本発明は基本的には、バッキングプレートにガス供給源から離れた位置で 接続されるＲＦ電源を有するプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む。ガスを前記処理チャンバに、前記ＲＦ電源から離れた位置で供給することにより、前記処理チャンバに至るガスチューブ内での寄生プラズマの発生を低減することができる。前記ガスは、前記チャンバに複数の位置で供給することができる。各位置では、前記ガスは、前記処理チャンバに前記ガス供給源から、リモートプラズマ源だけでなくＲＦ絞り部またはＲＦ抵抗部を通過させることにより供給することができる。
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【課題】触媒化学気相堆積法（Ｃａｔ−ＣＶＤ＝Ｃａｔａｌｙｔｉｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）において、触媒体の変性防止法及びそれを用いた触媒化学気相堆積装置を提供する。
【解決手段】触媒体を固定する部分等、触媒体が他の物質と接触することで熱がその物質に伝導し、触媒体の温度が他の部分より低下する部分が、その温度低下が原因となって他の部分とは異なる変性をすることを防止するため、触媒体の温度低下部分のみをその変性が起きにくい化合物または混合物とする。上記の触媒体を固定する部分が、固定電極部分でその固定部分がキャップ２２で覆われ、そのキャップ内を触媒体とは反応しないガス２６を充満させる構造にした装置。上記の装置における原料ガスがシリコン系である場合はシリサイド化を防止するために、触媒体をシリコン以外の他の元素を含む化合物または混合物とした装置。 （もっと読む）

【課題】通常困難であるとされている真空装置中の水成分を除去し、真空装置中の清浄度およびベース真空度を格段に向上させる手段、方法を実現する。
【解決手段】開閉可能な真空容器２と、真空容器２内に設けられたプラズマ発生装置と、排気装置５を備え、プラズマ発生装置は、アノード電極６と、電力投入電極７と、アノード電極と電力投入電極間に高周波電圧を印加する高周波電源８と、アノード電極６を加熱する加熱装置とを備え、加熱装置は、アノード電極６を加熱することにより、真空容器２内の水成分を抽出し、前記排気装置５により真空容器２外に除去可能とし、アノード電極の加熱温度は、１００℃以上である。 （もっと読む）

【課題】膜の移動度を高め高周波電力をサセプタに印加する際、誘導磁場の発生をキャンセルする。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、処理容器内に設けられ、基板Ｇを載置するサセプタ１０５と、サセプタ１０５の同一円周上に設けられた３つの位置Ｐ１〜Ｐ３にてサセプタに接触する３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３と、３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３に接続され、３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３を介して３以上の位置Ｐ１〜Ｐ３からサセプタ１０５に高周波電力を供給する高周波電源１３０とを含む。サセプタ１０５の同一円周上の３つの位置Ｐにてサセプタ１０５に３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３を接触させる。３本の給電線Ｂ１〜Ｂ３に高周波電源１３０を接続し、高周波電源１３０から出力された高周波電力を３本の給電線Ｂを介して３つの位置Ｐ１〜Ｐ３からサセプタ１０５に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板と電極との間の間隔を可変として、基板を移載する移載具の挿入を可能にする基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための複数の電極２１９ｄと、複数の電極支持部２１９ｃを多段に有し、基板外周部を載置させて基板２００を支持する複数の基板支持部２１８ｃを多段に有する複数の基板支持部材と、前記複数の電極支持部材と前記複数の基板支持部材とを、前記電極支持部２１９ｃ，２１９ｃ間のピッチ内で相対的に上下動させることにより、隣接する基板支持部２１８ｃと電極２１９ｄとの間で基板２００を移載させる昇降装置であって、その相対的な上下動により、各基板支持部２１８ｃを電極支持部２１９ｃの上方の基板載置位置に移動させて、各基板支持部２１８ｃ下に、基板支持部２１８ｃとの間で基板２００を移載する移載具の挿入スペースＡを形成させる昇降装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保護膜中に含まれる金属コンタミネーションを低減する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の上に密着層２、軟磁性層３、中間層４、Ｒｕ中間層５、グラニュラー磁気記録層６、Ｃｏ合金キャップ層７、ＤＬＣ保護膜８を有する。Ｃｏ合金キャップ層７まで積層した基板１を保護膜形成室２１に搬入する（ステップ１０２）。保護膜形成室２１は、ＲＦ電源から高周波電力が印加されるＲＦ電極２２を備えている。この電極２２に灰分５ｐｐｍ以下、且つかさ密度１.８ｇ/ｃｍ^３以上の一体物のグラファイト材を使用する。保護膜形成室２１に炭化水素ガスを導入し（ステップ１０４）、プラズマを誘引して保護膜８を形成する（ステップ１０８）。保護膜形成後、基板１を取り出し、保護膜形成室２１に酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるアッシングを行い、電極２２に堆積した硬質ＤＬＣ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。
【解決手段】所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部１４ａとこれに高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを有し、前記反応室２０１に多段に支持される複数の電極１４と、相対峙する電極１４，１４同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を、各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造装置におけるプラズマを用いる減圧気相成長装置に用いられるプロセスチューブ内に設置された電極の酸化、電極長の収縮等に起因するプラズマ室のプラズマ状態の変化によるウェーハの膜厚、面内均一性、さらにウェーハ間の面間均一性等の悪化を防ぎ、半導体製造時の歩留りを向上させる。
