【課題】被搬送物を搬送先にまで高精度に搬送することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】基板トレイ搬送装置は、基板３を載せた基板トレイ１７を搬送アーム２６によって把持し、載置台５まで搬送する。搬送アーム２６の先端部には、反射型光ファイバーセンサー２５を有している。搬送アーム２６は縁に到達する直前に減速する。その際、センサー２５は載置台５の縁を検出する。搬送アーム２６が減速しているので、センサー２５による縁位置の検出は安定化する。制御装置３７は、センサー２５による縁位置の検出結果に基づき、載置台５の縁から載置台５の中心までの距離と、基板トレイ１７からセンサー２５までの距離とを加えた距離だけ、載置台５の縁から搬送アーム２６を移動させるように、第一の移動機構２８を制御する。 （もっと読む）

【課題】気相中でのキャリアガスに対する前駆体の濃度を維持する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス出口ライン２４における気体状混合物中の気化前駆体化合物の濃度を検出し、検出された濃度（ｃ）と参照濃度（ｃ０）とを比較し、濃度差（ｃ−ｃ０）を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号によりガス制御バルブ２３を調節し、気化容器内の全圧力を調節し、温度検出手段は前駆体化合物の温度を検出するように配置され、前駆体化合物の温度を検出し、検出された温度（Ｔ）と参照温度（Ｔ０）とを比較して温度差（Ｔ−Ｔ０）を提供し、当該温度差を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号がガス制御バルブを調節し、気化容器内の全圧力を調節し、ガス出口ラインにおける気体状混合物中での気化前駆体化合物の実質的に一定の濃度を維持する。 （もっと読む）

【課題】バブリング量の変化に追従してピックアップ量を制御することができるバブリング気化供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】熱交換器１１が内蔵された密閉原料槽１０内に液体原料Ｌを貯えると共に導入管８を挿入し、熱交換器１１に所定温度の熱媒Ｍを循環させつつ導入管８にキャリアガスＣを所定流量で導入して液体原料Ｌをバブリングし、バブリングによる気化ガスＧとキャリアガスＣとの混合ガス（Ｇ＋Ｃ）を原料槽１０の気相部から抜出して供給する。好ましくは、導入管８上に熱交換器１４を設け、所定温度の熱媒Ｍを原料槽１０内の熱交換器１１及び導入管８上の熱交換器１４に循環させつつキャリアガスＣを導入する。更に好ましくは、原料槽１０に原料補充管１５を接続すると共に補充管１５上に熱交換器１６を設け、その熱交換器１６にも熱媒Ｍを循環させながら液体原料Ｌを補充する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】流量制御部１０の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度／（１−原料ガス濃度）が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー６によりキャリアガス１５の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具の姿勢を検知することで、該基板保持具の傾きを起因とした該基板保持具と基板の破損を未然に防ぐ基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、該処理室で基板を保持する基板保持具１４と、該基板保持具を載置する載置部と、該載置部に対して相対回転可能に設けられ相対回転により前記基板保持具を係合解除可能なロック部材と、該ロック部材と前記載置部とを相対回転させる回転部と、該回転部の回転動作を検出する検出部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ光の強度の実際の値と測定値とのずれを較正することができ、またプラズマの発生領域に対し、複数の位置のプラズマ光の強度を精度よく測定できるプラズマ測定装置を提供する。
【解決手段】前記プラズマ測定装置は、プラズマが発光する光の強度を測定する受光手段と、前記受光手段で測定された前記プラズマが発光する光の強度を較正するための較正用光源と、一端側がプラズマ発光領域に向けて並べて配置され、他端側が前記受光手段に接続された測定用の光ファイバーと、他端側が前記較正用光源に接続された較正用の光ファイバーとを備えた光ファイバーユニットと、を有し、前記プラズマが発光する光は、前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射し、前記較正用光源が発光する光は、前記較正用の光ファイバー及び前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射することを特徴とする。 （もっと読む）

