【課題】タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造用のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を構成するプラズマ発生源に関し、定在波の影響及び一対の電極間以外に発生の有害プラズマの発生を抑制し、且つ、供給電力の該一対の電極間以外での消費を抑制可能な大面積・均一のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】電極上の互いに対向する位置に配置された第１及び第２の給電点間の距離を使用電力の波長の二分の一の整数倍に設定し、２台のパルス変調可能な位相可変２出力の高周波電源から出力される時間的に分離されたパルス電力を供給することにより、腹の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第１の定在波と、節の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第２の定在波とを時間的に交互に発生させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを簡単に被処理物に作用できるプラズマ源を提供すること、又は、被処理物の材質に係わらずプラズマ処理ができる処理装置と処理方法を提供すること。
【解決手段】面状のプラズマを発生するプラズマ発生装置と、プラズマを移動するプラズマ移動装置とを備えているプラズマ源、又は、プラズマ発生装置と被処理物保持部とを備えている処理装置、又は、面状のプラズマを発生し、プラズマを移動し、被処理物の表面をプラズマで処理する被処理物の処理方法にある。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に、膜質及び膜厚が均質な膜を生成する。
【解決手段】 チャンバー１０内の陽極１１ａに対向する陰極１４を、陽極１１ａの中央部に対向する中央電極１４ａと、陽極１１ａの周辺部に対向するリング状の周辺電極１４ｂとで構成している。また、陽極１１ａの外周を囲むように、絶縁体１２を配置している。成膜の開始時には、アークの発生を予防するために、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧よりも高くし、陽柱光が発生した後、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧未満にする。これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。絶縁体１２は、アークに起因する電流が基板１の側面に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】
ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの大面積・均一化プロセスへの応用において、定在波の影響を受けないで、かつ、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及びその表面処理装置を提供すること。
【解決手段】
位相可変２出力の高周波電源を２台設置し、そのいずれか一方の電源の出力をランダムに位相変調するとともに、該２台の電源の各２つの出力の一方をそれぞれ、電極に設定の第１の給電点に、該各２つの出力の他方を該第１の給電点に対向設置の第２の給電点に供給し、かつ、生成される２つの定在波の腹の位置を個々に制御することにより、時間的・空間的に変動しない一様なプラズマを生成する方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）

【課題】 大面積の被処理基材をできるだけ少ない回数で効率的に表面処理するため、大気圧近傍の圧力下でアーク放電に移行させることなく均一かつ安定的に幕状のグロー放電プラズマを発生させる方法を提供する。
【解決手段】 対向して配置される一対の円柱状電極の少なくとも一方の対向面を固体絶縁体で密着させて覆い、該電極間のライン状の空隙に幕状の放電ガスを吹き付け、大気圧近傍圧力下で前記電極間に正弦波の高電圧高周波電界を印加して前記空隙にグロー放電プラズマを発生させ、プラズマ流の下流側で基材の表面処理を行う方法において、電極の寸法・形状や配置、放電ガスの種類・組成や吹出し条件、電極間の静電容量、電極間に印加する電界の条件などを所定の範囲内に限定する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波パワーのロスが小さく、マイクロ波パワー効率の低下やアンテナ内部での異常放電が発生し難いマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波によって前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、そのプラズマにより被処理体にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００であって、平面アンテナ３１とマイクロ波透過板２８とは実質的に空気を介さずに密着して形成されており、遅波板３３とマイクロ波透過板２８とは同じ材質で形成され、遅波板３３、平面アンテナ３１、マイクロ波透過板２８、プラズマで形成される等価回路が、共振条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】 電極との接触によって発生するゴミを低減させて、電極表面への堆積量及び装置内部への汚染を抑制し、表面処理の安定性を確保する。
【解決手段】 この表面処理装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極が設けられている。また、表面処理装置には、放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿って相対的に移動されるように移動体を保持する保持機構が設けられている。そして、少なくとも一方の電極と移動体との間には潤滑層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下でワークディスタンスの制御範囲が広く安定したプラズマを発生させることで低ランニングコストと高速処理を両立し、更に周辺機器や人体に対する障害をなくした安全でコスト競争力の高いプラズマプロセス装置を提供すること
【解決手段】 プラズマ処理空間１５を挟んで略対向対置されている電極５および電極３１と、電極５に対してガス流路２６を挟んで対向配置されている電極６と、電極３１に対してガス流路２８を挟んで対向配置されている電極３２とを備える。処理ガスは、装置の外部からガス流路２６,２８を通って、プラズマ処理空間１５に到達するようになっている。上記電極６は、サーボ装置等によって矢印αに示す方向に移動できるようになっており、電極３２は、サーボ装置等によって矢印β方向に移動できるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】 プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＮなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体２２Ａには電極２２Ｂおよびヒータ２３が埋設されている。電極２２Ｂには高周波源２２Ｃより１３．５６ＭＨｚの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体２２Ａは平坦な表面を有し、さらに本体２２Ａ上には、石英ガラスカバー２２ａが装着されている。石英ガラスカバー２２ａは薄い外側領域２２ａ１と外側領域２２ａ１に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域２２ａ２とよりなり、内側領域２２ａ１と外側領域２２ａ２との間には３〜１０ｍｍの段差ｄが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）