処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。
（もっと読む）

【課題】 サセプタの温度分布を低減し、ウェハの膜厚や発光波長の基板内分布が改善された横型気相成長装置を提供する。
【解決手段】 誘導加熱型のサセプタ上に載置した基板の基板面に対して平行に原料ガスを流して基板表面に結晶を成長させる横型気相成長装置であって、前記サセプタは、前記基板を載置する面と反対の面の中央部であって、前記基板を載置する面に垂直方向に熱電対が挿入されるための熱電対用穴を有し、かつ、前記基板を載置する面と反対の面の中央部に窪みを有する気相成長装置である。 （もっと読む）

【課題】 経時的に堆積される薄膜の膜厚を別部材を用いずとも簡単かつ容易に、さらには使い捨て可能な低コストで的確に測定しうる膜厚計を提供すること、及び該膜の成膜操作において、膜厚を簡単かつ容易に、さらには低コストで、的確に測定する方法を提供する。
【解決手段】 膜厚計を経時的に堆積される薄膜の膜厚を測定するための検出材料として圧電セラミックを用いてなる発振式質量膜厚計とし、また、膜厚測定法を、経時的に堆積される成膜操作において、それにより得られる成膜本体とは別に、検出材料として圧電セラミックを配設し、その表面に成膜本体と同様に或いは成膜本体の膜厚に比例して成膜させ、それによる質量変化に比例する、該圧電セラミックを組み入れた発振回路の発振周波数の変化を利用して行うものとする。 （もっと読む）

所望の質量の気体を搬送するシステムであって、チャンバと、前記チャンバへの気体フローを制御する第１の弁と、前記チャンバからの気体フローを制御する第２の弁と、前記チャンバ内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサと、このシステムから搬送される所望の質量の気体を提供する入力装置と、前記第１及び第２の弁と前記圧力トランスデューサと前記入力装置とに接続されたコントローラであって、前記所望の質量の気体を前記入力装置を介して受け取り、前記第２の弁を閉鎖し、前記第１の弁を開放し、前記圧力トランスデューサからチャンバ圧力測定値を受け取り、前記チャンバ内部の圧力が所定のレベルに到達すると前記入口弁を閉鎖し、所定の待機期間を待機して前記チャンバ内部の気体が平衡状態に近づくことを可能にし、時刻ｔ_０において出口弁を開放し、放出された気体の質量が前記所望の質量と等しくなる時刻ｔ^＊において前記出口弁を閉鎖するようにプログラムされているコントローラと、を含む。
（もっと読む）

【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

バッチ型処理装置内の装置の構成要素（２１、２５、２６、３５、９４、１０４、１１２、１１６、１２６）のプラズマエンハンスクリーニング方法及び、該クリーニングを監視し、制御する方法。該クリーニングは、バッチ型処理装置（１、１００）の処理チャンバ（１０、１０２）内にクリーニングガスを導入し、処理チャンバ内部の装置の構成要素に電力を印加することによりプラズマを形成し、揮発性反応生成物を形成するように処理チャンバ内の堆積物質をプラズマに露出し、処理装置から反応生成物を排出することにより実施される。処理装置の監視は、処理装置のクリーニング状態を確認することにより実施され、監視からの状態に基づいて、処理装置は、露出および監視を続行するか、クリーニング処理を終了するかが制御される。装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングができるバッチ型処理装置が提供され、監視および制御できる装置が提供される。
（もっと読む）

プラズマ堆積を使用して、プロセスチャンバ内で基板を覆う膜を処理する方法及びシステムが提供される。プラズマは、該プロセスチャンバ内に形成され、該膜を処理するのに適切なプロセスガス混合物が、プロセス条件のセットの下で、該プロセスチャンバ内に流される。該プロセスガス混合物は、ケイ酸塩ガラスを堆積させるために、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを含んでもよく、該ガスは、場合により、具体的に所望される光特性を得るためにドープすることもできる。該プロセス条件を、パラメータの値、該膜の光特性及び該プロセス条件の間の相関関係に従って変更できるように、膜の処理中にパラメータがモニタされる。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

本発明は、基材表面（１６）をプラズマ処理するための装置（１０）を提供する。本装置は、プラズマを発生させるためのプラズマ源（１２）及びプラズマ制御電極（１４）とを含んで構成される。本装置は更に、プラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）との相対的運動、又はプラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）の基材（１６）に対する相対的運動を行わせるための駆動手段を含んで構成される。プラズマ制御電極（１４）は、基材（１６）に隣接して配置され、基材表面（１６）の制御された処理を容易にするものである。
（もっと読む）

