基板処理装置
【課題】複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できるようにする。
【解決手段】基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内および配管内のガスを排気するガス排気系と、を有した基板処理装置において、配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設ける。
【解決手段】基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内および配管内のガスを排気するガス排気系と、を有した基板処理装置において、配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスでは、多種多様なガスを使用する。そのため、例えば可燃性ガスと支燃性ガスのように、組み合わせるガス種類によっては混蝕発火の危険性がある点に留意する必要がある。このことから、複数種類の処理ガスを使用する基板処理装置では、以下に述べる排気シーケンス制御によって、当該複数種類の処理ガスの混蝕を回避することが一般的に行われている。すなわち、基板を収容した処理室内へ処理ガスを供給した後、その処理室内およびこれに連なる配管内に滞留するガスの排気を開始すると、その排気開始から一定時間が経過するまでは排気動作を継続して行う。そして、一定時間が経過して処理室内および配管内に残存するガスがなくなったら、当該ガスの排気が完了した旨の情報表示をして、別種類の処理ガスの処理室内への供給を開始可能にする。このような排気シーケンスを、各種の処理ガスについて繰り返し行う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した排気シーケンス制御を行う基板処理装置において、処理室内および配管内からの滞留ガスの排気は、当該配管におけるバルブ開閉状態の切り替えが正しく行われたことを契機にして開始される。しかしながら、バルブ開閉状態の切り替えは、例えば作業員がマニュアル操作で実行した場合には、作業ミスにより誤って行われるおそれがある。その場合に、作業員は、操作直後に誤りに気付くことは稀で、操作から一定時間が経過しても排気完了の情報表示がされないことによって初めて誤りに気付くことが殆どである。したがって、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われると、作業員がそのことに気付くのが遅れる分、排気シーケンスが完了するまでに多くの時間を要することになる。
【０００４】
本発明は、複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、を有し、前記配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設けたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置によれば、ガス排気が正しく開始されないと、直ちにそのことを認識できる。したがって、排気完了までに多くの時間を要してしまうのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は処理炉の横断面概略図をそれぞれ示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる基板処理工程の手順を示すフロー図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のプロセスシーケンスを示すチャート図である。
【図５】本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。
【図６】本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図であり、（ａ）は第１処理ガスの供給状態を示す図、（ｂ）は正常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図、（ｃ）は異常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図であり、（ａ）は第１処理ガスの供給状態を示す図、（ｂ）は正常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図、（ｃ）は異常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の構成例について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は、筐体１１１を備えている。シリコン等からなるウエハ（基板）２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収納容器）としてのカセット１１０が使用される。筐体１１１内側の前方（図中の右側）には、カセットステージ（基板収納容器受渡し台）１１４が設けられている。カセット１１０は、図示しない工程内搬送装置によってカセットステージ１１４上に載置され、また、カセットステージ１１４上から筐体１１１外へ搬出されるように構成されている。
【００１１】
カセット１１０は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させ、カセット１１０内のウエハ２００を水平姿勢とさせ、カセット１１０のウエハ出し入れ口を筐体１１１内の後方を向かせることが可能なように構成されている。
【００１２】
筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収納容器載置棚）１０５が設置されている。カセット棚１０５には、複数段、複数列にて複数個のカセット１１０が保管されるように構成されている。カセット棚１０５には、後述するウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には、予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収納容器搬送装置）１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収納容器昇降機構）１１８ａと、カセット１１０を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収納容器搬送機構）１１８ｂと、を備えている。これらカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連携動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、
予備カセット棚１０７、移載棚１２３の間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、を備えている。なお、ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００を水平姿勢で保持するツイーザ（基板移載用治具）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連携動作により、ウエハ２００を移載棚１２３上のカセット１１０内からピックアップして後述するボート（基板支持部材）２１７へ装填（チャージング）したり、ウエハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して移載棚１２３上のカセット１１０内へ収納したりするように構成されている。
【００１５】
筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部には開口が設けられ、かかる開口は炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。なお、処理炉２０２の構成については後述する。
【００１６】
処理炉２０２の下方には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する昇降機構としてのボートエレベータ（基板支持部材昇降機構）１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が設けられている。アーム１２８上には、ボート２１７を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が上昇したときに処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。
【００１７】
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００を、水平姿勢で、かつその中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の詳細な構成については後述する。
【００１８】
カセット棚１０５の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット１３４ａが設けられている。クリーンユニット１３４ａは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
【００１９】
また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ及びボート２１７の周囲を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるように構成されている。
【００２０】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。
【００２１】
まず、カセット１１０が、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ２００が垂直姿勢となりカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させられる。その結果、カセット１１０内のウエハ２００は水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口は筐体１１１内の後方を向く。
【００２２】
カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、カセット棚１０５又は予備カセット棚１０７から移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００２３】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてカセット１１０からピックアップされ、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作によって移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構１２５は、カセット１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００２４】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、ウエハ２００群を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）される。ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、ウエハ２００およびカセット１１０は、上述の手順とは逆の手順で筐体１１１の外部へ払出される。
【００２５】
（３）処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図２（ａ）に示す処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。
【００２６】
（処理室）
本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２は、反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３を有している。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。反応管２０３の下端部は、上述したボートエレベータ１１５が上昇した際に、例えばステンレス等の金属からなり円盤状に形成されたシールキャップ２１９により気密に封止されるように構成されている。反応管２０３の下端部とシールキャップ２１９との間には、処理室２０１内を気密に封止するＯリングなどの封止部材２２０が設けられている。
