【課題】
ＶＨＦあるいはＵＨＦプラズマのＣＶＤ及びエッチング等基板の表面処理への応用において、超高周波特有の定在波の影響を抑制することにより、大面積・均一のプラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
基板の法線方向に電界を有する電磁波の定在波の腹の位置が異なる２つの定在波を発生させ、それらを重畳させる手段を備え、かつ、該２つの定在波の腹の位置を制御することを特徴とする大面積・均一プラズマの発生が可能な高周波プラズマ発生装置、該装置により構成されたプラズマ表面処理装置及び表面処理方法。 （もっと読む）

プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室（１）内で行われ、前記真空室には、陰極（１０）及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極（１３）から構成されている、低電圧アーク放電（１５）（ＮＶＢＥ）を発生させるための装置と、ワークピース（２）を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器（１６）に接続可能なワークピースキャリア（７）と、少なくとも１つの不活性ガス及び／又は反応性ガスのための供給口（８）と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
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【課題】大面積基板にプラズマを利用したＣＶＤによりＴＥＯＳを用いてシリコン酸化膜を成膜する場合、パーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止し、基板近傍でのプラズマ分布を良好にする。
【解決手段】真空容器１２内でプラズマを生成して活性種（ラジカル）を発生させ、この活性種と材料ガスで基板１１に成膜処理を行う装置であり、複数の孔２２が形成された隔壁板１５を設けて真空容器の内部をプラズマ生成空間１６と成膜処理空間１７に分け、材料ガスは、プラズマ生成空間と隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の通路を通して成膜処理空間に直接に導入され、プラズマ生成空間で生成された活性種は、隔壁板に形成された複数の孔を通して成膜処理空間に導入される。 （もっと読む）

【課題】放電による熱応力が生じても放電ギャップの厚さを維持可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一方向に延びる第１電極２１を電源３に接続し、この電極２１と被処理物配置部２との間に電気的に接地された第２電極２２を配置する。第１電極２１の電極２２を向く面に第１誘電部材３１を被せ、第２電極２２の電極２１を向く面に第２誘電部材３２を被せる。誘電部材３２の長手方向の中間部に凸部４１を一体形成または接合手段にて接合する。 （もっと読む）

【課題】直流プラズマＣＶＤ装置において、良好に成膜する。
【解決手段】内周に等間隔に複数の噴出口を持つリングノズル２２を、チャンバー１０内の陽極１１ａと陰極１３と間にできる陽光柱ＰＣの最高点よりも高く、陰極１３の上端面よりも低い位置に配置し、リングノズル２２から反応ガスを水平に噴出させる。また、陽極１１ａを載置したステージ１１の周りに均等に配置された排気用管路２０から反応ガスを排気する。これにより、反応ガスが基板１の表面に均等に供給され、良好に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによる成膜と、蒸発源を用いる成膜とを、成膜空間を大気圧に開放することなく、連続して行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料８ａが充填される坩堝８ｂの開口には、開閉可能な遮蔽部材８ｃが配置され、遮蔽部材８ｃは、プラズマ源２の陽極を兼用する。これにより、プラズマＣＶＤ工程では、陽極を兼用する遮蔽部材８ｃによって蒸発材料８ａを遮蔽することができるため、蒸発材料８ａに膜が付着しない。また、遮蔽部材８ｃを陽極とすることにより、遮蔽部材８ｃがプラズマの放電に影響を与えない。また、遮蔽部材８ｃを開放し、蒸発材料８ａを蒸発させて蒸着工程を行うことができる。遮蔽部材８ｃがプラズマ５ａで加熱されるため、遮蔽部材８ｃの内側に付着する蒸発物を蒸発させて除去することも可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の構成の簡素化を図る。
【解決手段】電極ユニット１０の電極１１の放電生成面１１ａにホルダ３０の放電側板部３１ａが被さり、電極１１の処理側面１１ｃに処理側板部３１ｃが被さる。放電側板部３１ａと処理側板部３１ｃとは、略同じ厚さになっている。処理側板部３１ｃに被処理物対向板２０が被さっている。被処理物対向板２０は、処理側板部３１ｃより厚肉になっている。 （もっと読む）

【課題】 製膜速度を増加させてもＳｉＨ_２／ＳｉＨ比が高くならず、膜質の悪化を防いで高い生産性を得ることができる真空処理方法及び真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 減圧環境とされる製膜室６内に設置された基板８を均熱板（加熱手段）５によって加熱した状態にし、前記基板８に対向して配置された放電電極３に対して給電することにより基板８へ製膜を施す真空処理方法において、基板８と放電電極３の温度差を３０℃以下とした状態で製膜する。さらに、基板８と放電電極３間を７．５ｍｍ以下として製膜を行なってもよい。 （もっと読む）

