【課題】基板に成膜された膜厚を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出する複数のガス吹出口５が設けられ、ガス吹出口５は、千鳥状に配置され、電極板３１ａの端部には、成膜ガス６をプラズマ４０の生成部から排気するガス排気部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シワが発生していない状態の可撓性基板の表面に薄膜を良好な品質で成膜することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置１００は、可撓性基板２０に圧接される第二電極部材１２０の前面１２１は、長手方向と直交する断面形状が、中央ほど突出した円弧状の凸曲面に形成されている。このため、所定の張力が作用した状態で第二電極部材１２０に圧接される可撓性基板２０に長手方向と直交する方向にも張力が作用することになり、この方向にシワが発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一化を効率的に達成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極３８の主面に配設された誘電体９０は、処理容器内に配置される基板と同心状になるように前記電極３８の中心に形成され、前記基板の口径の１／１０以上の第１の直径および第１一定厚さを有する平坦な第１部分と、前記第１部分よりも外側に形成され且つ前記第１の直径よりも大きい第２の直径および前記第１一定厚さよりも小さい第２一定厚さを有する平坦な第２の部分とを含み、前記被処理基板に対する均一な処理を得るための理想的な膜厚プロファイルに擬した膜厚プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】放電空間が１つのチャンバー内に複数あり、それぞれの電極に均等に電力を導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器としての密封可能なチャンバー３があり、その内部中央に、１つのアノード電極４がチャンバー３の底面に対して略垂直に配置されている。アノード電極４の左右両面には、被処理物であるガラス基板１，１が配置されている。カソード電極２，２へは、１個のプラズマ励起電源８により電力が供給される。電源８とチャンバー３との間には、カソード・アノード電極２，４および電源８の間のインピーダンスを整合する１個のマッチングボックス７が配設されている。電源８とマッチングボックス７とは１本の電力導入線１０で接続されている。電力導入線１０は、マッチングボックス７からカソード電極２までの間で２本に分岐され、分岐された部分からは対称に延びている。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマＣＶＤ装置のシャワー電極の製造において、シャワー電極の小径のシャワー穴を、均質で且つ低い加工コストで形成する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置のシャワー電極にシャワー穴を形成する方法において、シャワー穴の目標とする目標穴径、シャワー電極用の電極材に物理的な除去加工で形成する加工穴径、および電極材の溶射による成膜の膜厚の各寸法を、溶射膜の厚さ方向と面方向との成長量の関係に基づいて定める第１の工程と、物理的な除去加工によって、シャワー電極用の電極材に目標穴径よりも大きな加工穴径の開口部を形成する第２の工程と、第１の工程によって開口部が形成された電極材に対して、電極材の少なくとも一方の表面に金属を溶射し、この溶射によって電極材の一方の表面上および開口部の内縁部から穴の中心に向かって溶射膜を形成する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、プラズマを使用して基板を処理するための方法および装置に関する。より詳しくは、本発明の実施形態は、複数のＲＦ帰還用ストラップに連結された電極を有するプラズマ処理用チャンバを提供し、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、処理中にプラズマ分布を調整するように設定されるおよび／または調節される。一実施形態では、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、ＲＦ帰還用ストラップの長さを変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの幅を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの間隔を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの場所を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップにコンデンサを付加することによってか、またはこれらの組み合わせによって変わる。
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【課題】放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を積層載置して処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、高周波電力が印加されることにより前記処理室内に供給されたガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記電極の形状変化を監視する監視機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置５９は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、をずらす。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、プラズマ放電電流の帰路を電極に近接した位置に確保し、良好な成膜状態を施すことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】減圧可能な容器２内に所定間隔を保って配設された一対の電極３，４間のプラズマ放電によって帯状フィルム６に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、前記帯状フィルム６を巻装した送出ロール１２から引き出した前記帯状フィルム６を前記一対の電極３，４間を通って巻取ロール１７に巻き取る搬送機構９を備えると共に、前記帯状フィルム６を前記一対の電極３，４間で成膜処理する際に、当該一対の電極３，４の周囲で当該帯状フィルム６の側縁部に接触するようにアースシールド５を配置し、該アースシールド５を前記容器２にアースしている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中のアークを減少する為の、改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１態様において、プラズマ処理中に使用する為の方法が提供される。第１の方法は、（１）プラズマチャンバの基板ホルダに基板を配置するステップ；（２）その基板の周囲付近の下にカバーフレームを位置決めするステップ；（３）そのカバーフレームを使用してプラズマチャンバ内でプラズマ処理中のアークを減少させるステップ；を含む。数多くの他の態様が提供される。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板と接地電極の密着性を向上させ、又、基板処理において、プラズマを安定に発生させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の電極棒が梯子状に組み立てられた構成を有する放電電極１７と、放電電極１７と対向するように配置された接地電極１３と、放電電極１７の接地電極１３と反対側に放電電極１７を覆うように配置された防着板１８と、防着板１８から接地電極１３の方向へ延びるように形成された基板押さえ棒５０とを具備し、基板１６は、放電電極１７に対向するように接地電極１３により支持され、基板押さえ棒５０は、基板１６の端部を接地電極１３に押さえ付け、放電電極１７と接地電極１３の間の領域にプラズマを発生させることにより基板１６に半導体膜を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】占拠床面積を減少しつつウエハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ２００を保持して待機室と処理室との間を移動するボート２１７と、待機室に設置されボートに複数枚のウエハを一括して授受する授受装置５０と、授受装置にウエハを移載するウエハ移載機構１２５とを備えた基板処理装置において、ボートにウエハをそれぞれ載置する載置面を複数設け、授受装置にはロータリーアクチュエータ５３を設け、ロータリーアクチュエータの回転台５５には支柱５６を垂直に立設し、支柱には載置面外周を半分取り囲む形状の支持部５７を載置面と同数設ける。 （もっと読む）

【課題】 電極と接地を絶縁する絶縁体の熱膨張が改善された誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容するチャンバーと、前記基板を支持し、電源が印加されるサセプタと、前記チャンバーによって支持され、前記サセプタを支持する支持台と、前記サセプタと前記支持台との間に配置され、前記サセプタと前記支持台を絶縁する絶縁体とを備えており、前記絶縁体は少なくとも二つ以上に分離されて形成されることを特徴とするプラズマ発生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して単一装置で複数のプラズマ処理を連続で行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワークＷをプラズマ処理する処理部に臨み、ワークＷがセットされるアース電極部６と、放電パターンの異なる複数の印加電極部３と、複数の印加電極部３を、処理部２に選択的に臨ませる電極搬送テーブル５と、処理部２にプロセスガスを供給するガス供給部１１と、印加電極部３に電力を供給する電源部９と、処理部２に臨んだ各印加電極部３に電源部９を断続させる断続手段と、を備える。 （もっと読む）