【解決手段】プラズマを用いる減圧気相成長装置を含む半導体装置の製造装置において、処理チャンバー４の周囲にヒータ６を設けると共に、前記処理チャンバー４の内部に保護管１１内に真空封止された導電性電極１２を設置した。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】マイクロ波が漏出せず、寿命の長い真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、導電性弾性部材（第一の弾性部材５５）を有しており、第一の弾性部材５５は弾性変形して接地電極膜３４と真空槽１２に密着するから、接触面積が高く、接地電極膜３４が真空槽１２に電気的に接続される。導電性シールド３３は接地電極膜３４と第一の弾性部材５５とを介して真空槽１２に電気的に接続される。従って、マイクロ波を放出する際、導電性シールド３３と貫通孔９内壁面との間の隙間で異常放電が起こらない。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、膜欠陥や特性ムラの少ない良好な堆積膜を高速で成膜できるようにし、電子写真感光体を用いた画像形成における黒点の発生などの画像欠陥の発生を抑制して画像特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、互いに離間して配置された第１導体２０Ａおよび第２導体２０Ｂのそれぞれに堆積膜形成対象物１０を支持させた状態で、堆積膜形成対象物１０を反応室３に収容する第１ステップと、反応室３を反応ガス雰囲気とする第２ステップと、第１導体２０Ａと第２導体２０Ｂとの間に、第１導２０Ａ体が第２導体２０Ｂよりも高電位となる状態と、第２導体２０Ｂが第１導体２０Ａよりも高電位となる状態とを交互に繰り返すようにパルス状の直流電圧を印加する第３ステップと、を含む、堆積膜形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにも両電極の間にガスを均一に供給することができ、かつ、両電極の厚みを薄く抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のチャンバー内に、アノード電極とカソード電極１２とが２組、対向状に配置されている。カソード電極１２はシャワープレートと裏板と中空室１７とを有している。シャワープレートに、中空室１７に導入されたガスを両電極の間に噴出させる第１ガス噴出孔１８が設けられている。裏板の下面（シャワープレートに対向する中空室内壁）の電極端面部に、外部からガスを導入するガス導入口３１が設けられている。中空室内壁に、中空室１７にガスを噴出させる第２ガス噴出孔３２と、ガス導入口３１から第２ガス噴出孔３２へガスを案内するガス案内部３３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は基板１１が載置される陽極１０２と、陽極１０２との間でプラズマを発生させる陰極１０３と、ステージ１０４と、ステージ１０４内に設置された冷却部２０１と、を備える。冷却部２０１の冷却ヘッド部２０１ａのステージ１０４と対向する面に、凹部２０１ｃが形成されることにより、冷却ヘッド部２０１ａの周縁部のみがステージ１０４に当接する。これにより基板１１は周辺領域から冷却され、基板の中心領域から周辺領域へと熱流を生じさせることができ、基板１１内に温度勾配を生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって成膜を行い、成膜済の基板をロール上に巻回する成膜において、成膜を停止することなく、基板への成膜中に電極のクリーニングを行なうことができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤによって成膜を行なう成膜部を、基板の搬送方向に、複数、配列して設けると共に、各成膜部に電極のクリーニング手段を設け、常に少なくとも１つの成膜部は、他の空間と気密に分離して成膜を停止した状態としておき、この停止状態の成膜部において、必要に応じて、クリーニング手段によって電極のクリーニングを行なうことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面が希土類元素を含む酸化物からなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】回転電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、パーティクルの発生を抑制することができ、しかも、パーティクルの混入がほとんどない高品質の薄膜を、高い成膜速度で成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜対象基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極に電力を供給することで、この回転電極と成膜対象基板との間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスの化学反応により成膜対象基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、回転電極の回転により回転電極の表面に引きずられて、間隙のプラズマ生成領域を、回転電極の表面に沿って移動する不活性ガスの流れを形成するために、回転電極の表面に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガスの流れと成膜対象基板との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理基板にパーティクルを付着させない可動機構によりプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバ１０の天井には、サセプタ１２と平行に向かい合って、石英隔壁板３４が水平に取り付けられ、この石英隔壁板３４の裏側（上方）に上部電極３６が配置されている。電極位置可変機構３８は、鉛直方向に延びるネジ軸４０の上端に結合されているステップモータ４２と、上部電極３６に一体結合され、かつネジ軸４０と螺合する可動ナット部４４とを有している。ステップモータ４２の回転方向および回転量により、上部電極３６の移動方向および移動量を制御し、上部電極３６の高さ位置ひいては上部電極３６とサセプタ１２との電極間距離を一定範囲内で連続的に可変できる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダ１０７の上部には、反応容器の上蓋（不図示）に接続される接続部２０２と、接続部２０２に対して回転可能に設けられた支軸２０３と、接続部２０２と支軸２０３との間に介在する摺動部２０６とを有する接続体２０１が設けられている。基体ホルダ１０７が反応容器の内部に設置されたとき、基体ホルダ１０７の下部は回転支持機構（不図示）を介して反応容器の底板（不図示）に電気的に接続される。一方、基体ホルダ１０７の上部は接続体２０１を介して反応容器の上蓋に電気的に接続され、摺動部２０６は接続部２０２によって反応容器の内部空間から隔てられる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置は、円筒状基板（不図示）の両端部がそれぞれ堆積膜形成装置の規準接地部である回転台（不図示）に電気的に接続されて接地されるように構成されている。円筒状基板の両端部のうちの少なくとも１つの端部と回転台との間にはインピーダンス調整部１４０が備えられている。インピーダンス調整部１４０は、絶縁性材料で構成された母材１４１と、円筒状基板の端部に導通させられる第１の導通部１４３と、回転台に導通させられる第２の導通部１４４と、両導通部１４３，１４４を電気的に接続する接続部１４２とを有する。 （もっと読む）