【００２７】
反応管２０３の内部には、基板としてのウエハ２００が収容される処理室２０１が形成されている。処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が下方から挿入されるように構成されている。反応管２０３の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外形よりも大きくなるように構成されている。
【００２８】
ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料によって形成され、複数枚（例えば７５枚から１００枚）のウエハ２００を、略水平状態で所定の隙間（基板ピッチ間隔）をもって多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、ボート２１７からの熱伝導を遮断する断熱キャップ２１８上に搭載されている。断熱キャップ２１８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料によって形成され、回転軸２５５により下方から支持されている。回転軸２５５は、処理室２０１内の気密を保持しつつ、シールキャップ２１９の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ２１９の下方には、回転軸２５５を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７が回転軸２５５を回転させることで、処理室２０１内の気密を保持したまま、複数のウエハ２００を搭載した
ボート２１７を回転させ得るように構成されている。
【００２９】
反応管２０３の外周には、反応管２０３と同心円状に加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００３０】
反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３は、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。温度センサ２６３の垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。温度センサ２６３で検出された温度情報に基づきヒータ２０７の加熱温度を調整することで、処理室２０１内が所望の温度分布となるように構成されている。
【００３１】
（気化ガス供給系）
反応管２０３には、気化ガス導入部としての気化ガスノズル２３３ａが設けられている。気化ガスノズル２３３ａは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部側面には、気化ガス供給孔２４８ａが鉛直方向に複数設けられている。気化ガス供給孔２４８ａの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。気化ガスノズル２３３ａの水平部は、反応管２０３の側壁を貫通するように設けられている。
【００３２】
反応管２０３の側壁から突出した気化ガスノズル２３３ａの水平端部（上流側）には、気化ガスを処理室２０１内へ供給する気化ガス供給管２４０ａの下流端が接続されている。気化ガス供給管２４０ａには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ５４３、気化器（気化装置）５００、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、開閉弁である開閉バルブ２４３ａが設けられている。気化器２６０は、図示せぬ液体原料供給源から開閉バルブ５４３を介して供給される液体原料を受け取ると、これを所定温度に加熱して気化させ、気化ガス（原料ガス）を生成するように構成されている。マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａは、気化ガスの流量をモニタして、気化器５００での気化量のフィードバック制御を可能にするように構成されている。また、開閉バルブ２４３ａを開けることにより、気化器５００にて生成された気化ガスが処理室２０１内へ供給されるように構成されている。
【００３３】
主に、気化ガスノズル２３３ａ、気化ガス供給管２４０ａ、気化器５００、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、開閉バルブ２４３ａにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである気化ガス供給系が構成されている。気化ガス供給系によって、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコン（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤ）ガスを用いることができる。なお、シリコン原料ガスは、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良いが、ここでは液体として説明する。シリコン原料ガスが常温常圧で気体の場合は気化器５００を設ける必要はない。
【００３４】
（反応ガス供給系）
反応管２０３には、反応ガス導入部としての反応ガスノズル２３３ｂが設けられている。反応ガスノズル２３３ｂは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部側面には、反応ガス供給孔２４８ｂが鉛直方向に複数設けられている。反応ガス供給孔２４８ｂの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい
。反応ガスノズル２３３ｂの水平部は、反応管２０３の側壁を貫通するように設けられている。
【００３５】
反応管２０３の側壁から突出した反応ガスノズル２３３ｂの水平端部（上流側）には、反応ガスを処理室２０１内へ供給する反応ガス供給管２４０ｂの下流端が接続されている。反応ガス供給管２４０ｂの上流側には、第１の処理ガス供給管（以下、単に「第１供給管」という。）２４０ｃの下流端と、第２の処理ガス供給管（以下、単に「第２供給管」という。）２４０ｄの下流端が接続されている。すなわち、反応ガス供給管２４０ｂの上流側は、第１供給管２４０ｃの下流端と第２供給管２４０ｄの下流端との両方に繋がっている。
【００３６】
第１供給管２４０ｃには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ２４３ｃ、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、開閉弁である開閉バルブ２４４ｃが設けられている。第１供給管２４０ｃの上流端には図示せぬ第１処理ガス供給源が接続されており、開閉バルブ２４３ｃおよび開閉バルブ２４４ｃを開けることにより、第１処理ガス供給源からの第１処理ガスが、第１供給管２４０ｃおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内への第１処理ガスの供給流量は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃによって制御可能に構成されている。
【００３７】
主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、第１供給管２４０ｃ、開閉バルブ２４３ｃ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、開閉バルブ２４４ｃにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである第１処理ガス供給系が構成されている。第１処理ガス供給系によって、例えば窒素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、第１処理ガスとして処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００３８】
第２供給管２４０ｄには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ２４３ｄ、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、開閉弁である開閉バルブ２４４ｄが設けられている。第２供給管２４０ｄの上流端には図示せぬ第２処理ガス供給源が接続されており、開閉バルブ２４３ｄおよび開閉バルブ２４４ｄを開けることにより、第２処理ガス供給源からの第２処理ガスが、第２供給管２４０ｄおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内への第２処理ガスの供給流量は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄによって制御可能に構成されている。
【００３９】
主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、第２供給管２４０ｄ、開閉バルブ２４３ｄ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、開閉バルブ２４４ｄにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである第２処理ガス供給系が構成されている。第２処理ガス供給系によって、例えば酸素（Ｏ）を含むガス（酸素含有ガス）が、第２処理ガスとして処理室２０１内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガスを用いることができる。
【００４０】
（キャリアガス供給系）
第１供給管２４０ｃにおけるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃと開閉バルブ２４４ｃの間には、キャリアガス供給管２４０ｅの下流端が接続されている。また、第２供給管２４０ｄにおけるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄと開閉バルブ２４４ｄの間には、キャリアガス供給管２４０ｆの下流端が接続されている。これらキャリアガス供給管２４０ｅおよびキャリアガス供給管２４０ｆの上流端は、いずれも、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）等の不
活性ガスを供給する図示しないキャリアガス供給源に接続されている。
【００４１】
キャリアガス供給管２４０ｅには、開閉弁である開閉バルブ２４３ｅが設けられている。開閉バルブ２４３ｅを開けることにより第１供給管２４０ｃ内にキャリアガスが供給され、第１処理ガスとキャリアガスとの混合ガスが第１供給管２４０ｃおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。
【００４２】
キャリアガス供給管２４０ｆには、開閉弁である開閉バルブ２４３ｆが設けられている。開閉バルブ２４３ｆを開けることにより第２供給管２４０ｄ内にキャリアガスが供給され、第２処理ガスとキャリアガスとの混合ガスが第２供給管２４０ｄおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。
【００４３】
主に、キャリアガス供給管２４０ｅ，２４０ｆ、開閉バルブ２４３ｅ，２４３ｆ、図示しないキャリアガス供給源により、本実施形態に係るキャリアガス供給系が構成されている。
【００４４】
（パージガス供給管）
気化ガス供給管２４０ａにおける開閉バルブ２４３ａの下流側には、第１パージガス管２４０ｇの下流端が接続されている。第１パージガス管２４０ｇには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｇ、開閉弁である開閉バルブ２４３ｇが設けられている。開閉バルブ２４３ｇを開けることにより、処理室２０１内へのパージガスの供給を行い、気化ガス供給管２４０ａ内および処理室２０１内からの気化ガスの排出を促すように構成されている。
【００４５】