【課題】 製膜特性を容易に調整し、かつ、各製膜室における製膜特性の差の発生を抑制するとともに、設備コストの低減を図ることができる真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法を提供する。
【解決手段】 電源部１７ａから高周波電力が両端部５３に供給され、基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈと、複数の放電電極３ａ〜３ｈに供給される高周波電力の位相および振幅を、両端部５３のそれぞれにおいて調節する複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔと、を備え、複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔのインピーダンスが略同一な値に設定され、インピーダンスの値は、複数の放電電極３ａ〜３ｈのうちの一の放電電極における電源部１７ａへの反射電力が略最小になる値であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、概して、プラズマ化学気相蒸着装置において使用するためのバッキングプレート強化装置を含む。大面積基板を処理する際、チャンバ全体に拡がるバッキングプレートも極めて大型となる。バッキングプレートの中央領域をフレーム構造で支持することにより、バッキングプレートを実質的な平面に維持する。あるいは、必要に応じて、バッキングプレートの外形を処理の特定のニーズに合わせて調節する。
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基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法が開示される。一実施形態は、基板を提供するステップと、電磁放射を放出するように構成された複数のソースを提供するステップと、複数のソースのうちの第１ソースへ第１の量の電力を提供するステップと、複数のソースのうちの第２ソースへ第２の量の電力を提供するステップとを備え、基板上での膜の堆積を制御するように第１の量の電力と第２の量の電力が異なるものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を含む処理ヘッドにおける樹脂ボルトの損傷を防止し、メンテナンスの容易化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの処理ヘッド２０の電極２３をはじめとするヘッド構成部材２１〜２３を、樹脂製のボルト３０で連結する。樹脂ボルト３０の頭部３１に被覆材４０を被せる。被覆材４０は、ボルト頭部３１への取り付け時に流動性を有し、取り付け後剥離可能に粘着し硬化し、単独で取り外し可能である。被覆材４０は、好ましくはビニルポリシロキサンで構成されている。 （もっと読む）

プラズマ処理装置、及び基板表面の処理方法。処理空間（５）を有し、処理空間（５）において、大気圧プラズマを発生させるために、第一電極（２）、第二電極（３）及び第一電極（２）と第二電極（３）とに接続したパワーサプライ（１１）を含む、誘電体バリア放電電極構造を提供する。プラズマ処理装置は、少なくとも第一電極（２）の表面に提供された磁気層（６）をさらに備える。第一電極（２）は、作動中に、処理される基板（１）、及び基板（１）と接触し、磁気層と相互作用するマスクデバイス（７）を支えるように配置される。
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【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 （もっと読む）

【課題】処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体１の容量結合によって誘電体１に配設された２極の電極２，３間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、電極２，３から誘電体１側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がなく、処理可能なワークＷが制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がないので、両電極２，３を配設した誘電体１にワークＷを近接させることができ、処理効率を向上させることができる。 （もっと読む）

プラズマスプレーの装置および方法が開示されている。この装置は、カソードと、アノードと、アノードおよび中間電極によって形成されたプラズマチャネルと、１台以上の流動性材料インジェクタとを備える。プラズマチャネルは、プラズマチャネルを、少なくとも１個の中間電極により形成されたカソード付近の高圧部と、アノード付近の低圧部とに分割する絞り部を有する。動作中に、プラズマ生成ガスは、カソードとアノードとの間に保持されたアークによって加熱され、プラズマを形成する。プラズマが絞り部を通過するとき、プラズマの速度は超音速に増加し、同時にプラズマの静圧が減少する。流動性材料は低圧部内のプラズマ流に注入される。流動性材料中の粒子はプラズマによって加熱され、結果として生じる加熱粒子およびプラズマはプラズマチャネルの出口から出力される。 （もっと読む）

【課題】幅の広い基板に対して一様なプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置の提供。
【解決手段】被処理基板２０の搬送方向に直交する方向に配列された複数の細長い電極対（図上、上部電極１ａのみ示す）を備え、各電極対は電極の両端部に近づくほど大きくなるギャップを有し、複数の電極対は、それぞれが（図上、右）先端部と（図上、左）後端部を有する第１、第２および第３電極対からなり、第１電極対の（右）先端部が前記搬送方向から見て第２電極対の（左）後端部に重なり、第２電極対の（右）先端部が前記搬送方向から見て第３電極対の（左）後端部に重なるように配列される。 （もっと読む）

【課題】フィルムの成膜途中のフィルムに影響を与えることなくセルフクリーニングを実行することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置２０は、成膜部２３Ａに隣接して高周波電極３３のプラズマクリーニングを行うクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２が配置されているとともに、成膜部２３Ａとクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２との間において高周波電極３３を移動させる移動手段を備えることで、成膜部２３Ａにおいて使用した高周波電極３３をクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２に移動させて当該高周波電極３３のプラズマクリーニングを行うようにしている。これにより、成膜部２３Ａに滞在するフィルムＦを汚染することなく高周波電極３３のプラズマクリーニングを実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、電極装置２０が複数の基板電極２１ａ〜２１ｄを有しており、各基板電極２１ａ〜２１ｄの間と表面は絶縁部材（誘電体）２６で覆われている。各基板電極２１ａ〜２１ｄにはバイアス電源３０からそれぞれ異なる位相の交流電圧が印加されるように構成されており、プラズマ中の正電荷を有する原料ガスのイオンが、基板電極２１ａ〜２１ｄ毎に異なる位相で処理対象物７に引き付けられるから、バイアス電源３０のピーク電流が小さくて済む。本発明の真空処理装置１を用いれば、大面積の処理対象物７にも、面内膜厚分布の均一性が高い薄膜が成長される。 （もっと読む）