処理チャンバに送達される電力を管理するためのシステムおよび方法を記載する。一実施形態において、初期期間中に、プラズマ処理チャンバへの電力の印加を開始する間に、電流が、プラズマ処理チャンバから引き出され、引き出される電流の量は、初期期間中に、初期期間中にプラズマ処理チャンバに印加される電力の量が増加するように、減少する。
一実施形態において、方法は、プラズマチャンバ内のアークを検出するステップと、該検出されたアークに応答して、アークを消弧するように、プラズマ処理チャンバから遠のくように電流を分流するステップとを含み、プラズマ処理チャンバへの電流の印加を開始するステップは、アークが消弧された後に生じる。
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【課題】放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を積層載置して処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、高周波電力が印加されることにより前記処理室内に供給されたガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記電極の形状変化を監視する監視機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、外側に形成される前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７に案内されて吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気流路３７と、前後一対の排気流路３７を流れる流体間のバランスを測定する圧力差測定部５３と、圧力差測定部５３が測定したバランスが所定の範囲に収まるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量を調整する制御部４９と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】装置稼動率の向上に寄与することのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法を提供する。
【解決手段】演算パラメータ算出器４５が、第一演算パラメータ設定器４２が反応容器に累積する膜厚に基づき決定した第一演算パラメータ補正値Ｐ１と、第二演算パラメータ設定器４３が補充基板に累積する膜厚に基づき決定した第二演算パラメータ補正値Ｐ２と、第三演算パラメータ設定器４４が前記補充基板の枚数に基づき決定した第三演算パラメータ補正値Ｐ３とを少なくとも用いて演算パラメータＨを算出し、少なくともこの算出された演算パラメータＨと、設定温度と温度検出器が加熱装置内の温度を検出する温度との偏差とを用いて演算し該演算結果により加熱装置を制御しつつ、反応容器内に製品基板及び補充基板を収容して熱処理する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置の反応チャンバ内で用いる基板支持体が開示されている。基板支持体は、ベース部材と、ベース部材の上に位置する熱伝導部材とを備える。熱伝導部材は、複数の領域を有しており、熱伝導部材の各領域は、個別に加熱および冷却される。熱伝導部材の上には、静電チャックが配置される。静電チャックは、プラズマ処理装置の反応チャンバ内で基板を支持するための支持面を有する。冷液源および温液源が、各領域の流路と流体連通している。バルブ構成は、流路内を循環する温液および冷液の混合比を調節することにより、液体の温度を独立的に制御するよう動作可能である。別の実施形態では、供給ラインおよび移送ラインに沿って配置された加熱素子が、液体源からの液体を、流路に循環する前に加熱する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部２と、出し入れ口を介して本体部２に搬入され若しくは出し入れ口を１８介して本体部２から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード／アンロード部３と、出し入れ口１８を開閉する開閉機構１６と、本体部２の気圧を検出する第１センサ２６と、基板ロード／アンロード部３の気圧を検出する第２センサ２９と、第１センサ２６および第２センサ２９からの情報に基づいて、開閉機構１６を制御する制御部２４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具を提供する。
【解決手段】プロセスマッフル１と、プロセスマッフル１内に配置されたマッフルフロア５と、マッフルフロア５上を摺動しながら半導体ウエーハＷを搬送する搬送ベルト９と、搬送ベルト９の動きを監視する監視装置と、を備え、監視装置は例えばエンコーダ３０を有する。このような構成であれば、搬送ベルト９の移動速度の変化（例えば、脈動）を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス時期を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】反応室本体の開口部を封止する封止部材を有する反応室を備え、開口部と封止部材の間からの反応ガスの漏れを高精度に検出できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｍ１とその内部に反応ガスを供給するガス供給手段１５を備え、ガス供給手段１５により反応ガスを反応室Ｍ１の内部に供給することにより反応室Ｍ１に収容されたウェーハの表面に気相成長を行う気相成長装置１０であって、反応室Ｍ１は、ウェーハが収容される収容空間を形成すると共に収容空間にウェーハを導入するための開口部Ｍ３を有する反応室本体Ｍ２と、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