【課題】搬送方向の切替えに付随した挟圧力や搬送高さの偏差を低減し、品質向上と製造コスト低減を両立する薄膜積層体製造装置を提供する。
【解決手段】搬送経路の端部で可撓性基板１をロールから巻出し／ロールに巻取るための正逆双方向に駆動可能なロールコア駆動装置と、基板の縁部を挟持しかつその挟圧力に応じた展張力を縁部に付与する回転可能なグリップローラ６１〜６９と、成膜部３０における基板の搬送高さを検知する検知手段Ｓ１〜Ｓ９と、検知手段の検出値に基づいてグリップローラの挟圧力を制御する搬送高さ制御装置７３と、を備え、搬送高さ制御装置は、グリップローラの挟圧力の初期値を保持する保持手段を有し、基板の搬送方向の切替え時に、初期値に基づいてグリップローラ６１〜６９の挟圧力を再設定可能とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】電極に形成された導波路を伝搬する高周波を制御可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に、基板Ｇを載置する載置台１１５と該載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、第１の電極部２００ａと第２の電極部２００ｂとの２つの電極部に分離され、真空容器の内部に間隔を開けて配列された複数の電極対２００と、２つの電極部を横断するように設けられ、真空容器の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する複数の同軸管２２５とを備え、複数の同軸管の内部導体は２つの電極部の一方、外部導体は他方に接続され、複数の同軸管から供給された高周波が２つの電極部間に形成された導波路２０５を伝搬した後、導波路に設けられた誘電体板２１０のプラズマ露出面から真空容器に放出してプラズマを励起するプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できるようにする。
【解決手段】基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内および配管内のガスを排気するガス排気系と、を有した基板処理装置において、配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部に基板Ｇを載置する載置台１１５と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、真空容器１００の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第１の同軸管２２５と、第１の同軸管２２５に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路２０５を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路２０５を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】成膜材料のマスクパターンへの付着を低減し、大型の被処理基板の成膜にも好適な光ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられ、被処理体を載置するための基板載置部と、載置された前記被処理体の表面にＶＵＶ光を照射するためのＶＵＶ光源を備えた光ＣＶＤ装置であって、前記処理室の内部に、更に、前記被処理体の表面に接触して配置されるマスクを設け、このマスクの本体２０１には、梁２０２と共に、成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に前記マスクを保持するための熱線２０３が一体に設けられ、又は、フレーム２０５にも前記マスクの温度を当該温度に保持するための熱線や加熱配管が一定に形成されている。 （もっと読む）

【課題】異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。アース線９が接続されている側壁部８の部分の近傍には、チャンバー２内に生成されるプラズマから接地電位へ向かって流れるリターン電流を測定する電流センサ１０が取り付けられている。電流センサ１０には異常放電検知部１４が電気的に接続されて、測定されたリターン電流に基づいて異常放電が発生したか否かが判定される。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】高い精度での位置出しが可能であり、チャンバーを大気開放する必要がなく、内部部材の位置調整時間を短縮でき、チャンバー内への汚染の持ち込みを抑制することが可能なエピタキシャル成長装置の内部部材の位置調整方法を提供する。
【解決手段】クランプリング１４の上面に光学センサ２９を取り付けたセンサ取付け用リング２８を設け、光学センサ２９によりベースプレート２７を基準高さとしてサセプタ１６とこのサセプタ１６の周囲に設けられたプレヒートリング１８の位置関係を検出し、、検出毎に光学センサの取付け位置を移動して複数回繰返す。検出した複数の位置関係からサセプタ１６の水平面に対する傾き度と、サセプタ１６のプレヒートリング１８に対する高さバラツキを算出する。算出結果に基づいて台座位置を調整してサセプタ１６の傾き度又は高さバラツキの少なくとも１つを上側ドーム１２をクランプリング１４に固定した状態で是正する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に備わる真空室と装置外部との間のリークを早期に検知することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】真空室において、高真空領域の圧力判定値と低真空領域の圧力判定値との間の圧力領域に任意の圧力値（例えば１Ｐａ）を設定し、ウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第１トリガポイントＰ１と設定し、次にウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第２トリガポイントＰ２と設定する。第１トリガポイントＰ１と第２トリガポイントＰ２との間で、低真空側の最大圧力が低真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定と高真空側の最小圧力が高真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定を行う。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材内表面から外面に通じる孔４を設け、円筒状内表面に照射されたイオン３の一部は孔４を通過し、基材表面に平行に設置されたプローブ５に入射し、電流計６によって電流量を計測し、基材内表面とプローブの間隔と前記孔の中心線から電流が計測されたプローブの位置までの間隔との幾何学的関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角を計測する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】電極板の表面温度を正確に測定して、プラズマ処理の品質を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置内で電極板３の背面に接触状態に配置される冷却板１４であって、電極板３に接触される前面１４ａと、その反対側の背部と、背部側から前面側に向かって形成された穴部２０と、赤外線透過防止膜２１とを備え、穴部は、背部側に位置する開口部２０ａと、前面側に位置し穴部２０内に露出された底面とを有し、赤外線透過防止膜２１は、その両表面がそれぞれ、前面の少なくとも一部と、底面とを構成し、底面が粗面２１ａとされている。 （もっと読む）

【課題】非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器４０との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の実際の反応条件下におけるＳＯＩウェーハの真の表面温度及び温度均一性を正確に求めることができるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びそれを用いた反応炉の温度管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求める方法であって、少なくとも、イオン注入により不純物注入層が形成された拡散用ＳＯＩウェーハを、ランプ加熱型の気相成長装置における反応炉内で熱処理する工程と、該熱処理された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を測定する工程とを有し、該測定された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を用いて、予め求めた熱処理後の拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗と熱処理温度とのキャリブレーションカーブから、前記拡散用ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求めるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法。 （もっと読む）

【課題】複数のヒータで被加熱物を加熱するにあたり、複数のヒータ電源の特性ばらつきに依存しない加熱制御システムを実現する。
【解決手段】本発明の加熱制御システムは、被加熱物の温度を検出する熱電対６Ｍと、温度制御手段３Ｍおよび温度制御手段３Ｓ１と、電力値Ｗｍを検出する電流・電圧検出手段５Ｍおよび現在電力ＰＶｓ１を検出する電流・電圧検出手段５Ｓ１と、目標電力ＳＰｓ１を算出する目標電力算出手段１Ｓ１とを備えている。温度制御手段３Ｍは、目標温度ＳＰｍおよび現在温度ＰＶｍを入力し、現在温度ＰＶｍが目標温度ＳＰｍに合うように電力を制御し、目標電力算出手段１Ｓ１は、電力値Ｗｍを入力し、電力値Ｗｍに所定の比率を乗じて目標電力ＳＰｓ１を算出し、温度制御手段３Ｓ１は、目標電力ＳＰｓ１、および現在電力ＰＶｓ１を入力し、現在電力ＰＶｓ１が目標電力ＳＰｓ１に合うように電力を制御している。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）