同様に、反応ガス供給管２４０ｂには、第２パージガス管２４０ｈの下流端が接続されている。接続箇所は、第１供給管２４０ｃにおける開閉バルブ２４４ｃおよび第２供給管２４０ｄにおける開閉バルブ２４４よりも下流側に位置している。第２パージガス管２４０ｈには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｈ、開閉バルブ２４３ｈが設けられている。開閉バルブ２４３ｈを開けることにより、処理室２０１内へのパージガスの供給を行うように構成されている。さらに詳しくは、開閉バルブ２４３ｈ，２４４ｃを開け、開閉バルブ２４３ｃ，２４３ｅ，２４４ｄを閉じることで、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始して、第１供給管２４０ｃ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、処理室２０１内からの第１処理ガスの排出を促すことが可能となる。また、開閉バルブ２４３ｈ，２４４ｄを開け、開閉バルブ２４３ｄ，２４３ｆ，２４４ｃを閉じることで、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始して、第２供給管２４０ｄ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、処理室２０１内からの第２処理ガスの排出を促すことが可能となる。
【００４６】
主に、第１パージガス管２４０ｇ、第２パージガス管２４０ｈ、開閉バルブ２４３ｇ，２４３ｈ、図示しないパージガス供給源により、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。
【００４７】
（ガス排気系）
反応管２０３の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系としての排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４６、真空排気装置としての真空ポンプ２４７が設けられている。真空ポンプ２４７を作動させつつ、ＡＰＣバルブ２４６の開閉弁の開度を調整することにより、処理室２０１内を所望の圧力とし、処理室２０１内およびこれに連なる気化ガス供給管
２４０ａ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、第１供給管２４０ｃ内、第２供給管２４０ｄ内等からの滞留ガスの排気を行うことが可能なように構成されている。
【００４８】
主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４６、真空ポンプ２４７により、本実施形態に係るガス排気系が構成されている。
【００４９】
（コントローラ）
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、ヒータ２０７、ＡＰＣバルブ２４６、真空ポンプ２４７、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５、開閉バルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４４ｃ，２４４ｄ，５４３、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｇ，２４１ｈ等に接続されている。コントローラ２８０により、ヒータ２０７の温度調整動作、ＡＰＣバルブ２４６の開閉および圧力調整動作、真空ポンプ２４７の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ２１５の昇降動作、開閉バルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４４ｃ，２４４ｄ，５４３の開閉動作、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｇ，２４１ｈの流量調整等の制御が行われる。また、コントローラ２８０は、上記の各種制御機能に加えて、タイマー機能および情報記憶機能を有している。
【００５０】
（ガスパターンパネル）
コントローラ２８０には、表示部（表示手段）であるガスパターンパネル２８１が接続されている。ガスパターンパネル２８１には、後述するガス排気状態についての情報を表示する表示部分であるＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示器が設けられている。ＬＥＤ表示器は、気化ガス供給系、第１処理ガス供給系、第２処理ガス供給系、処理室２０１のそれぞれについて個別に設けられている。ただし、必ずしも個別である必要はなく、これらの一部または全部について兼用するように設けられていてもよい。
【００５１】
（４）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、本発明の一実施形態としての基板処理工程の手順を示すフロー図である。図４は、本発明の一実施形態としての基板処理工程におけるプロセスシーケンスを示すチャート図である。
【００５２】
本実施形態で説明する基板処理工程は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ法を用いてウエハ２００の表面に成膜をする方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。ここでは、気化ガスとしてシリコン含有ガスであるＨＣＤガスを、反応ガスのうちの第１処理ガスとして窒素含有ガスであるＮＨ３ガスを、反応ガスのうちの第２処理ガスとして酸素含有ガスであるＯ２ガスをそれぞれ用い、ウエハ２００上に絶縁膜としてシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０１を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００５３】
（基板搬入工程）
まず、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。基板搬入工程（Ｓ１０）においては、開閉バルブ２４３ｇ、開閉バルブ２４３ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。
【００５４】
（減圧および昇温工程）
続いて、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを閉め、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２４７により排気（圧力調整）する。この際、処理室２０１内の圧力を圧力センサ２４５で測定して、この測定された圧力に基づき、ＡＰＣバルブ２４６の開度をフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱（温度調整）する。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合をフィードバック制御する。そして、回転機構２６７によりボート２１７を回転させ、ウエハ２００を回転させる。
【００５５】
（成膜工程）
続いて、成膜工程を実施する。成膜工程では、ウエハ２００上にＨＣＤガスを供給するＨＣＤ供給工程（ステップ１１）と、ＨＣＤガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１２）と、ウエハ２００上にＮＨ３ガスを供給するＮＨ３供給工程（ステップ１３）と、ＮＨ３ガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１４）と、ウエハ２００上にＯ２ガスを供給するＯ２供給工程（ステップ１５）と、Ｏ２ガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１６）と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返す。
【００５６】
（ＨＣＤ供給工程（ステップ１１））
ＨＣＤ供給工程（ステップ１１）では、気化ガス供給管２４０ａの開閉バルブ５４３，２４３ａを開き、気化器５００を介して気化ガス供給管２４０ａ内にＨＣＤガスを流す。気化ガス供給管２４０ａ内を流れたＨＣＤガスは、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＨＣＤガスは気化ガスノズル２３３ａの気化ガス供給孔２４８ａから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。このとき、同時に開閉バルブ２４３ｇを開き、第１パージガス管２４０ｇ内にＮ２ガス等の不活性ガスを流す。第１パージガス管２４０ｇ内を流れたＮ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｇにより流量調整される。流量調整されたＮ２ガスはＨＣＤガスと一緒に処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００５７】
このとき、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＨＣＤガスの供給流量は、例えば１００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｇで制御するＮ２ガスの供給流量は、例えば２００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＨＣＤガスをウエハ２００に晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ２００の温度が、例えば３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ２００の温度が３００℃未満となるとウエハ２００上にＨＣＤが吸着しにくくなる。また、ウエハ２００の温度が６５０℃を超えるとＣＶＤ反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ２００の温度は３００〜６５０℃の範囲内の温度とするのが好ましい。
【００５８】
ＨＣＤガスの供給により、ウエハ２００表面の下地膜上に、シリコンを含む第１の層が形成される。すなわち、ウエハ２００上（下地膜上）に１原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層（Ｓｉ層）が形成される。シリコン含有層はＨＣＤの化学吸着層であってもよい。なお、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。ここでシリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もあ
る。また、ＨＣＤの化学吸着層とはＨＣＤ分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、ウエハ２００上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ１３での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なシリコン含有層の最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、ＨＣＤガスが自己分解する条件下では、ウエハ２００上にシリコンが堆積することでシリコン層が形成され、ＨＣＤガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤが化学吸着することでＨＣＤの化学吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＨＣＤの化学吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にシリコン層を形成する方が成膜レートを高くすることができ好ましい。
【００５９】
シリコン含有ガスとしては、ＨＣＤガスの他、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４、略称：ＴＣＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２））４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２））３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスなどの有機原料を用いてもよい。