３を封止する封止部材１３とを有し、気相成長装置１０は、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３に対して封止部材１３を締め付ける締め付け部材３１と、締め付け部材３１による封止部材１３の締め付け力についての開口部Ｍ３が拡がる方向のバランスの良否を判定可能な状態とするバランス判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】単純な機器構成、単純な信号処理によって基板の温度を確実に測定することができる気相成長装置の基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】サセプタが１回転したことを検出するためのトリガを設けるとともに、サセプタ及び基板の温度を連続的に測定するための温度計を設け、トリガによって検出したサセプタの回転状態と、サセプタと基板とトリガとの関係に応じてあらかじめ設定された設定値と、温度計の測定温度とに基づいて、基板部分の温度を測定した測定温度を選別して基板温度とする。 （もっと読む）

【課題】同一のＳｉＣ薄膜形成プロセスの進行中に、基板の前処理段階（昇温過程および高温過程）および基板上への薄膜の成長段階において、あるいは更に降温段階において、供給する炭化水素ガス種を瞬時に切り替えて、各段階に最適な種類の炭化水素ガスを供給できるＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の薄膜を成長させる基板１４を保持するサセプタ１２を内蔵したＣＶＤ反応容器１０、および該ＣＶＤ反応容器にそれぞれ接続されたＳｉ原料ガスの供給器２６および炭化水素ガスの供給器２８を備えたＳｉＣ薄膜形成装置において、上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンの交換を軽減でき、マイクロ波発生装置をより長く使用できるようにする。
【解決手段】マグネトロン８０のフィラメント８１にフィラメント電圧を供給し、フィラメント８１と陽極８４との間に陽極電圧を供給して、マイクロ波を発振させるマグネトロン８０を使ったマイクロ波発生装置４５の制御方法であって、ベース値のフィラメント電圧を供給し、マイクロ波の発振中に陽極電圧と陽極電流を測定する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係を基準特性と比較する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係が基準特性から外れた場合に、フィラメント電圧を前記ベース値よりも上昇させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の搬入出を確実に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、回転テーブル２の回転位置を検知する位置検知手段８と、回転テーブル２の周縁に設けられ、位置検知手段８によって検知される被検知部２５とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】電磁波加熱式熱処理装置の温度分布均一性を高める。
【解決手段】複数枚のウエハ１を積層保持したボート４２を収容するキャビティ３７と、キャビティ３７内に電磁波を導入してウエハを加熱する電磁波源５５とを備えた電磁波加熱形バッチ式熱処理装置において、キャビティ３７内下部にコントローラ５６で制御される補助ヒータ５９を設け、コントローラには上側熱電対５７と下側熱電対５８とを接続し、上側熱電対５７の熱接点はボート４２の最上段に保持された上側モニタウエハ１Ａに配置し、下側熱電対５８の熱接点はボートの最下段に保持された下側モニタウエハ１Ｂに配置する。コントローラ５６は上側熱電対５７の温度と下側熱電対５８の温度とが同一になるように、電磁波源５５と補助ヒータ５９の電源６０とをそれぞれ制御する。 （もっと読む）

【課題】サイズが大きい基板を均一な温度に保って製膜処理を行う。
【解決手段】基板Ｋを指示するヒータカバー１１５の中央の温度を計測し、ヒータカバー１１５の中央における計測温度が目標温度に近づくように、ＰＩＤ制御によりヒータカバー１１５中央におけるヒータ１１６の発熱量を決める。ヒータカバー１１５の中央領域以外の領域に対しては、領域ごとに決められた比例係数に基づいて、ヒータカバー１１５中央におけるヒータ１１６の発熱量に比例する発熱量でヒータ１１６が発熱される。タクトタイム（基板Ｋが製膜室１１２に入れられ、製膜処理が施され、製膜室１１２から導出されるまでの時間）が短い場合ほど、基板Ｋの中央付近と基板Ｋの端部とのヒータ１１６の発熱量の差は小さく制御される。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置２において、被処理体を複数枚収容できる処理容器４と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段２６と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段３２と、処理容器に設けられた第１の排気口５４と、第１の排気口とは異なる位置に設けられた第２の排気口８８と、第１の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第１の排気系５６と、第２の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第２の排気系９０と、酸化処理時に第１の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段６６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）