【課題】容易かつ高精度に膜硬度を計測する膜硬度計測方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】ＱＭＳ２０により、放電中のプラズマにおけるイオン種を計測し、計測された電流値からＨ＝１、Ｃ＝１２という事実を用いてイオン種の質量と定義し、この質量を、水素流量比０、パルス周波数２０ｋＨｚという条件での値で除することでイオン種の総質量比として算出した。上記水素流量比及びパルス周波数の条件下でＤＬＣ膜が生成されると、チャンバ１１内を大気圧に戻し、この生成されたＤＬＣ膜に対して、ラマン分光分析装置３０によりレーザー光を照射し、散乱したラマン散乱光を検出することで生成膜中の規則性六員環の多さを示すＤピークとＧピークの積分強度比Ｉ_D／Ｉ_Gを算出した。生成された各々のＤＬＣ膜の硬度を、ＱＭＳ２０により算出されたイオン種の総質量比と、ラマン分光分析装置３０により算出された積分強度比と、に基づいて計測した。 （もっと読む）

【課題】装置コストを抑制しつつ、電力印加部に付着する反応副生成物の量を大幅に減らし、優れた品質の薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室５内で高周波電力を印加して基板１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１００において、基板１と対面する位置に電力印加部２０が配置され、電力印加部２０の成膜室５側に電力印加電極２１が設けられ、電力印加部２０に電力を供給する給電線が接続され、電力印加部２０は、真空室１３の壁体１５と接続された支持体５７に固定された枠体５４に絶縁されて固定され、電力印加部２０と枠体５４との間に絶縁性及びシール性の間隔材５３が配設され、電力印加部２０に加熱手段のヒーター３１〜３３が設けられ、これらヒーターと電力供給手段３４との間に、給電線より供給される電力をカットする高周波カットフィルター３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電極板の表面温度を正確に測定して、プラズマ処理の品質を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置内で電極板３の背面に接触状態に配置される冷却板１４であって、電極板３に接触される前面１４ａと、その反対側の背部と、背部側から前面側に向かって形成された穴部２０と、赤外線透過防止膜２１とを備え、穴部は、背部側に位置する開口部２０ａと、前面側に位置し穴部２０内に露出された底面とを有し、赤外線透過防止膜２１は、その両表面がそれぞれ、前面の少なくとも一部と、底面とを構成し、底面が粗面２１ａとされている。 （もっと読む）

【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される２組または２対のコイル５４(1），５４(2)を有している。高周波給電ライン６２の終端部と内側および外側コイルセグメント５６Ａ，５６Ｂの両端部との間に第１のスイッチ回路網６４が設けられている。ＲＦアース線６６の始端と内側および外側コイルセグメント５８Ａ，５８Ｂの両端部との間に第２のスイッチ回路網６８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１が載置されたチャンバ４内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板１１の周囲からチャンバ４内のアノード１に向けて電子を放出させてチャンバ４内にプラズマ１４を発生させ、基板１１上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマＣＶＤでは、成膜レートがプラズマギャップ（電極−成膜用基板間距離）に非常に敏感である。１ｍ角を越える大型基板に大気圧プラズマＣＶＤで薄膜を形成する場合、基板のうねり等のために電極−成膜用基板間距離が変動すると、成膜レート、膜厚が変動し、それによって太陽電池の出力が変動するしてしまう。
【解決手段】
大気圧プラズマＣＶＤ装置において、ガス供給手段で電極とテーブルとの間に大気圧中でＣＶＤ原料ガスを供給しながら電極とテーブルとの間に大気圧中で高周波電力を印加することにより電極と試料との間にプラズマを発生させた状態で駆動手段で電極をテーブル手段に沿って移動させている間に電極とテーブルとの両方を制御して電極とテーブルとの間隔を制御することにより、基板にうねりがあっても基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理用電極を一定の温度範囲に保持するとともに、効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】アノード電極７の内部には、被処理用基板５を加熱する加熱部が設けられている。加熱部は、互いに並列状に設けられた棒状ヒータ３１からなる。アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却する管状冷却部３２も設けられている。冷却部３２は、それぞれのヒータ３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体を流通させた後に外部へ排出することのできる冷却管３２からなる。冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。また、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。 （もっと読む）

【課題】平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の誘電体からなる基材１０５ａと、開口部を有し、基材１０５ａを覆う導電性カバー１０５ｂと、基材１０５ａとプラズマとの間に設けられた金属の第１の抵抗体１０５ｄと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の堆積による不都合、特に膜厚の不均一、異常放電の発生を簡単な構成で解消する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、ガス供給機構７およびガス排気機構９に連結した真空チャンバ３内に平行平板電極５を備え、この平行平板電極５は、マッチングボックスＭＢを介して交流電源ＰＳに接続された高周波電極５Ａと接地された対向電極５Ｂから構成される。製品の成膜処理により平行平板電極５の表面に堆積した絶縁物１１を導電膜１５で覆って導電化するメンテナンスを行う。これは、基板ホルダ（対向電極）５Ｂ上に基板が無い状態で導電膜、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜または屈折率２．３以上のＳｉＮ膜を成膜することにより行う。その後、基板の成膜処理を行うことで、均一な膜厚の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

本発明は、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が、電気的に正又は負のイオンの形態のプラズマ中に発生される化学種が、処理室に導入されかつ少なくとも二つの電極の間に置かれるターゲット基板によって選択的に誘引され、対応する電荷を持つ電極によって反発されるように、二次回路に直列に挿入されることを特徴とする装置に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板に、導電性の制御された半導体膜を成膜する半導体膜の成膜方法を得ること。
【解決手段】ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータを支持するブースバーと電極の接合面への反応ガスの侵入を抑えることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ヒータ１２１への給電をする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８と、ブースバー１２３に固設されてブースバー１２３と電極棒１０８とを接続し、電極棒１０８とともに電極１０７を構成する連結部材１２４とを有し、電極棒１０８の下部開口部からパージガス１１７を供給して、電極棒１０８上部開口部と、それに連続するブースバー１２３と連結部材１２４との接合面間にある隙間構造１３１にパージガス１１７を通しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を均一な厚みで形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この原料の気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄの表面に加速照射するときに、マグネット１０９によって成膜室１０１内の励起空間に磁場を印加すると共に、この励起空間の周囲に配置されたマグネット１０９を周方向に回転させながら、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を管状にし、この電極内の空間に冷却液を流して電極を冷却する際、上記電極内空間にガス溜まりが形成されるのを防止し、冷却効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１の太い管状の第１電極１０の軸方向をほぼ水平に向け、その上側又は下側に第２電極２０を配置し、両電極１０，２０間に放電空間４２を形成する。冷却液を第１電極１０に供給又は排出する細い給排管３２，３４を第１電極１０に接続する。給排管３２，３４のうち少なくとも排出管３４の管内空間３４ａと第１電極内空間３３との連通部３４ｂを、第１電極１０の上側管壁１１の内面の近傍に配置する。 （もっと読む）