【００６０】
（残留ガス除去工程（ステップ１２））
残留ガス除去工程（ステップ１２）では、シリコン含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、気化ガスノズル２３３ａ内および気化ガス供給管２４０ａ内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを、処理室２０１内、気化ガスノズル２３３ａ内および気化ガス供給管２４０ａ内から排除する。なお、このとき、バルブ２４３ｇは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。
【００６１】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００６２】
（ＮＨ３供給工程（ステップ１３））
ＮＨ３供給工程（ステップ１３）では、第１供給管２４０ｃの開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃを開き、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内にＮＨ３ガスを流す。第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＮＨ３ガスは、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整される。流量調整されたＮＨ３ガスは、反応ガスノズル２３３ｂの反応ガス供給孔２４８ｂから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＮＨ３ガスは、熱により活性化される。このとき、同時にバルブ２４３ｈを開き、第２パージガス管２４０ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＮＨ３ガスと一緒に処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００６３】
ＮＨ３ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば５０〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｃで制御するＮＨ３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、例えば２００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＮＨ３ガスにウエハ２００
を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１１と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。ＮＨ３ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度では反応しづらいので、処理室２０１内の圧力を上記のような高い圧力とすることにより熱的に活性化することを可能にしている。なお、ＮＨ３ガスは熱で活性化させて供給したほうが、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。
【００６４】
このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＮＨ３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスは流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＮＨ３ガスは、ステップ１１でウエハ２００上に形成された第１の層としてのシリコン含有層の一部と反応する。これによりシリコン含有層は窒化されて、シリコン（第１の元素）および窒素（第２の元素）を含む第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと改質される。
【００６５】
このとき、シリコン含有層の窒化反応は飽和させないようにする。例えばステップ１１で数原子層のシリコン層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の一部を窒化させる。すなわち、その表面層のうちの窒化が生じ得る領域（シリコンが露出した領域）の一部もしくは全部を窒化させる。この場合、第１の層の全体を窒化させないように、第１の層の窒化反応が非飽和となる条件下で窒化を行う。なお、条件によっては第１の層の表面層から下の数層を窒化させることもできるが、その表面層だけを窒化させるほうが、シリコン酸窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ１１で１原子層または１原子層未満のシリコン層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を窒化させる。この場合も、第１の層の全体を窒化させないように、第１の層の窒化反応が非飽和となる条件下で窒化を行う。
【００６６】
窒素含有ガスとしては、ＮＨ３ガス以外に、Ｎ２ガス、ＮＦ３ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等を用いてもよい。
【００６７】
（残留ガス除去工程（ステップ１４））
残留ガス除去工程（ステップ１４）では、シリコン含有層がシリコン窒化層へ改質された後、第１供給管２４０ｃの開閉バルブ２４３ｃを閉じ、ＮＨ３ガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第１供給管２４０ｃ内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ３ガスを、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第１供給管２４０ｃ内から排除する。なお、このとき、バルブ２４３ｈは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ３ガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。
【００６８】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００６９】
（Ｏ２供給工程（ステップ１５））
Ｏ２供給工程（ステップ１５）では、第２供給管２４０ｄの開閉バルブ２４３ｄ，２４４ｄを開き、第２供給管２４０ｄ内および反応ガス供給管２４０ｂ内にＯ２ガスを流す。第２供給管２４０ｄ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＯ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｄにより流量調整される。また、第２パージガス管２４０ｈの開閉バルブ２４３ｈを開き、第２パージガス管２４０ｈ内および反応ガス供給管２４０ｂ内に参
加反応抑制ガスとしてのＮ２ガスを流す。第２パージガス管２４０ｈ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＮ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｈにより流量調整される。流量調整されたＯ２ガスは流量調整されたＮ２ガスと反応ガス供給管２４０ｂ内で混合されて、反応ガスノズル２３３ｂの反応ガス供給孔２４８ｂから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＯ２ガスは、熱により活性化される。ただし、高周波電力の印加によりＯ２ガスをプラズマで活性化させるようにしてもよい。
【００７０】
Ｏ２ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＯ２ガスの供給流量は、例えば１００〜５０００ｓｃｃｍ（０．１〜５ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈで制御する酸化反応抑制ガスとしてのＮ２ガスの供給流量は、Ｏ２ガスの供給流量よりも大流量とし、例えば１０００〜２００００ｓｃｃｍ（１〜２０ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。Ｏ２ガスにウエハ２００を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１１，１３と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。Ｏ２ガスは上記のような条件下で熱的に活性化される。なお、Ｏ２ガスは熱で活性化させて供給したほうが、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する酸化をソフトに行うことができる。
【００７１】
このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＯ２ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスもＮＨ３ガスも流していない。したがって、Ｏ２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＯ２ガスは、ステップ１３でウエハ２００上に形成された第２の層としてのＳｉＮ層の一部と反応する。これによりＳｉＮ層は酸化されて、シリコン（第１の元素）、窒素（第２の元素）および酸素（第３の元素）を含む第３の層、すなわち、シリコン酸窒化層（ＳｉＯＮ層）へと改質される。
【００７２】
このとき、ＳｉＮ層の酸化反応は飽和させないようにする。例えばステップ１１〜１３で数原子層のＳｉＮ層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の少なくとも一部を酸化させる。この場合、ＳｉＮ層の全体を酸化させないように、ＳｉＮ層の酸化反応が非飽和となる条件下で酸化を行う。なお、条件によってはＳｉＮ層の表面層から下の数層を酸化させることもできるが、その表面層だけを酸化させるほうが、シリコン酸窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ１１〜１３で１原子層または１原子層未満のＳｉＮ層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を酸化させる。この場合も、ＳｉＮ層の全体を窒化させないように、ＳｉＮ層の酸化反応が非飽和となる条件下で酸化を行う。
【００７３】
酸素含有ガスとしては、Ｏ２ガス以外に、Ｏ３ガス、ＮＯ、Ｎ２Ｏガス等を用いてもよい。酸化反応抑制ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の希ガスを用いてもよい。
【００７４】
（残留ガス除去工程（ステップ１６））
残留ガス除去工程（ステップ１６）では、ＳｉＮ層がＳｉＯＮ層へ改質された後、第２供給管２４０ｄの開閉バルブ２４３ｄを閉じ、Ｏ２ガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第２供給管２４０ｄ内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ２ガスを、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第２供給管２４０ｄ内から排除する。このとき、バルブ２４３ｈは開いたままとして、
Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ２ガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。なお、このとき、マスフローコントローラ２４１ｈを制御して、第２パージガス管２４０ｈから供給するＮ２ガスの供給流量を１０００〜２００００ｓｃｃｍ（１〜２０ｓｌｍ）から２００〜１０００ｓｃｃｍ（０．２〜１ｓｌｍ）へと変更する。
【００７５】
