【課題】ＳＰＶ法により気相成長装置の清浄度を簡易に評価できる気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】Ｂがドーピングされたｐ型シリコンウェーハ５ａ上に、ドーパントを含まないシリコンエピタキシャル層９を、気相成長装置１内でエピタキシャル成長させ、ＳＰＶ法によりシリコンエピタキシャル層９より下層のｐ型シリコンウェーハ５ａで少数キャリアを発生させて少数キャリアの拡散長を測定することにより、ｐ型シリコンウェーハ５ａ中のＦｅの不純物濃度を算出し、不純物濃度から気相成長装置１の清浄度を評価する。よって、Ｆｅの不純物濃度の指標で気相成長装置１の清浄度を把握できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器４を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置２に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置４０において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段４２と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器４のクリーニングの要否を判断する判断手段４４とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。 （もっと読む）

【課題】 観察窓の位置に係わらず反応ガスの逆拡散を抑え、観察窓の曇りを防止した気相成長装置を提供する。
【解決手段】 反応ガスを供給して基板の被成膜面に成膜する気相成長装置であって、基板を保持する基板保持台と、基板保持台と対向して配置され、基板と対向する位置に貫通穴を有するシャワーヘッドと、内部にパージガスを充満し、貫通穴を介して前記基板の被成膜面を臨み得る観察窓を有するビューポートとを備え、基板と貫通穴の間に流す反応ガスの方向と、貫通穴と観察窓の間に流すパージガスの方向が逆方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる温度検出装置を提供する。
【解決手段】鉛直方向に延在するように設置され鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって前記絶縁管の貫通穴に挿通され前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されるように温度検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ビューポート内面に熱分解生成物などが付着することを防止し、ビューポートからの基板の光学的な監視、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】シーリングプレート１５で覆われた反応炉１１内に設置した基板１２を、あらかじめ設定された温度に加熱するとともに、前記反応炉内に原料ガスを供給して前記基板面に薄膜を形成する気相成長装置において、前記シーリングプレートの反応炉外部側に設けたビューポート１６と前記シーリングプレートに設けた通孔２３との間に筒状部材２１を配置し、該筒状部材内を、基板表面を監視、測定する光学的測定器２０の測定光を通すための光路とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Ｃにそれぞれ接続される複数のガス供給装置１０を具備し、前記各ガス供給装置１０が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管１と、各成分ガス供給管１を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構４と、各成分ガス供給管１を束ねる材料ガス供給管２とを具備しており、前記流量制御機構４が、各成分ガス供給管１にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁Ｖ、個別圧力センサＰ及び流体抵抗素子Ｒと、前記材料ガス供給管２に設けられた共通圧力センサＰＣと、各成分ガス供給管１を流れるガス流量を、個別圧力センサＰで測定した圧力及び前記共通圧力センサＰＣで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Ｖを制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ法によって、有効成膜面積を大面積化することのできる熱フィラメントＣＶＤ装置及びその装置を用いた薄膜の形成方法を得る。
【解決手段】薄膜を形成するための熱フィラメントＣＶＤ装置であって、フィラメントを固定するための少なくとも一対のフィラメント固定部と、フィラメント固定部の間の距離を変えるためのフィラメント固定部移動機構と、フィラメントの伸縮状態の変化を検出するためのフィラメントの伸縮状態検出手段と、を含み、フィラメントの伸縮状態検出手段が、少なくとも一対のフィラメント固定部の間の略中央の検出位置において、フィラメントからの少なくとも一つの波長の電磁波の強度変化を測定するための、又はフィラメントからの電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せを測定するための、電磁波測定機構を含む、熱フィラメントＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱するヒータの劣化を抑えてヒータ寿命を低下させることのない気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を載置するサセプタ１０２を、回転部１０４の円筒部１０４ａの上部で支持する。円筒部１０４ａの内部のＰ_２領域内には、シリコンウェハ１０１を下方側から加熱するヒータとして、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１を配置する。そして、Ｐ_２領域にはガス導入管１１１からパージガスを供給するとともに、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２上の所定位置から持ち上げ、回転部１０４の上方に配置するときには、パージガスの流量を増大させるようにする。 （もっと読む）

【課題】温度測定部が挿入され、反応管の内面に沿って延びる保護管が反応管の内面に張り付くのを避ける。
【解決手段】複数の基板が間隔をおいて重なるように当該複数の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管に収容される基板保持具に保持される複数の基板に対し、複数の基板上に成膜される薄膜の原料ガスを供給する原料ガス供給管と、反応管を支持する支持部と、反応管の外側に配置され、複数の基板を加熱する加熱部と、支持部に一端部で固定され、基板保持具と反応管との間において複数の基板の配列方向に沿って延び、内部に温度測定部が挿入される保護管と、保護管の外面と反応管の内面との少なくとも一方に設けられ、保護管の外面と反応管の内面との間に空隙を形成する突起部とを備える成膜装置により上記の課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置ＶＤと、排気装置ＶＤの排気状態を制御する制御装置ＣＴＬと、成膜処理室が成膜を行なう第１状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第１のピラニゲージＰＧＡと、成膜処理室の内部を洗浄する第２状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第２のピラニゲージＰＧＢとを備えている。上記制御装置ＣＴＬは、第１および第２状態の間で排気装置ＶＤの排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第１および第２のピラニゲージＰＧＡ，ＰＧＢを切換える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽１１内で、化学気相法により原料ガスから基板７１上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式（１）を満たす原料ガス供給流量Ｇ_０で反応漕１１内に原料ガスを供給し、次式（２）を満たす排気流量Ｇ_２で反応漕１１内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。Ｇ_０≦１０×Ｓ×ｈ…（１）Ｇ_２≦０．９０×Ｇ_０…（２）ここで、Ｓは基板面積であり、ｈは結晶成長速度である。 （もっと読む）

【課題】大気圧センサ４１が誤動作した場合にも処理室２０４外の大気が処理室２０４内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】 使用されるレーザビームの波長に制約を受けることなく、被加工物に対して十分な光量を有しかつ任意の断面形状を有するレーザビームを投射することが可能なレーザビーム投射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ光源（１）の出射光をＤＭＤ（２）のミラーアレイに照射し、その反射回折光を集光レンズ（３）と対物レンズ（４）で被加工物（８）に結像させる。ミラーアレイを通過した光が２本に分離しないよう、ＤＭＤ（２）を適切な角度（β）に傾け、ミラーアレイを通過した光が２本に分離することなく、被加工物に効率的に伝送されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼動状態を監視し、エコ運転状態への切り替え損ねを防ぐことが可能な稼動状態監視方法、及び稼動状態監視装置を提供すること。
【解決手段】
エコ運転であるか否かの判定対象となるデータ種別に対応するデータ値と、前記データ種別に対応するデータがとりうる境界を示す境界値と、を予め設定された所定の判定条件に基づいて比較し、前記データ値と前記境界値とを前記判定条件に基づいて比較した結果に応じて所定の動作を実行するようにした。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）