【課題】高分子樹脂フィルムと無機酸化物層との密着性を改善した積層体を製造する上で有利な装置およびガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を行う装置は、高分子樹脂フィルム６が巻回されるプラズマ処理用ローラー５Ａと、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面を構成し電力が供給されるカソード電極と、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面に対向して配置されアース電位に接続されるアノード電極２と、プラズマ処理用ローラー５Ａの周面とアノード電極２の間に配置された誘電体３とを備えている。カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子の合成のための低圧超高周波パルス・プラズマ反応器システムを提供する。このシステムには、少なくとも１つの基板を受け取るように構成され、選択した圧力まで排気することができるチャンバが含まれる。このシステムには、少なくとも１つの前駆体ガスからプラズマを生成するためのプラズマ源と、選択した周波数でプラズマに連続又はパルスの無線周波数電力を供給するための超高周波無線周波数電力源とがさらに含まれる。この周波数は、パルス無線周波数電力とプラズマとの間の結合効率に基づいて選択される。ＶＨＦ放電及びガス前駆体のパラメータはナノ粒子の特性に基づいて選択される。ナノ粒子の平均サイズ及び粒子サイズ分布は、放電を通るガス分子滞留時間に対するグロー放電の滞留時間（パルシング・プラズマ）と、１つのナノ粒子前駆体ガス（又は複数のガス）の質量流量とを制御することによって操作される。
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【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れ、欠陥の少ない堆積膜を、生産性良く形成できる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置の反応容器は、基体ホルダ１０７の長手方向に移動または伸縮可能な導電性棒状体１２３を備えている。基体が装着された基体ホルダ１０７の長手方向一端側を基体ホルダ保持手段１１５が保持すると、導電性棒状体１２３が移動または伸縮して、基体ホルダ保持手段１１５と逆側となる基体ホルダ１０７の他端側に位置する反応容器に接触し、電気的に接続される。更に導電性棒状体１２３は、基体ホルダ保持手段１１５と逆側となる基体ホルダ１０７の他端側にも接触しており、基体ホルダ１０７の長手方向両端は反応容器と電気的に接続状態となる。また、基体ホルダ１０７の搬入、搬出時には導電性棒状体は格納されるため、基体搬送機構による自動搬送が可能である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ成膜時の高周波放電中に電極に発生するＤＣ成分である電圧Ｖ_ＤＣを大きくできるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置され、被成膜基板が保持される保持電極２と、前記保持電極２に電気的に接続された高周波電源８と、前記保持電極２に保持された前記被成膜基板に対向して配置され、アース電源又はフロート電源に接続される対向電極１２と、前記対向電極１２と前記保持電極２との間の空間１３に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、を具備し、前記保持電極２の表面積をａとし、前記対向電極１２の表面積をｂとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。ｂ／ａ≧２ （もっと読む）

一実施例に係る、基板上に均一に材料を形成する堆積装置が与えられる。本堆積装置は、エネルギー源と、当該基板と対向かつ離間する関係にある電極と、当該電極に連結したインターフェイス構造とを含む。インターフェイス構造は、当該インターフェイス構造を通り及びこれのまわりにある、エネルギー源からのエネルギーを当該電極と電気的に結合するべく構成される。これにより、エネルギー源からのエネルギーが当該インターフェイス構造に供給される場合に、当該電極と当該基板の所定面積との間に実質的に均一な電界が形成される。
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以下の操作を含む無機支持体の両側上に同時蒸着するための方法：支持体を反応室（１０６，２０６）内に導入するか、又は支持体を反応室（１０６，２０６）内で走行させる；ＨＦ変圧器を含み、その二次側の端子に少なくとも二つの電極が接続される安定電力供給源を使用する；安定高周波電圧をこの変圧器の二次回路に発生する；少なくとも二つの電極を含む回路の固有インダクタと並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）を使用して、変圧器の二次側に発生される電圧と電流の間の位相シフトを減らす；混合物（１０８，２０８）を反応室（１０６，２０６）内に支持体の各側上に導入する；安定電力供給源によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又は少なくとも二つの電極を含む回路と並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、最適な反応特性を得るように方法の開始時又は方法の間に適合する；発電機回路によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又はインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、電極間に電流が流れる時間を延ばす高調波の生成を促進するように適合する；及び支持体を、前記支持体の各側上に所望の厚さの膜を得るのに十分な時間の間、室内に保持する。 （もっと読む）

プラズを用いた化学反応によって、基板上に層を析出する方法および装置である。
本発明は、真空チャンバ（１１）内の化学反応を用いて、プラズマを用いて基板（１２）上に層を析出する方法に関する。ここで、化学反応の少なくとも１つの基礎材料は、入口（１３）を通じて真空チャンバ（１１）内に供給され、入口（１３）は、少なくとも入口開口部（１８）の領域において、ガス放電の電極として接続されている。
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【課題】ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。
【解決手段】多段に積載された複数の基板を収納する処理室と、処理室内と連通するプラズマ発生室と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１処理ガス供給ラインと、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２処理ガス供給ラインと、プラズマ発生室内に第３の処理ガスを供給する第３処理ガス供給ラインと、第３の処理ガスが供給された前記プラズマ発生室内に電子源プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、プラズマ発生室内にて発生させた電子源プラズマから電子を抽出して処理室内の基板間の領域に照射する電子線供給装置と、処理室内を排気する排気ラインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内への放電部の充填率を増加することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｒと、反応ガスを導入するガス導入部１ａと、反応ガスＧ１を排気する排気部６と、対向配置されかつ第１電極１と第２電極２の組からなる３組以上の放電部３と、各組の第１電極１および第２電極２を支持しかつ並列させる支持手段５と、全組の放電部３に電力を供給する電源部Ｅとを備え、電源部Ｅは、高周波発生器と、該高周波発生器からの高周波電力を増幅して第１電極１に供給する増幅器とを備え、全組の放電部３のうち、一の放電部３の第１電極１と、それに隣接する他の放電部３の第１電極１とは、同一の高周波発生器に個別の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは異なる高周波発生器に増幅器を介してそれぞれ接続され、複数の第２電極２はそれぞれ接地される。 （もっと読む）

