【課題】 大面積基板に良好な薄膜が形成可能で設置床面積の小さい薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 反応容器１１内に配置された高周波電圧印加電極１２と接地電極１３の間に高周波電圧を印加して放電を発生させ、原料ガスを分解、反応させて薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置１０において、高周波電圧印加電極１２を、接続部１７で電気接続された第１，第２，第３の電極板１２ａ，１２ｂ，１２ｃで構成する。高周波電圧印加電極１２への給電は、第１の電極板１２ａに行う。給電が行われた第１の電極板１２ａに高周波電力のアンバランスが生じても、それが第２，第３の電極板１２ｂ，１２ｃへと伝播する段階でそのアンバランスは解消されていく。これにより、放電領域１８のプラズマ密度分布の均一化が図られ、大面積の基板１上に良好な薄膜を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 内部圧力を調整可能に設けられたチャンバー１０と、チャンバー１０内に基板１１を保持するように設けられ、接地されている基板電極３と、チャンバー１０内に基板電極３に対向して間隔を空けて設けられた対向電極１５と、を備えたプラズマ処理装置において、対向電極１５には、基板電極側に設けられ、超高周波電力を供給される第一放電電極１７と、第一放電電極１７の基板電極３に対して反対側に絶縁体１９を介して設けられ、接地された第二放電電極２１と、少なくとも絶縁体１９と第一放電電極１７とを貫通して複数形成され、間隔内に成膜ガスを供給するガス噴出孔２５と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 高周波電力を発信する発信器８と、発信器８からの高周波電力が供給されるパワー電極とを備え、該パワー電極に対向配置されて相対的に移動する基板１１との間でプラズマ２を形成し、基板１１上にプラズマ処理を行うプラズマＣＶＤ装置に用いられる給電装置９において、パワー電極は、複数に分割された小電極により形成され、これら小電極間には間隙が形成され、間隙は、基板１１の移動方向に対して傾斜して配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 除去加工を行うプラズマＣＶＭ法又は成膜を行うプラズマＣＶＤ法に使用するプラズマ処理方法及びその装置であって、プラズマＣＶＭの場合には最小加工痕が、プラズマＣＶＤの場合には最小成膜部が軸対称となるようにした回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極２００とワーク２０１とを配設し、ワークと回転電極をＸＹ軸方向へ相対的に走査するとともに、Ｚ軸方向の回転軸２０２を有する回転電極とワークとの間に所定のギャップ２０３を形成するように回転電極とワークをＺ軸方向へ相対的に変位させ、回転電極を回転させてギャップ近傍に渦流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 高品質な薄膜デバイス等を高速に製造できるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板５が内部に配置される処理室１と、処理室１の内部にガスを導入するガス導入口７と、処理室１の内部に設けられ、被処理基板５にプラズマ処理を施すためのプラズマ源とを備え、プラズマ源は、カソード電極２（第１電極）と、カソード電極２の電極面の一部に配置された誘電体４と、誘電体４上に配置されたアノード電極３（第２電極）とを有し、アノード電極３がアノード電極３の長手方向に誘電体４に対して相対的に伸縮可能となるように設置されている。 （もっと読む）

