【課題】
ＶＨＦあるいはＵＨＦプラズマのＣＶＤ及びエッチング等基板の表面処理への応用において、超高周波特有の定在波の影響を抑制することにより、大面積・均一のプラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
基板の法線方向に電界を有する電磁波の定在波の腹の位置が異なる２つの定在波を発生させ、それらを重畳させる手段を備え、かつ、該２つの定在波の腹の位置を制御することを特徴とする大面積・均一プラズマの発生が可能な高周波プラズマ発生装置、該装置により構成されたプラズマ表面処理装置及び表面処理方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、該真空容器内のガスを排気する排気系と、該真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、該放電用ガスをプラズマ化する一対の電極と、該一対の電極に周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電力を供給する高周波電力供給系と、基板が設置される基板支持台とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられる高周波プラズマ発生装置であって、前記一対の電極には、互いに独立の関係にある第１及び第２の定在波を重畳して発生させ、且つ、該第１の定在波の腹の位置と該第２の定在波の腹の位置の距離を該一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長の四分の一に設定する高周波電力供給系が接続されていることを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項２】
前記第１の定在波の腹の位置と前記第２の定在波の腹の位置との距離が、前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、即ち０．２２〜０．２８λに設定する手段を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項３】
真空容器と、該真空容器内のガスを排気する排気系と、該真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、該放電用ガスをプラズマ化する一対の電極と、該一対の電極に周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電力を供給する高周波電力供給系と、基板が設置される基板支持台とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置において、前記プラズマ表面処理装置を構成するプラズマ発生源として、請求項１あるいは２のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置が用いられることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項４】
真空容器と、該真空容器内のガスを排気する排気系と、該真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、該放電用ガスをプラズマ化する一対の電極と、該一対の電極に周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電力を供給する高周波電力供給系と、基板が設置される基板支持台とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置を用いて、基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、請求項１あるいは２のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記基板の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ表面処理方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【公開番号】特開２００８−３１１６６９（Ｐ２００８−３１１６６９Ａ）
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７７５３６（Ｐ２００８−１７７５３６）
【出願日】平成２０年７月８日（２００８．７．８）
【分割の表示】特願２００５−１６４４４（Ｐ２００５−１６４４４）の分割
【原出願日】平成１７年１月２５日（２００５．１．２５）
【出願人】（３０３０３４９０８）
【Ｆターム（参考）】