【課題】電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。この位置決め用孔Ｂにボルト７１を挿通することで、被覆電極３の位置決めが正確且つ容易に実現される。また、ボルト７１の頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３を配設した。これにより、頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３の弾性力による遊びを持たせることができ、被覆電極３が変形する余地を持たせることができる。従って、コイルばね７３を用いずに被覆電極３などを固定したときと比較して、被覆電極３の変形の不均一さが抑えられ、放電空間４の形状の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２外に配置された高周波電源から整合器１０ａ，１０ｂを介して真空処理室２内に配置された放電電極６に給電される高周波伝送路において、前記整合器１０ａ，１０ｂと前記放電電極６との間に略９０度の方向転換をして接続されている給電コネクタ９ａ，９ｂが配設された製膜装置１において、給電コネクタ９ａ，９ｂの方向転換が滑らかなＲ形状の屈曲部Ｒにより行われている。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４、１１５と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４、１１５から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率及び透過率、高調波成分の変動を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空装置における配線作業の作業効率を向上可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空装置の配線に用いるコネクタユニット１であって、当該真空装置本体２に着脱自在に装着可能な配線用基盤３と、配線用基盤３上に、装置側端子台４、第１の外部装置側端子台５Ａ、第２の外部装置側端子台５Ｂが設けられている。装置側端子台４、第１の外部装置側端子台５Ａ、第２の外部装置側端子台５Ｂは、複数の端子部４１、５１、５４を有し、当該端子部４１、５１、５４と電気的に接続され且つコネクタ付きケーブルと接続可能なコネクタ接続部を有する。装置側端子台４、第１の外部装置側端子台５Ａ、第２の外部装置側端子台５Ｂは、それぞれ着脱自在の端子間ケーブル４５によって端子部４１、５１、５４同士が電気的に接続可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置された複数組のカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、バッキングプレート３およびシャワープレート２から構成される。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６が形成されている。このため、シャワープレート２に加えられたプラズマの熱は、中間締結部６を介してバッキングプレート３に伝達され、カソード電極１０１の温度の均一性は向上する。よって、カソード電極１０１の反りや歪みは防止される。 （もっと読む）

本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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【課題】 撥水性に優れる撥水層を、真空排気やガス置換等を行うことなく、簡易な条件および装置で製造することができる撥水層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の撥水層の製造方法は、フッ素を含有する撥水層の製造方法であって、大気圧下、フッ素原子および水素原子を含むガス、ならびに不活性ガスを含むガス中において、プラズマ放電処理により、フッ素含有層を形成するフッ素含有層形成工程と、前記フッ素含有層の表面に溶剤を接触させる溶剤処理工程とを含み、前記フッ素含有層形成工程の前記ガス中の前記フッ素原子数（Ｘ）および前記水素原子数（Ｙ）の割合（Ｘ／Ｙ）が、８以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極部材により給電が行われることにより加熱される触媒体の接続部の放熱を効率よく行うことができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】電極棒５の下端には保持部材１２を介してフィラメント１５の上端部が接続されている。電極棒５のすり割り部１６にフィラメント１５を嵌合し、ナット部材１４を電極棒５に螺合することによりすり割り部１６を縮径し、電極棒５に対してフィラメント１５を面接触により接続し、電気接触抵抗を小さくして接触部が高温になりすぎることを抑制する。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ装置において、反応室の内部のヒータの設置の手間を軽減する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ装置のヒータ２０において、一対の電極２２ａ、２２ｂと、電極２２ａ、２２ｂを平行状態に相対向させ保持する枠体２３と、電極間２２ａ、２２ｂに張架された熱フィラメント２１により形成された加熱部と、電極２２ａの略下側に設けられた複数の係止部６０を備えた固定部２４と、電極２２ｂの略後方側に配置された複数の係止部７１を備えた可動部２５とを有する。加熱部は、１本のワイヤ状の熱フィラメント２１を、固定部２４の係止部６０と、可動部２５の係止部７１とに交互に架け渡し係止して電極間２２ａ、２２ｂにチドリ状に張架することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】均一の成膜を行い品質管理を図ることができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基板を収納する第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２との間に、前記第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２の一方から他方に向けて前記基板Ｓを送り出しながら前記基板Ｓの主面に複数種類の薄膜を選択的に形成する薄膜形成手段を配設し、前記薄膜の一層を形成する度に前記基板Ｓの送り出し方向を反転させると共に薄膜種類を変えて、前記複数種類の薄膜を前記主面に順次積層する薄膜製造方法において、前記帯状の基板Ｓに形成された薄膜を検出する検出部７Ａ，７Ｂを前記基板収納手段１，２に設け、該検出部７Ａ，７Ｂによって検出された薄膜の膜質を評価し、適切な電極間隔を演算する膜質評価演算部８を設け、この膜質評価演算部８の演算結果から電極間隔を電極間隔指令制御部９によって制御する。 （もっと読む）