【課題】 伝熱ガスのリーク量を増大させることなく、載置台上に堆積した反応生成物を除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１は、チャンバ１０内において互いに対向して配設されたシャワーヘッド３３及びサセプタ１１と、ＣＰＵ５３とを備え、シャワーヘッド３３には高周波電源５２が接続され、サセプタ１１には、該サセプタ１１の電気的状態を切り替えるスイッチ５１が接続され、サセプタ１１の上面に堆積した反応生成物を除去するために、スイッチ５１がサセプタ１１の電気的状態をフローティング状態に切り替えた後、チャンバ１０内を２．６７Ｐａ以下減圧し、シャワーヘッド３３にＯ₂ガスを６００ＳＣＣＭで空間Ｓに供給させ、さらに、ＣＰＵ５３が、高周波電源５２を制御してシャワーヘッド３３へ２０００Ｗの高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】内側電極38および外側電極36に分割された上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、内側電極38へ高周波電流が流れ込むように形成された共振回路101と、内側電極38への給電ラインに設けられた可変コンデンサ78と、下部電極16のバイアスＶ_ＰＰを検出する検出器89と、プラズマを形成した状態で、可変コンデンサ78のキャパシタンスを変更させながら、検出器89からの信号を検出して共振回路101の共振点を探し出し、共振点における可変コンデンサ78のキャパシタンスを基準となる値に調整する制御部102とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、きわめて短時間にガスの置換を行なうことが可能な装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下であるプラズマ発生空間１６に対して所望のガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるための３以上の電極５ａ，５ｂ，５ｃと、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるために上記３以上の電極の中から選択された１以上の電極である電圧印加対象電極に電圧を印加するための電源６と、プラズマ発生空間１６内におけるプラズマ８の発生する領域が互いに異なる第１の発生領域と第２の発生領域との間で切り替わるように、上記電圧印加対象電極の選択を切り替えるための電圧印加状態切替手段としてのスイッチング回路７とを備える。 （もっと読む）

プラズマ強化プロセス、特にプラズマ強化化学気相成長プロセスを実行するための装置は、真空チャンバ内に、極性が反対の周辺磁極および中央磁極を有する平坦なマグネトロン面（２０）を有して交流電圧の電源（３４）に接続されているアンバランス型マグネトロンを構成する、少なくとも１つのマグネトロン電極（３２）を含む。この装置はさらに、処理される表面がマグネトロン面（２０）に面するように基板（２５）を位置付けるための手段と、プロセスガスまたはプロセスガス混合物を、マグネトロン面（２０）と処理される表面との間の空間に供給するためのガス供給手段とを含む。最適な堆積速度を達成するために、マグネトロン面（２０）と処理される表面との間の距離は、マグネトロン面（２０）の周辺磁極と中央磁極との間に延びる磁力線によって形成されるより暗いトンネルと処理される表面との間に走る可視プラズマ帯があるように、マグネトロン電極（３２）によって作り出される磁界に適合され、プラズマ帯は最小限の幅を有するものの、コーティングされる表面に向かって均質な明るさを有している。処理される表面とマグネトロン面との間の距離は、好ましくは、トンネルの高さよりも２〜２０％長い。この装置は、たとえば、ポリマーフィルム材料でできたウェブを酸化シリコンでコーティングしてそのバリア特性を向上させるために適用可能である。
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本発明は、プラズマ源に関するものであって、第１幅を有しているとともに、頂部と壁部とを備えて構成された、放電キャビティと；頂部に配置され、かつ、頂部から外向きに延出されているとともに、頂部を貫通しかつ放電キャビティ内にまで延出されている開口が形成された、ノズルであり、開口が第２幅を有し、この第２幅が第１幅よりも小さなものとされた、ノズルと；を具備している。プラズマ源は、さらに、電源と；放電キャビティ内にイオン化可能ガスを導入し得るよう放電キャビティ内に配置された導管と；電源に対して接続されたカソード電極と；を具備し、カソード電極は、放電キャビティ内において、少なくとも１つのマグネトロン放電領域を支持することができる。プラズマ源は、さらに、壁部に隣接して配置された複数の磁石であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成するものとされた、複数の磁石を具備している。
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【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

【課題】 高機能性薄膜を、生産性高く形成する薄膜形成方法であり、結晶性を有する非常に高品質な薄膜をプラスティック等の熱に弱い基材にも形成できる方法を提供することにある。
【解決手段】 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電ガスおよび薄膜形成ガスを含有するガスを放電空間に供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起し、基材を励起した前記ガスに晒すことにより前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法に於いて、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含有するガスが、分離して前記放電空間に供給され、かつ、前記放電空間における、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含む混合ガスの温度が、３００℃以上３０００℃以下であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０^−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。
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プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。
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【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）