【課題】効力が強い放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体が被覆された誘電体バリアの電極２をチャンバー１内に備え、チャンバー１内で放電させる。具体的には、誘電体バリアの電極２は、金属電極２３や誘電体バリア２４などを備え、金属電極２３を誘電体バリア２４が被覆して、誘電体バリア２４から放電させる。このような誘電体バリアの電極２をチャンバー１内に備え、チャンバー１内で放電させるので、投入電力（電極への印加電力）の放電効率がよく、省電力化を図ることができる。その結果、低コストで効力が強い放電装置（実施例ではプラズマ処理装置）を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】２つの平行平板電極を配置したプラズマＣＶＤ室において基板に薄膜を形成するに当たり、平行平板電極の距離を一定にして基板にうねり等の不具合が発生するのを抑制し、薄膜の均一性を向上させることが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【解決手段】原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室３に２つの平行平板電極７，８を設置し、平行平板電極７，８に高周波電力を供給することにより、原料ガスを分解して平行平板電極７，８の間に置かれた基板１０上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、２つの平行平板電極７，８の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサ１３を設け、スペーサ１３を、平行平板電極７，８間距離が一定となるように平行平板電極７，８間に配設している。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚分布が生じにくく装置の小型化が可能なシリコン系薄膜量産装置を提供する。
【解決手段】シリコン系薄膜量産装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって平行に対向するように各透明電極６２を配置し、チャンバ１２にシリコン系薄膜の原料ガスを導入すると共に各対向電極１６に順次又は一斉に直流パルス電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各透明電極６２にシリコン系薄膜を生成する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のように高周波プラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極１６と透明電極６２との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給するガス供給管２３２a、２３２bと、処理室内の雰囲気を排気するガス排気管２３１と、処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される第１の電極２６９及び２の電極２７０とを有する。第１の電極２６９及び第２の電極２７０は、金属からなる芯線と、芯線に折曲可能であるように複数個が連結され、芯線よりも熱による変形が少ない短管とから構成される。 （もっと読む）

【課題】１ｋＰａより高い圧力下でシリコン系薄膜を成膜する際に電極間隔を広げることと膜厚を面内で均一にすることとを両立する。
【解決手段】シリコン系薄膜成膜装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって対向するように各透明電極６２を配置する。続いて、ガス噴射口１４ａから原料ガスを支持電極１８に向かって噴射すると共にガス噴射口１５ａから同方向にバリアガスを噴射しつつガス排出口１３から排気してチャンバ１２内の圧力を１ｋＰａを超える圧力に調節する。次いで、各対向電極１６に直流パルス電圧を印加し、シリコン系薄膜を成膜する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、電極間隔を広げた状態においてもプラズマを効率よく生成できると共に膜厚の面内分布も改善できる。また、原料ガスの外側にバリアガスを噴射することにより、原料ガスにキャリアガスを混合する場合にはキャリアガスの流量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 電極部間の短絡の発生を抑制するとともに、クリーニングガスの作用による構成部品の劣化を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を加熱するヒータと、処理室内にガスを供給するガス供給口と、ヒータを覆うように設けられ絶縁体で構成され基板を支持する支持板と、支持板の裏面よりも下方に設けられヒータに電源を投入する電極部と、電極部に接続され電源を供給する電源線と、支持板の裏面に着脱可能かつ気密に接続され、電極部と電源線を覆うことで、電極部及び電源線を処理室内の雰囲気から隔離する隔離部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、プラズマを発生する為の電極の強度、弾性が高温でも低下することがなく、電極を収納する保護管先端部でも十分なプラズマを得られる様にする。
【解決手段】
複数の基板を積層した状態で収納する処理管４６と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理管の下方下部から該処理管内に挿入され、屈曲部７６と前記基板の積層方向に延在する直線部７７とを有する少なくとも一対の保護管７１と、該保護管内にそれぞれ収納され、高周波電力が印加される電極６９とを備え、該電極は、線材をコイル状に巻いた構造体の周囲を、線材が平面上に編込まれた部材で覆った構造である。
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製造装置及び当該製造装置と共に使用される電極は、担体における材料の蒸着に対して与えられる。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置され、該電極はソケットに結合するよう少なくとも部分的にチャンバ内において配置される。電極は、ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を備える。外部コーティングは、接触領域の外側における、電極の外部表面において配置される。外部コーティングは、少なくとも９×１０^６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える。 （もっと読む）

【課題】触媒化学気相堆積法（Ｃａｔ−ＣＶＤ＝Ｃａｔａｌｙｔｉｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）において、触媒体の変性防止法及びそれを用いた触媒化学気相堆積装置を提供する。
【解決手段】触媒体を固定する部分等、触媒体が他の物質と接触することで熱がその物質に伝導し、触媒体の温度が他の部分より低下する部分が、その温度低下が原因となって他の部分とは異なる変性をすることを防止するため、触媒体の温度低下部分のみをその変性が起きにくい化合物または混合物とする。上記の触媒体を固定する部分が、固定電極部分でその固定部分がキャップ２２で覆われ、そのキャップ内を触媒体とは反応しないガス２６を充満させる構造にした装置。上記の装置における原料ガスがシリコン系である場合はシリサイド化を防止するために、触媒体をシリコン以外の他の元素を含む化合物または混合物とした装置。 （もっと読む）