【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、この一対の支柱７５ａ、７５ｂに懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する一対の延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。調整部材７８は、電極棒５１、５２の長手方向に降下して、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の厚み及び膜質の均一性を十分に図りつつ、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの煩雑化を抑えて、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの作業時間を大幅に短縮することができる。
【解決手段】
導電材料により構成された断面円形状の電極棒３７と、電極棒３７の外側に囲むように設けられかつ誘電材料により構成された断面環状の外筒３９と、を備え、電極棒３７の外周面及び外筒３９の内周面のうちの少なくともいずれかに溝４５又は４７が形成され、溝４５又は４７が電極棒３７の基端側から先端側にかけて連続して延びていること。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材６１，６２を備えている一対の成膜ロール３１，３２と、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、基材の表面の第二の部分とが対向するように基材を成膜ロールに巻き掛けた状態で基材を搬送しながら、成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、磁場発生部材により成膜空間に磁場を発生させ、成膜ロール間にプラズマ電源により放電プラズマを発生させ、基材上に連続的に薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させずに、微細な素子間への埋め込みを行う窒化珪素膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に窒化珪素膜を形成する際、窒化珪素膜を形成するための原料ガス（ＳｉＨ₄等）を供給し、当該原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜を成膜する成膜工程を実施し、成膜工程の後、希ガスのみを供給し、基板へバイアスを印加し、希ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜をバイアススパッタするスパッタ工程を実施すると共に、成膜工程及びスパッタ工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有し、さらに珪素以外の半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる元素を少なくとも１種以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができ、処理室内のプラズマ密度を均一化して基板に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷに所定のプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、ウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられた上部電極板３０ａと、サセプタ１２及び上部電極３０ａの一方に高周波電力を印加して処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源２０と、処理空間Ｓに対向する内壁構成部材と、を有し、処理空間Ｓの周辺部に対向する上部電極３０ａにホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられ、ホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられた上部電極３０ａはシース電圧調整用の直流電源３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内に備わっている平行平板電極表面の堆積物を、Ｆ_２あるいはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いて、反応チャンバー内の材質に損傷を与えることなく除去する方法を提供することである。
【解決手段】 平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内にあるプラズマを発生させる平行平板電極表面に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、または金属含有物を、Ｆ_２またはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いてプラズマを発生させることにより除去する方法において、該クリーニングガスの存在下で印加電力密度が０．０５Ｗ／ｃｍ^２以上０．５Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内のプラズマを発生させて該堆積物を除去することを特徴とする、平行平板電極のプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置されたカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、互いの間にバッファ室４を構成するバッキングプレート３とシャワープレート２とを備えている。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６および外周締結部７が形成されており、バッキングプレート３の熱容量に対するシャワープレート２の熱容量の比は１／２以上である。このため、プラズマ発生時において、シャワープレート２とバッキングプレート３との温度差の過渡的な変化が抑制され、カソード電極１０１の反りや歪みが抑制される。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の温度分布の温度勾配を少ない状態に保ち、高周波電極の歪みを抑制する。また、プラズマＣＶＤ成膜装置のメンテナンスにおいて、メンテナンス操作を簡易なものとし、メンテナンスに要する時間を短縮する。
【解決手段】高周波電極の熱放射の放射効率を高めることによって高周波電極を冷却し、これによって高周波電極に温度分布の均一性を向上させる。本発明の高周波電極は、放電面と反対側の背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施し、背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施すことによって、高周波電極の熱放射による冷却効率を高める。熱放射は高周波電極から一様に行われるため、高周波電極は一様に冷却され、高周波電極の温度分布は均一となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、上部電極に供給する電力が高周波である場合の上部電極の表面における電力の伝播を安定なものとする。
【解決手段】上部電極と下部電極が対向してチャンバー内に備えられたプラズマ処理装置における、該上部電極と該上部電極を覆うチャンバー壁の間（同軸管内）の雰囲気を、陽圧の不活性ガス雰囲気とし、前記上部電極と前記上部電極を覆う前記チャンバー壁は同軸形状とする。前記上部電極には整合器が電気的に接続されていることが好ましい。また、前記不活性ガス雰囲気は冷却されていることが好ましい。 （もっと読む）

薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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シリコン系薄膜太陽電池のための可動治具は、平行電極板（２０３、２０８）、支持フレームおよび信号給電アセンブリ（２０１）を含む。支持フレームが可動フレームであり、その側部フレーム（２１６）が接地される。擾乱を防ぐため、治具上または治具アレイ間にシールド装置が設けられる。信号給電アセンブリが導体であり、その中間部分およびヘッド部分がラダー円筒を形成し、信号給電アセンブリの一つの端部表面（２０１−１）が三角であり、電極板のカソード板（２０３）の背面表面の中心領域でくぼんだ三角給電ポート（２０３−１）と表面接触および接続することができ、高周波／超短波電源信号を給電することができる。電極板の中心における表面給電の方式により、一点給電または多点給電方式のフィーダ距離によって生じる消費を低減することができ、均一な電界の大面積の安定した放電を得ることができ、生産効率を増大し、コストを減少させることができる。
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【課題】 誘導結合型マイクロプラズマは、高密度プラズマが得られるが点灯が難しい問題があった。電離開始に必要な初期電子を発生させる、内部にイグナイター機構を加える方法が知られているが、専用電源を新たに用意すること、電極製作、電極と電源間の結線を必要とするため、小型化をも阻害する。
【解決手段】 誘導結合型マイクロプラズマ源のガス流路内部に、浮遊電極を用意する。マイクロプラズマの励起に誘導結合を利用しているため、特別の結線を施すことなく、浮遊電極にエネルギーを供給することができる。この電極から、電離開始に必要な初期電子を発生させることができる。浮遊電極周辺からガスの電離が促進され、点灯が容易になると同時に、より省電力でプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）