温度測定を提供するための改善された熱電対アッセンブリが提供される。熱電対アッセンブリは、測定チップを有するシースと、シース内に収容される支持部材と、支持部材内に収容された第１線及び第２線とを含む。第１線及び第２線の各端部が互いに融合されてそれらの間に電熱対ジャンクションを形成する。凹部領域が支持部材の遠位端に形成され、電熱対ジャンクションが、凹部領域がシースの測定チップに対して実質的に固定された位置に電熱対ジャンクションを維持するように凹部領域のベースに固定的に配置される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ装置は、原料ガス３８ａを供給して基板３３の被処理面に結晶を成長させ、基板３３の被処理面に面した壁に、基板３３の被処理面の中央部を望み得る窓３０ｃを有する反応室３０と、反応室３０に設けられ、基板３３を載置して回転（移動）させるための回転台（移動台）３１と、回転台３１によって回転する基板３３の被処理面に、窓３０ｃを介してレーザー光４０ａを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光４０ｂを、窓３０ｃを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板３３の回転速度を計測するための第１の速度計測手段４０と、第１の速度計測手段４０による計測結果を処理して基板３３の形状情報を出力するための処理手段４１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜中の成長速度をリアルタイムで精度良く検出可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】干渉検出装置７は、波長λのレーザ光を用いて、基板２０上に成長された単結晶Ｓｉ膜の表面から反射光と、リファレンスレンズ７３からの反射光との干渉光をマイケルソン干渉計によって検出する。解析装置８は、干渉検出装置７によって検出された干渉光の振動波形にフィッティングする振動波形を演算し、その演算した振動波形における周期Ｔを求める。そして、解析装置８は、周期Ｔによってλ／２の膜厚を除算して成長速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。
【解決手段】真空処理室１００において、制御用の第１の圧力計１０７と排気口１０３までの距離が同じとなる位置に校正用の第２の圧力計２００を設置し、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設置し、第２の圧力計２００が、プロセスガスの雰囲気に曝されることを防止している。また、実プロセス後の任意のタイミングで、プロセスガスを真空処理室１００内より排気し、不活性ガスで置換した後に、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の遮蔽バルブ２０１を開放し、不活性ガスを用いて第２の圧力計２００にてプロセス圧力に制御した後、第１の圧力計１０７が、第２の圧力計２００と同じ値となるように校正する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、光パルスの持続時間、形状、および繰返し率の独立した制御を提供する光源を組み込む基板処理機器および方法に関する。実施形態は、照度の急速な増大および低減をさらに提供する。
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【課題】パーティクルの巻き上げを低減し、圧力調整精度の向上及び調整時間の短縮化が図られたチャンバ圧力調整装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２２内のガスを吸引するポンプ４２を備える構成とし、チャンバ２２とガスポンプ４２とを連通する連通管５２に圧力調整ガスを導入し、ポンプ４２による流量を一定として、圧力調整ガスの導入量を制御することで、チャンバ２２内の圧力調整を行う。チャンバ２２内にガスを供給することなく、チャンバ２２内のガスを吸引する構成であるため、チャンバ２２内における気流の発生を抑えることができ、パーティクルの巻き上げを防止することができる。また、ポンプ４２による流量を一定としているため、ポンプ４２の回転数制御を行う必要が無く、圧力調整ガスの導入量を調整することで、圧力調整精度を向上させ、圧力調整時間の短縮が図られる。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な薄膜を再現性よく形成するために、原料ガスの流れを監視する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、基板載置位置に載置した基板上に薄膜を形成する原料ガスを導入するガス導入口を備える容器と、ガス導入口と正対する位置からガス導入口に向けてレーザを照射するレーザ光源部と、ガス導入口から原料ガスを導入する際に、原料ガス成分からなるパーティクルがレーザに照射されることにより、基板載置位置のガス導入口側の端とガス導入口との間で生じる散乱光を測定する測定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内に成膜処理されるウェーハｗを導入し、ウェーハｗが前記成膜処理時に載置される支持部材と離間するように、ウェーハを支持し、ウェーハが支持部材と離間した状態で、支持部材を所定の回転速度で回転させながら、ウェーハを予備加熱し、ウェーハを支持部材上に載置し、ウェーハを所定温度で加熱するとともに、回転させながら前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビューポート内面への反応生成物の付着を効率よく防止することができ、気流の影響をより確実に抑制してレーザー光等による光学的な観察、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル１３の基板対向壁１３ｂに、ビューポート２０を介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔１３ｃを設け、前記基板対向壁とチャンバーの内側面との間に光路部２４ａを有する冷却手段２４を配置し、該冷却手段と前記基板対向壁との間にパージガス流路２５を設け、該パージガス流路内に、前記フローチャンネル内を流れる原料ガスＡの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスＰを流すためのパージガス導入手段２５ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができる赤外線検出器及び当該赤外線検出器を組み込んだデバイス製造装置の提供。
【解決手段】赤外線を透過する窓材と、感熱抵抗体が梁によって基板から浮いた状態で支持されてなる赤外線検出素子と、前記赤外線検出素子を気密状態で封止可能な密封容器と、前記赤外線検出素子と外部回路とを接続するための端子と、前記密封容器の内外を繋ぐ、閉じられていない排気管と、を少なくとも備える赤外線検出器であって、前記赤外線検出器は、デバイス製造装置のチャンバ内の、試料を望む位置に配置され、前記試料から放射され、入射光学系により集光された赤外線を検出して当該試料の表面温度を測定するために使用され、前記チャンバが真空引きされる際に、前記排気管を介して前記密封容器内も真空引きされる。 （もっと読む）