラズマ発生用電源、該電源を用いたプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】
両面放電型のプラズマ源に、互いに独立の関係にある２つの高周波電源の出力を供給することにより、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することを可能とする。該２つの高周波電源として、パルス変調型電源及びそれぞれに中心周波数の異なるバンドパスフイルターを有する２周波数型電源を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜時にプラズマ化されたガスの汚れ等でガス供給管の孔がつまることなく中空容器の表面に均一な膜を成膜するプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波エネルギーにより原料ガスをプラズマ化し、中空容器８の表面に薄膜を成膜するプラズマ成膜装置であり、原料ガスを注入するガス供給管５の先端のガス孔角度が中空容器８の底面部位に対して水平方向から３０〜６０°方向に設けられていること、および前記ガス供給管５が周方向に均等に孔を配置し、これが円筒軸に平行に均等の間隔を有しながら周方向に配置された場合、該ガス供給管５の先端の孔径が同径であることを特徴とするプラズマ成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】切り屑の噛み込みを生じにくく、しかも低コストで製造可能な回転切削工具を提供する。
【解決手段】逃げ面６の母材表面に、金属炭化物、金属窒化物もしくは金属炭窒化物、またはこれらの固溶体からなる硬質皮膜８が形成され、前記逃げ面６に連なるすくい面７に、母材表面を酸化した酸化皮膜９が形成され、その酸化皮膜９の上に前記硬質皮膜８が形成された構成を回転切削工具に採用する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な構造でカソードおよびアノードを配置することができ、良好な膜堆積、膜厚分布を得ることができ、さらに、冷却装置を具備する必要のない半導体素子製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１は、内部を任意の真空度に制御することができるように構成されている。内部構造体８の底部には、アノード４を支持するためのアノード支持体６が設置されている。アノード４は、導電性および耐熱性を備えた材料で製作されている。アノード４は、ヒータ２４によって室温〜６００℃に加熱制御される。カソード２は、アノード４と対向状にカソード支持体５に設置されている。カソード支持体５は、チャンバー１１内に設けられた柱状枠組みの内部構造体８に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】均一なＣＶＤ処理をおこなうプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極板２０の、サセプタ１０に対向する面を凸型の形状とする。電極板２０は、凸部２０ａにおいてシールドリング２６の開口２６ａと嵌合する。このとき、凸部２０ａの厚さは、シールドリング２６の厚さとほぼ同一である。これにより、電極板２０と、シールドリング２６とは、実質的に同一の平面を形成する。また、凸部２０ａの主面は、ウェハＷの径の１．２〜１．５倍の径を有する。また、電極板２０は、例えば、ＳｉＣから構成される。 （もっと読む）

【課題】ワークのプラズマにより処理する領域を容易かつ自在に設定し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、複数の単位電極４２を有するヘッド４と、ワークを介し、単位電極４２に対向して配置される共通電極２と、共通電極２とワークとの間に所定のガスを供給するガス供給手段と、共通電極４２とワークとの間に供給されたガスを活性化させてプラズマが発生するように、共通電極２と単位電極４２との間に電圧を印加する電源部と、ヘッド４とワークとを相対的に移動させる移動手段とを備え、複数の単位電極４２は、ワークに対するヘッド４の移動方向と異なる方向に沿って並設されており、移動手段によりヘッド４とワークとを相対的に移動させつつ、ワークの単位電極４２に対応した位置を発生したプラズマにより処理するよう構成されている。 （もっと読む）