ボトルや中空管などのようなプラスチック製または金属製の物体のような成形された物体の内側表面上に薄膜を室温で堆積するプラズマ系の堆積方法が開発された。本発明において、プラスチックボトルの内側表面上の均一な（ダイヤモンド状炭素ＤＬＣとも呼ばれる）水素化非晶質炭素膜が成功裏に堆積される。そのような製品の適用には、食品および薬品業界全体が挙げられる。飲料水、炭酸清涼飲料、ワイン、薬剤などの保管用の、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のボトルには大きな需要がある。しかし、より高い費用によって、それらの広範な使用が妨げられる。より安価な代替案は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のような化学的に不活性な材料で内側を被覆されたプラスチックボトルを使用することであり、商業的に実現可能となるであろう。発明者の方法は、大量生産用に規模を拡大されることができる。この方法は、金属の内側表面へのより良好な接着を有するＤＬＣ膜を得るために、（水素化非晶質ケイ素のような）中間層を形成する炭化物で金属製の棒または管の内側表面上を被覆するのにも使用されることができる。
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【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る、誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置の提供、そして、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。
【解決手段】本発明の誘電体被覆電極、すなわち、導電性の金属質母材を誘電体で被覆した角筒型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置を用いて薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性が良く、放電集中等の異常放電を低減させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板２０にプラズマ処理を行う処理室１０と、処理室１０の内部に配置され、基板２０を載置する接地電極１２と、ガス供給空間１４ｃを囲む空洞形状をなし、接地電極１２と対向した電極板１６がガス供給空間１４ｃからガスを噴出する複数のガス噴出孔１６ａ〜１６ｇを備え、処理室１０から外部に露出した電極本体１４ａが高周波電源２４に接続され、電極本体１４ａがガス供給空間１４ｃにガスを供給するガス供給孔１４ｄを有する空洞電極１８とを備える。ガス供給空間１４ｃに、ガス供給空間１４ｃの側壁部１４ｂから離間した中心部分Ａにおいて、電極板１６と電極本体１４ａとを電気的に接続するメッシュ状金属部材３０が収納されている。 （もっと読む）

プラズマ増強化学蒸着を利用して薄膜を製造する方法であって、基板領域に最高でも比較的低流束のプラズマ系アニオン種があるときに、カチオン種を基板領域に供給する工程及び基板領域に最高でも比較的低流束のカチオン種があるときに、基板領域にプラズマ系アニオン種を供給する工程を含む方法。これにより、ＰＥＣＶＤ及び／又はＲＰＥＣＶＤ系の膜成長システムにおいて、気体反応物の送出を時間的に分離でき、これらのプラズマ系膜成長技術のためにダスト粒子の形成を著しく低減する。
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【課題】主にカソード電極の放電面に付着した堆積物を残留させずに効率よく、かつ電極にダメージを与えることなく除去することができるプラズマクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】平板状のカソード電極１およびアノード電極２を平行に対向して内部に有するチャンバーＣ１内にクリーニングガスＧ２を導入し、カソード電極１とアノード電極２の間でクリーニングガスＧ２を介してプラズマ放電させ、プラズマ放電を維持しながらカソード電極１とアノード電極２の間の電極間距離を所定の電極間距離まで広げる方向にカソード電極１とアノード電極２を相対的に徐々に移動させる電極クリーニング工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜された膜厚を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出する複数のガス吹出口５が設けられ、ガス吹出口５は、千鳥状に配置され、電極板３１ａの端部には、成膜ガス６をプラズマ４０の生成部から排気するガス排気部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シワが発生していない状態の可撓性基板の表面に薄膜を良好な品質で成膜することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置１００は、可撓性基板２０に圧接される第二電極部材１２０の前面１２１は、長手方向と直交する断面形状が、中央ほど突出した円弧状の凸曲面に形成されている。このため、所定の張力が作用した状態で第二電極部材１２０に圧接される可撓性基板２０に長手方向と直交する方向にも張力が作用することになり、この方向にシワが発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面がアルミナと、希土類元素（ＲＥ）を含む酸化物とからなり、かつＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で６８質量％以上、９４質量％以下、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で６質量％以上、３２質量％以下含有するものからなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）