上述したステップ１１〜１６を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のシリコン（第１の元素）、窒素（第２の元素）および酸素（第３の元素）を含む薄膜、すなわちシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
【００７６】
（パージおよび大気圧復帰工程）
所定圧のシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成する成膜工程がなされると、Ｎ２ガス等の不活性ガスが処理室２０１内へ供給されつつ排気されることで処理室２０１内が不活性ガスでパージされる（ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００７７】
（基板搬出工程）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０３の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態で反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。
【００７８】
（５）排気シーケンス制御
次に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１のコントローラ２８０が実行する排気シーケンス制御について説明する。
【００７９】
上述した基板処理工程では、ＨＣＤガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガスといった複数種類のガスを使用するが、ＨＣＤガスおよびＮＨ３ガスは可燃性ガスであり、Ｏ２ガスは支燃性ガスであることから、これらが混蝕してしまうのを回避する必要がある。また、異種ガスがウエハ２００上以外の箇所で反応して当該箇所に堆積物を生成してしまうと、配管やノズル等の詰まりやパーティクル発生の要因となり得るため、この点からも異種ガス間の混蝕発生は回避すべきである。そのために、コントローラ２８０は、基板処理工程の過程において、以下に述べるような排気シーケンス制御を行う。
【００８０】
以下の説明では、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）において第１処理ガスとしてのＮＨ３ガスを供給した後、残留ガス除去工程（ステップ１４）を経て、Ｏ２供給工程（ステップ１５）での第２処理ガスとしてのＯ２ガスの供給開始に至るまでの間における排気シーケンス制御を例に挙げる。これは、ＮＨ３ガスとＯ２ガスとがいずれも反応ガス供給管２４０ｂおよび反応ガスノズル２３３ｂを通じて処理室２０１内に供給されるため、混蝕発生の危険性が高いからである。ただし、ＨＣＤ供給工程（ステップ１１）の後における残留ガス除去工程（ステップ１２）と、Ｏ２供給工程（ステップ１５）の後における残留ガス除去工程（ステップ１６）とについても、以下の説明と同様の排気シーケンス制御が行われるものとする。
【００８１】
（比較例における排気シーケンス制御）
ここで、本実施形態の排気シーケンス制御の説明に先立ち、その比較例として従来構成による排気シーケンス制御について、図５および図６を参照しながら説明する。図５は、本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す
模式図である。図６は、本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図である。
【００８２】
図５に示すように、参考例の排気シーケンス制御では、コントローラ２８０からの指示に従いつつ、ガスパターンパネル２８１がガス排気状態について「ガス残留状態」（図中ＮＧ表示参照）と「排気完了状態」（図中ＯＫ表示参照）との二段階で表示する。また、コントローラ２８０は、残留ガス除去工程（ステップ１４）でのガス排気に関連する全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆの開閉状態を認識し、バルブ開閉状態の切り替えが正しく行われたこと、すなわちバルブ開閉状態が所定排気条件に合致したことを契機にして、滞留ガスの排気を開始するとともに、タイマー機能による計時を開始する。そして、排気開始から一定時間が経過するまでは排気動作を継続して行い、一定時間が経過したら排気完了の信号をガスパターンパネル２８１へ出力する。これにより、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気完了状態」へ切り替わることになる。
【００８３】
このような参考例の排気シーケンス制御により、例えば図６（ａ）に示すＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中、すなわち開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが開状態でＮＨ３ガスが第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れている状態では、ガスパターンパネル２８１が第１処理ガスであるＮＨ３ガスについて「ガス残留状態」であることを表示する。その後、例えば図６（ｂ）に示すように、残留ガス除去工程（ステップ１４）において開閉バルブ２４３ｃが閉状態に切り替わると、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件との合致を契機にしてタイマー機能による計時が開始される。そして、一定時間が経過すると、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が完了したとみなし、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気完了状態」へ切り替わる。第２処理ガスであるＯ２ガスについては、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）および残留ガス除去工程（ステップ１４）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示が「排気完了状態」のままである。
【００８４】
ただし、バルブ開閉状態の切り替えは、コントローラ２８０が所定プログラムに従って自動制御する場合であれば問題が生じる可能性は極めて低いが、例えば作業員によるマニュアル操作に従って実行する場合には、作業ミスにより誤って行われるおそれがある。その場合には、例えば図６（ｃ）に示すように、開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが閉状態に切り替わっても第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が開始されず、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件に合致しないことからタイマー機能による計時も開始されず、バルブ切り替え作業から一定時間が経過してもガスパターンパネル２８１での表示が切り替わらずに「ガス残留状態」のままとなる。つまり、作業員は、操作直後に誤りに気付くことは稀で、操作から一定時間が経過しても「排気完了状態」への表示切り替えがされないことによって初めて誤りに気付くことが殆どである。したがって、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われると、作業員がそのことに気付くのが遅れる分、残留ガス除去工程（ステップ１４）が完了するまでに多くの時間を要することになり、Ｏ２供給工程（ステップ１５）の開始が遅れてしまうことになる。
【００８５】
（本実施形態における排気シーケンス制御）
本実施形態における排気シーケンス制御は、上述した参考例の排気シーケンス制御の問題点であった残留ガス排気時のバルブ開閉状態の誤りによる作業時間増大を抑制し、これにより次に行うガス供給行程を迅速に開始できるようにする。
【００８６】
図７は、本発明の一実施形態による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。図８は、本発明の一実施形態による排気シーケンス制御の一具体例を示す
模式図である。
【００８７】
図７に示すように、本実施形態の排気シーケンス制御では、コントローラ２８０からの指示に従いつつ、ガスパターンパネル２８１がガス排気状態について「ガス残留状態」（図中ＮＧ表示参照）と「排気中状態」（図中矢印図形表示参照）と「排気完了状態」（図中ＯＫ表示参照）との少なくとも三段階で表示する。少なくとも三段階であるから、四段階以上で表示しても構わない。少なくとも三段階の表示態様は、それぞれを互いに識別し得るものであれば、図例の表示態様に限定されることはなく、適宜設定して構わない。
【００８８】
少なくとも三段階の表示態様は、ガスパターンパネル２８１上における一つの表示部分であるＬＥＤ表示器にて、切り替え表示されるように構成されている。すなわち、ガスパターンパネル２８１上には第１処理ガス供給系や第２処理ガス供給系等に個別に対応する複数のＬＥＤ表示器が設けられているが、各ＬＥＤ表示器のそれぞれが少なくとも三段階の表示態様の切り替えを行うように構成されている。ＬＥＤ表示器における表示態様の切り替え手法は、公知技術を利用すればよいため、ここではその詳細な説明を省略する。なお、各ＬＥＤ表示器は、三段階以上の表示切り替えに対応したものに限定されることはない。例えば、一つのＬＥＤ表示器にて少なくとも三段階の表示切り替えを行うのではなく、当該一つのＬＥＤ表示器に代わって少なくとも三つのＬＥＤ表示器を並べて配置し、各ＬＥＤ表示器の点灯・消灯を切り替えることで、少なくとも三段階の表示態様を識別可能に構成することも考えられる。また、ガスパターンパネル２８１は、バルブ開閉状態に関する情報を視認可能に出力するものであれば、ＬＥＤ表示器に代わる表示手段を用いたものであっても構わない。
【００８９】
コントローラ２８０は、残留ガス除去工程（ステップ１４）でのガス排気に関連する全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆのうちの少なくとも一つについて開状態から閉状態またはその逆の状態遷移があると、その状態遷移を契機にして、全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆの開閉状態を認識する。そして、認識結果を所定排気条件と比較して、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致するか否か、すなわちバルブ開閉状態の切り替えが正しく行われているか否かを判断する。バルブ開閉状態の認識は、例えば電磁バルブの駆動信号を利用するといったように、公知技術を用いて行えばよい。「所定排気条件」については、これを特定する情報がコントローラ２８０の情報記憶機能に予め記憶保持されているものとする。また、ここでは残留ガス除去工程（ステップ１４）について例に挙げているが、他の残留ガス除去工程（ステップ１２，１６）についても所定排気条件を特定する情報が予め記憶保持されているものとする。
【００９０】
全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆについて、バルブ開閉状態の切り替えが正しく行われると、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内からの滞留ガスの排気が開始される。このとき、コントローラ２８０は、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致したことを契機にして、排気開始であると判断し、タイマー機能による計時を開始する。さらに、コントローラ２８０は、排気条件が成立して滞留ガスの排気が開始された旨の信号を、ガスパターンパネル２８１に対して出力する。
【００９１】
その後、コントローラ２８０は、タイマー機能による計時開始から一定時間が経過したら、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が完了したとみなし、排気完了の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。すなわち、排気開始から一定時間が経過すると、排気完了であると判断するのである。この判断基準となる「一定時間」については、装置仕様や実験で得られた経験則等に基づいて、滞留ガスの排気が完了し得る時間として予め特定し、コントローラ２８０の情報記憶機能に
