【課題】炉本体と処理容器との間の空間内を精度良く微陰圧に保ちながら、この空間内を強制冷却する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。圧力検知システム５０によって空間３３内の圧力が検知され、圧力検知システム５０からの検知信号に基づいて制御部５１により空気供給ブロア５３、空気供給ライン側弁機構５４Ａ、空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが制御されて空間３３内が微陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。
【解決手段】処理室１に接続された吸気配管６における真空ポンプ４との接続口６ｂ近傍に開度調節可能な開閉弁９を設け、吸気配管６における処理室１との接続口６ａ近傍に設けられた装置仕切弁７を閉じ、前記開閉弁９の開度を調節し、吸気配管６に三フッ化塩素などからなる特定のクリーニングガスを供給するとともに、前記真空ポンプ４を稼動することにより、前記吸気配管６内を所定圧力に保持してクリーニングするようにして、成膜処理又は結晶成長処理時に吸気配管６内に付着した堆積膜を良好に除去し、装置の修理や分解をする際に、有害、危険な堆積膜による災害を防止するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】温度検出手段を反応室の外部に設けたことで、処理ガスが前記温度検出手段に接触し、成膜されるのを防止し、前記温度検出手段の測定値の信頼性及び再現性の向上を図る熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板上に単結晶膜又は多結晶膜を成長させる熱処理装置であって、複数枚の基板を保持するボートと、該ボートを囲む様に設けられ反応室３２を構成する筒状発熱材２３と、該筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管２１と、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部２５と、前記筒状発熱材と前記筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップ２４と、該温度測定用チップの温度を測定する放射温度計４２とを具備し、該放射温度計が前記反応管の下端より下方に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、搬送室を中心として第１ロードロック室、第２ロードロック室、二つの処理室が配置され、搬送室は、第１のロードロック室及び第２ロードロック室と二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂが設けられた上アーム７４を有し、第１フィンガ７２ａは、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】正確な終点検出を行うことができる終点検出装置および終点検出方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を実行した際に発生した光を分光分析する分光分析部３と、前記分光分析部３から提供された複数の波長に対する発光強度に関する情報に基づいて主成分得点または残差を求める主成分演算部４と、前記求められた主成分得点または残差に基づいてプラズマ処理の終点を判定する終点判定部５とを備えた終点検出装置およびそれを用いた終点検出方法である。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高速回転時にウェーハを確実に保持することができ、ウェーハに均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハwが成膜処理される反応室11と、反応室11の上部に設けられ、プロセスガスを内部に導入するためのガス供給機構12と、反応室の下部に設けられ、反応室よりガスを排出するためのガス排出機構13と、成膜処理の際に、ウェーハwの端部が所定位置となるように保持するために設けられ、所定位置の上部より中心方向に突出したウェーハ外れ防止部を有する支持部材15と、ウェーハwを支持部材15の上方において保持し、上下駆動可能な突き上げ機構21と、ウェーハwを所定の温度分布となるように加熱するためのヒータ18a、18bと、ウェーハwを回転させるための回転駆動機構17と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第２のヒータと、前記第1のヒータと第２のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第２のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部におけるガスの流れを制御する技術を提供する。
【解決手段】ガス供給部からプロセスガスの供給を受けてプロセス対象にプロセスを実行する真空容器５００におけるプロセスガスの真空圧力と流れとを真空ポンプを使用して制御する真空制御システム１０を提供する。真空制御システム１０は、真空容器５００において相互に相違する位置に配置された複数のガス排出口５６１，５６２の各々と真空ポンプ３００との間に接続されている各真空制御バルブ１００，２００と、プロセス対象に供給されるプロセスガスの真空圧力を計測する圧力計測部６３１と、計測された真空圧力に応じて複数の真空制御バルブ５６１，５６２の各々の開度を操作する制御装置６１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】順送り方向および逆送り方向の両方に搬送される基板のそれぞれを、高い精度で位置調節可能とするフィルム基板の搬送装置を提供する。
【解決手段】帯状のフィルム基板２を、その幅方向について片端部を上側とした縦姿勢で配置して搬送するフィルム基板の搬送装置であって、フィルム基板２の上端部を挟むように配設される少なくとも一対の第１のグリップローラ６と、第１のグリップローラ６の回転角度が前記第１のグリップローラ６の回転方向を搬送方向に対して上方側とするように傾け可能となるように、前記第１のグリップローラの傾斜方向および傾斜角度を調節可能な第１の角度調節機構１１とを備えているフィルム基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）