ＲＦセンサをＲＦ電流キャリアと電気的接触させるためのクランプアセンブリが、本明細書で提供される。クランプアセンブリ（１０１）は、第一のウェッジ状エレメント（１０３）と、第一のウェッジ状エレメントとスライドして係合する第二のウェッジ状エレメント（１０５）を備える。さらに、クランプアセンブリは、第一と第二のウェッジ状エレメントが配置される首部（１１３）を備えることが好ましい。クランプアセンブリは、さらに、第一と第二のエレメントを隣接させるネジのような締め付け具（１１１）を備えることが好ましい。この場合、ネジが第一の方向に回転するにつれ、第一と第二のエレメントの少なくとも一方が、首部および／またはＲＦ電流キャリアに対して膨張するのに、クランプアセンブリは、適応するようになっている。
（もっと読む）

コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）

本発明は、熱処理システム内で基板を熱処理する方法に関する。この方法では、基板の目標温度を用意し、熱処理システム内で基板の移動プロファイルを生じさせる。第一位置で基板に熱量を加え、この第一位置で基板上の一つ又は複数の位置に関係する一つ又は複数の温度を測定し、これら一つ又は複数の測定された温度、基板の位置、及び熱処理システムと基板の熱モデルに基づいて、基盤の理論的な位置を生じさせる。また、基板の移動プロファイルに従って、基板の予測された温度プロファイルを生じさせるが、この予測された温度プロファイルは、一つ又は複数の測定された温度と、基板の理論的な位置と、予測された温度プロファイルに基づいて決定された予測された最大の温度に基づく。さらに、予測された最大の温度が目標の基板の温度と等しくなるか、大きくなる時、移動プロファイルに従って、基板を第二位置に移動させる。さらに、理論的な位置のエラーを修正するため、オフセットを用いる。
（もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
（もっと読む）

堆積方法は、基板上の被覆のプラズマ強化化学的気相成長のために、熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）のチャンバ内のターゲットプロセス状態を決定することを含み、発生器（１０２、２０２）は、カソード（１０６、２０６）、取り替え可能なカスケードプレート、及び同心オリフィスを有する発生器（１０８、２０８）を備え、堆積方法はさらに、カスケードプレートを、識別されたターゲットプロセス状態を生じるように構成されたオリフィスを有する他のプレートと取り替えることと、プラズマ発生器（１０２、２０２）にプラズマガスを提供することによってターゲットプロセス状態でプラズマを生成し、且つ発生器（１０２、２０２）内のカソード（１０６、２０６）と発生器（１０８、２０８）との間でアーク内のプラズマガスをイオン化し、且つ堆積チャンバにおいて基板上にプラズマとしてガスを膨張することとを含む。制御可能なプラズマを生成するための堆積装置（１００）であって、大気圧下の圧力で維持されるように構成される堆積チャンバと、堆積チャンバ内の物品支持体と、カソード（１０６、２０６）、単一のカスケードプレート、発生器（１０８、２０８）、及び１ｍｍ〜２０ｍｍ未満の長さのオリフィスを有する、カスケードプレートを介する連絡オリフィスを備える熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）とを備える。 （もっと読む）

本発明は、薄膜蒸着方法を提供する。ウェーハブロック上に基板をローディングする基板ローディングステップと、基板ローディング後に第１反応ガス及び熱的に活性化された第２反応ガスを、第１噴射孔及び第２噴射孔を介して基板上に噴射することによって薄膜を蒸着する薄膜蒸着ステップと、薄膜蒸着ステップ以後、水素原子を含む熱処理ガスを流して、薄膜内に含まれた不純物の含量を減らす後処理ステップと、後処理ステップ以後、薄膜が蒸着された基板をウェーハブロックでアンローディングするアンローディングステップと、を含み、ここで、第２反応ガスは、ガス加熱流路部を経る前にＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_２の温度を有するとき、Ｔ_２が前記Ｔ_１より大きく、熱処理ガスは、ガス加熱流路部を経る前のＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_３の温度を有するとき、Ｔ_３がＴ_１と同じであるか、または大きいことを特徴とする。
（もっと読む）

プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】高品質のガラス膜を形成し、信頼性の高い光ファイバプリフォームを形成する方法および装置を提供する。添加物密度の均一な光ファイバプリフォームを提供する方法および装置を提供する。
【解決手段】ガラス管１００内に、プラズマ領域ＰＲを形成し、前記ガラス管を前記プラズマ領域に対して相対的に往復運動させることにより、プラズマ誘起ＣＶＤ法により、前記ガラス管内面にガラス膜を成膜する工程を含む光ファイバプリフォームの製造方法において、前記プラズマ領域に磁界を印加し、プラズマを封じこめつつ、成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）