記憶保持させておけばよい。
【００９２】
コントローラ２８０からの出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１は、ＬＥＤ表示器における表示態様を切り替える。例えば、コントローラ２８０から排気開始の信号を受け取る以前は、ＬＥＤ表示器が排気開始の前の「ガス残留状態」を示す表示態様による表示を行う。その後、排気開始の信号を受け取ると、ＬＥＤ表示器は、その時点で「ガス残留状態」を示す表示態様を「排気中状態」を示す表示態様に切り替える。さらにその後、排気完了の信号を受け取ると、ＬＥＤ表示器は、その時点で「排気中状態」を示す表示態様を「排気完了状態」を示す表示態様に切り替える。つまり、ガスパターンパネル２８１におけるＬＥＤ表示器は、排気開始から排気完了までの間においては、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の「排気中状態」を示す表示を行うのである。
【００９３】
以上のような排気シーケンス制御により、例えば図８（ａ）に示すＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中、すなわち開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが開状態でＮＨ３ガスが第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れている状態では、ガスパターンパネル２８１が第１処理ガスであるＮＨ３ガスについて「ガス残留状態」であることを表示する。第２処理ガスであるＯ２ガスについては、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示態様が「排気完了状態」のままである。
【００９４】
その後、例えば図８（ｂ）に示すように、残留ガス除去工程（ステップ１４）において開閉バルブ２４３ｃが閉状態に切り替わると、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件との合致を契機にしてタイマー機能による計時が開始されるとともに、コントローラ２８０から排気開始の信号が出力される。この出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１では、信号受け取り時点で、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「ガス残留状態」から「排気中状態」に切り替わる。そして、一定時間が経過すると、コントローラ２８０から排気完了の信号が出力される。この出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１では、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「排気中状態」から「排気完了状態」へ切り替わる。このときも、第２処理ガスであるＯ２ガスについては、残留ガス除去工程（ステップ１４）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示態様が「排気完了状態」のままである。
【００９５】
また、例えば図８（ｃ）に示すように、作業員によるマニュアル操作の作業ミス等によってバルブ切り替えが誤って行われ、開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが閉状態に切り替わった場合には、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件と合致しないので、コントローラ２８０から排気開始の信号が出力されない。したがって、バルブ開閉について状態遷移があっても、ガスパターンパネル２８１では、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「ガス残留状態」のままであり、「排気中状態」には切り替わらない。そのため、マニュアル操作を行った作業員は、ガスパターンパネル２８１における表示態様を参照することで、バルブ開閉状態に関して作業ミス等があったことに直ちに気付くことになる。つまり、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われても、作業員がそのことに直ちに気付き、再作業によりバルブ開閉状態を正しく切り替えることが可能になるので、上述した参考例における排気シーケンス制御（図５、図６参照）の場合に比べると、残留ガス除去工程（ステップ１４）が完了するまでに多くの時間を要するのを抑制することができる。
【００９６】
（６）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００９７】
本実施形態にかかる基板処理装置は、残留ガス除去工程（ステップ１４）において反応ガス供給管２４０ｂ内等（すなわちガス流路である配管内）に滞留するガスの状態を、ガスパターンパネル２８１が「ガス残留状態」、「排気中状態」、「排気完了状態」の少なくとも三段階で表示する。そのため、滞留ガスの排気が正しく開始されないと、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気中状態」へ切り替わらず、直ちにそのことを認識することができる。したがって、ＮＨ３ガスとＯ２ガスの混蝕を回避するために一定時間の排気動作を継続する排気シーケンス制御を行う場合に、例えば作業ミスによりガス排気が正しく開始されなくても、直ちに作業をやり直してガス排気を正しく開始させることが可能となり、上述した比較例における排気シーケンス制御の場合に比べると排気完了までに多くの時間を要するのを抑制することができる。
【００９８】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、残留ガス除去工程（ステップ１４）のみならず、残留ガス除去工程（ステップ１２）や残留ガス除去工程（ステップ１６）等についても、同様の排気シーケンス制御を行う。すなわち、反応ガス供給管２４０ｂ内等の他に、気化ガス供給管２４０ａ内や処理室２０１内等についても、ガスパターンパネル２８１が滞留ガスの状態についての表示を行う。このように、残留ガス除去工程（ステップ１２，ステップ１４，ステップ１６）の少なくとも一工程において、処理室２０１内、気化ガス供給管２４０ａ内、反応ガス供給管２４０ｂ内等の少なくとも一つについて滞留ガスの状態を表示することで、どの種類のガスを排気する場合においても、排気が正しく開始されなければ直ちにそのことが認識可能となり、その結果として基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）にとっての利便性が向上する。
【００９９】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、一定時間の排気動作を継続する排気シーケンス制御を行うので、例えばＮＨ３ガスとＯ２ガスのように、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給する場合に適用して好適である。すなわち、一定時間の排気動作を継続することで、例えば可燃性ガスであるＮＨ３ガスと支燃性ガスであるＯ２ガスがいずれも反応ガス供給管２４０ｂを流路とする場合であっても、これらＮＨ３ガスとＯ２ガスが混蝕してしまうのを確実に回避することができる。さらには、可燃性ガスと支燃性ガスによる混蝕発火の危険性を回避可能にするだけでなく、異種ガスがウエハ２００上以外の箇所で反応して当該箇所に堆積物を生成してしまうことについても確実に回避できる。したがって、当該堆積物が配管やノズル等の詰まりやパーティクル発生の要因となってしまうことがない。このように、本実施形態にかかる基板処理装置は、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給する場合に適用して好適なものであるが、単種の処理ガスを供給する場合についても適用可能であり、その場合にもガス排気が正しく開始されないことを直ちに認識できるという効果を奏する。
【０１００】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、その前後とは異なる態様の表示をガスパターンパネル２８１が行うので、ガス排気が正しく開始されたこと、または、ガス排気が正しく開始されなかったことを、基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）が容易かつ的確に認識することができる。
【０１０１】
特に、本実施形態にかかる基板処理装置のように、滞留ガスの状態を「ガス残留状態」、「排気中状態」、「排気完了状態」の少なくとも三段階の表示態様で表示すれば、基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）にとっては、その表示内容の認識をより一層容易かつ的確に行うことができる。
【０１０２】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、ガスパターンパネル２８１上における一つのＬＥＤ表示器が少なくとも三段階の表示態様を切り替え表示するので、当該切り替え表
示のために複数のＬＥＤ表示器を並べた場合に比べると、必要とするパネル面積が小さくて済む。つまり、パネル面積の小型化を通じて、基板処理装置全体の小型化に寄与することが可能になる。
【０１０３】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致すると、コントローラ２８０が排気開始であると判断し、排気開始の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。したがって、排気開始についての判断基準が明確であり、排気開始であることを的確に判断し得るとともに、「ガス残留状態」から「排気中状態」への表示切り替えを適正に行うことが可能となる。
【０１０４】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、排気開始から所定時間が経過すると、排気完了であると判断し、排気完了の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。つまり、タイマー機能による計時結果を用いて、排気完了であることを擬制する。したがって、排気完了についての判断基準を明確にしつつ、排気完了の判断のために例えばガス濃度計のような大掛かりな構成を備える必要がなく、基板処理装置の構成簡素化を容易に実現することが可能になる。
【０１０５】
以上のような本実施形態にかかる基板処理装置を用いて半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程を実施すれば、ガス排気が正しく開始されない場合に直ちにそのことを認識でき、排気完了までに多くの時間を要してしまうのを抑制できるので、その結果として高効率の半導体装置の製造を行うことが実現可能となる。
【０１０６】
＜本発明の他の実施形態＞
上述した実施形態では、本発明をＳｉＯＮ膜の処理炉に適用させた場合を例に挙げているが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明は、膜種にはよらず、他の膜種の処理炉にも適用可能であり、例えば基板上に窒化膜、酸化膜、金属膜、半導体膜等の他の膜を形成する基板処理装置、および半導体装置の製造方法にも好適に適用可能である。
【０１０７】
また、上述した実施形態では、気化ガスと反応ガスとをウエハ２００上へ交互に供給するＡＬＤ法を実施する場合について説明したが、本発明はかかる形態に限定されない。例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の他の方法を実施する場合にも好適に適用可能である。
【０１０８】
また、本発明は色々な形態で実施され得るので、本発明の技術的範囲が上述の実施形態や実施例に限定されることはない。例えば、本発明は、１枚または２〜３枚のウエハを収容する収容室を有する枚葉装置を用いて１枚または２〜３枚の枚葉処理する場合についても適用可能である。
【０１０９】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１１０】
本発明の一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、
前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、
を有し、
前記処理室内と前記配管内の少なくとも一方における滞留ガスの状態について表示する表示部と、
前記滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の表示を前記表示部に行わせる制御部と、
を設けた基板処理装置が提供される。
【０１１１】
好ましくは、
前記ガス供給系は、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給するものである。
【０１１２】
また好ましくは、
前記制御部は、前記滞留ガスの状態を、前記排気開始の前のガス残留状態を示す表示態様、前記排気開始から前記排気完了までの間の排気中状態を示す表示態様、前記排気完了の後の排気完了状態を示す表示態様の少なくとも三段階で前記表示部に表示させるものである。
【０１１３】
また好ましくは、
前記表示部は、一つの表示部分にて前記少なくとも三段階の表示態様を切り替え表示するものである。
【０１１４】
また好ましくは、
前記制御部は、前記配管におけるバルブ開閉状態が所定排気条件に合致すると、前記排気開始であると判断するものである。
【０１１５】
また好ましくは、
前記制御部は、前記排気開始から所定時間が経過すると、前記排気完了であると判断するものである。
【０１１６】
本発明の他の態様によれば、
基板を収容した処理室内へガス流路である配管を通じて第１処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内および前記配管内の前記第１処理ガスを排気する工程と、
前記第１処理ガスと混蝕を避けるべき種類の第２処理ガスを前記処理室内へ前記配管を通じて供給する工程と、
前記処理室内および前記配管内の前記第２処理ガスを排気する工程と、
を１サイクル中に含み、このサイクルを少なくとも１回以上行うことで、前記基板に対する処理を行う半導体装置の製造方法であって、
前記第１処理ガスを排気する工程と前記第２処理ガスを排気する工程との両方またはいずれか一方では、
前記処理室内と前記配管内の少なくとも一方における滞留ガスの状態について表示する表示部を用い、
前記滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の表示を前記表示部に行わせる
半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１１７】
１０１ 基板処理装置
２０１ 処理室
２３１ 排気管
２３３ａ 気化ガスノズル
２３３ｂ 反応ガスノズル
２４０ａ 気化ガス供給管
２４０ｂ 反応ガス供給管
２４０ｃ 第１供給管
２４０ｄ 第２供給管
２４１ａ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４１ｃ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４１ｄ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４３ａ 開閉バルブ
２４３ｃ 開閉バルブ
２４３ｄ 開閉バルブ
２４４ｃ 開閉バルブ
２４４ｄ 開閉バルブ
２４５ 圧力センサ
２４６ ＡＰＣバルブ
２４７ 真空ポンプ
２８０ コントローラ
２８１ ガスパターンパネル
５００ 気化器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスでは、多種多様なガスを使用する。そのため、例えば可燃性ガスと支燃性ガスのように、組み合わせるガス種類によっては混蝕発火の危険性がある点に留意する必要がある。このことから、複数種類の処理ガスを使用する基板処理装置では、以下に述べる排気シーケンス制御によって、当該複数種類の処理ガスの混蝕を回避することが一般的に行われている。すなわち、基板を収容した処理室内へ処理ガスを供給した後、その処理室内およびこれに連なる配管内に滞留するガスの排気を開始すると、その排気開始から一定時間が経過するまでは排気動作を継続して行う。そして、一定時間が経過して処理室内および配管内に残存するガスがなくなったら、当該ガスの排気が完了した旨の情報表示をして、別種類の処理ガスの処理室内への供給を開始可能にする。このような排気シーケンスを、各種の処理ガスについて繰り返し行う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した排気シーケンス制御を行う基板処理装置において、処理室内および配管内からの滞留ガスの排気は、当該配管におけるバルブ開閉状態の切り替えが正しく行われたことを契機にして開始される。しかしながら、バルブ開閉状態の切り替えは、例えば作業員がマニュアル操作で実行した場合には、作業ミスにより誤って行われるおそれがある。その場合に、作業員は、操作直後に誤りに気付くことは稀で、操作から一定時間が経過しても排気完了の情報表示がされないことによって初めて誤りに気付くことが殆どである。したがって、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われると、作業員がそのことに気付くのが遅れる分、排気シーケンスが完了するまでに多くの時間を要することになる。
【０００４】
本発明は、複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、を有し、前記配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設けたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置によれば、ガス排気が正しく開始されないと、直ちにそのことを認識できる。したがって、排気完了までに多くの時間を要してしまうのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は処理炉の横断面概略図をそれぞれ示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる基板処理工程の手順を示すフロー図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のプロセスシーケンスを示すチャート図である。
【図５】本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。
【図６】本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図であり、（ａ）は第１処理ガスの供給状態を示す図、（ｂ）は正常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図、（ｃ）は異常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図であり、（ａ）は第１処理ガスの供給状態を示す図、（ｂ）は正常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図、（ｃ）は異常設定による第１処理ガスの排気状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の構成例について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は、筐体１１１を備えている。シリコン等からなるウエハ（基板）２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収納容器）としてのカセット１１０が使用される。筐体１１１内側の前方（図中の右側）には、カセットステージ（基板収納容器受渡し台）１１４が設けられている。カセット１１０は、図示しない工程内搬送装置によってカセットステージ１１４上に載置され、また、カセットステージ１１４上から筐体１１１外へ搬出されるように構成されている。
【００１１】
カセット１１０は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させ、カセット１１０内のウエハ２００を水平姿勢とさせ、カセット１１０のウエハ出し入れ口を筐体１１１内の後方を向かせることが可能なように構成されている。
【００１２】
筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収納容器載置棚）１０５が設置されている。カセット棚１０５には、複数段、複数列にて複数個のカセット１１０が保管されるように構成されている。カセット棚１０５には、後述するウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には、予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収納容器搬送装置）１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収納容器昇降機構）１１８ａと、カセット１１０を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収納容器搬送機構）１１８ｂと、を備えている。これらカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連携動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、
予備カセット棚１０７、移載棚１２３の間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、を備えている。なお、ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００を水平姿勢で保持するツイーザ（基板移載用治具）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連携動作により、ウエハ２００を移載棚１２３上のカセット１１０内からピックアップして後述するボート（基板支持部材）２１７へ装填（チャージング）したり、ウエハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して移載棚１２３上のカセット１１０内へ収納したりするように構成されている。
【００１５】
筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部には開口が設けられ、かかる開口は炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。なお、処理炉２０２の構成については後述する。
【００１６】
処理炉２０２の下方には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する昇降機構としてのボートエレベータ（基板支持部材昇降機構）１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が設けられている。アーム１２８上には、ボート２１７を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が上昇したときに処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。
【００１７】
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００を、水平姿勢で、かつその中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の詳細な構成については後述する。
【００１８】
カセット棚１０５の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット１３４ａが設けられている。クリーンユニット１３４ａは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
【００１９】
また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ及びボート２１７の周囲を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるように構成されている。
【００２０】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。
【００２１】
まず、カセット１１０が、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ２００が垂直姿勢となりカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させられる。その結果、カセット１１０内のウエハ２００は水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口は筐体１１１内の後方を向く。
【００２２】
カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、カセット棚１０５又は予備カセット棚１０７から移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００２３】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてカセット１１０からピックアップされ、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作によって移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構１２５は、カセット１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００２４】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、ウエハ２００群を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）される。ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、ウエハ２００およびカセット１１０は、上述の手順とは逆の手順で筐体１１１の外部へ払出される。
【００２５】
（３）処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図２（ａ）に示す処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。
【００２６】
（処理室）
本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２は、反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３を有している。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。反応管２０３の下端部は、上述したボートエレベータ１１５が上昇した際に、例えばステンレス等の金属からなり円盤状に形成されたシールキャップ２１９により気密に封止されるように構成されている。反応管２０３の下端部とシールキャップ２１９との間には、処理室２０１内を気密に封止するＯリングなどの封止部材２２０が設けられている。
【００２７】
反応管２０３の内部には、基板としてのウエハ２００が収容される処理室２０１が形成されている。処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が下方から挿入されるように構成されている。反応管２０３の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外形よりも大きくなるように構成されている。
【００２８】
ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料によって形成され、複数枚（例えば７５枚から１００枚）のウエハ２００を、略水平状態で所定の隙間（基板ピッチ間隔）をもって多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、ボート２１７からの熱伝導を遮断する断熱キャップ２１８上に搭載されている。断熱キャップ２１８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料によって形成され、回転軸２５５により下方から支持されている。回転軸２５５は、処理室２０１内の気密を保持しつつ、シールキャップ２１９の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ２１９の下方には、回転軸２５５を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７が回転軸２５５を回転させることで、処理室２０１内の気密を保持したまま、複数のウエハ２００を搭載した
ボート２１７を回転させ得るように構成されている。
【００２９】
反応管２０３の外周には、反応管２０３と同心円状に加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００３０】
反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３は、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。温度センサ２６３の垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。温度センサ２６３で検出された温度情報に基づきヒータ２０７の加熱温度を調整することで、処理室２０１内が所望の温度分布となるように構成されている。
【００３１】
（気化ガス供給系）
反応管２０３には、気化ガス導入部としての気化ガスノズル２３３ａが設けられている。気化ガスノズル２３３ａは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部側面には、気化ガス供給孔２４８ａが鉛直方向に複数設けられている。気化ガス供給孔２４８ａの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。気化ガスノズル２３３ａの水平部は、反応管２０３の側壁を貫通するように設けられている。
【００３２】
反応管２０３の側壁から突出した気化ガスノズル２３３ａの水平端部（上流側）には、気化ガスを処理室２０１内へ供給する気化ガス供給管２４０ａの下流端が接続されている。気化ガス供給管２４０ａには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ５４３、気化器（気化装置）５００、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、開閉弁である開閉バルブ２４３ａが設けられている。気化器２６０は、図示せぬ液体原料供給源から開閉バルブ５４３を介して供給される液体原料を受け取ると、これを所定温度に加熱して気化させ、気化ガス（原料ガス）を生成するように構成されている。マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａは、気化ガスの流量をモニタして、気化器５００での気化量のフィードバック制御を可能にするように構成されている。また、開閉バルブ２４３ａを開けることにより、気化器５００にて生成された気化ガスが処理室２０１内へ供給されるように構成されている。
【００３３】
主に、気化ガスノズル２３３ａ、気化ガス供給管２４０ａ、気化器５００、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、開閉バルブ２４３ａにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである気化ガス供給系が構成されている。気化ガス供給系によって、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコン（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤ）ガスを用いることができる。なお、シリコン原料ガスは、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良いが、ここでは液体として説明する。シリコン原料ガスが常温常圧で気体の場合は気化器５００を設ける必要はない。
【００３４】
（反応ガス供給系）
反応管２０３には、反応ガス導入部としての反応ガスノズル２３３ｂが設けられている。反応ガスノズル２３３ｂは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部側面には、反応ガス供給孔２４８ｂが鉛直方向に複数設けられている。反応ガス供給孔２４８ｂの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい
。反応ガスノズル２３３ｂの水平部は、反応管２０３の側壁を貫通するように設けられている。
【００３５】
反応管２０３の側壁から突出した反応ガスノズル２３３ｂの水平端部（上流側）には、反応ガスを処理室２０１内へ供給する反応ガス供給管２４０ｂの下流端が接続されている。反応ガス供給管２４０ｂの上流側には、第１の処理ガス供給管（以下、単に「第１供給管」という。）２４０ｃの下流端と、第２の処理ガス供給管（以下、単に「第２供給管」という。）２４０ｄの下流端が接続されている。すなわち、反応ガス供給管２４０ｂの上流側は、第１供給管２４０ｃの下流端と第２供給管２４０ｄの下流端との両方に繋がっている。
【００３６】
第１供給管２４０ｃには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ２４３ｃ、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、開閉弁である開閉バルブ２４４ｃが設けられている。第１供給管２４０ｃの上流端には図示せぬ第１処理ガス供給源が接続されており、開閉バルブ２４３ｃおよび開閉バルブ２４４ｃを開けることにより、第１処理ガス供給源からの第１処理ガスが、第１供給管２４０ｃおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内への第１処理ガスの供給流量は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃによって制御可能に構成されている。
【００３７】
主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、第１供給管２４０ｃ、開閉バルブ２４３ｃ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、開閉バルブ２４４ｃにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである第１処理ガス供給系が構成されている。第１処理ガス供給系によって、例えば窒素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、第１処理ガスとして処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００３８】
第２供給管２４０ｄには、上流側から順に、開閉弁である開閉バルブ２４３ｄ、流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、開閉弁である開閉バルブ２４４ｄが設けられている。第２供給管２４０ｄの上流端には図示せぬ第２処理ガス供給源が接続されており、開閉バルブ２４３ｄおよび開閉バルブ２４４ｄを開けることにより、第２処理ガス供給源からの第２処理ガスが、第２供給管２４０ｄおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内への第２処理ガスの供給流量は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄによって制御可能に構成されている。
【００３９】
主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、第２供給管２４０ｄ、開閉バルブ２４３ｄ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、開閉バルブ２４４ｄにより、本実施形態に係るガス供給系の一つである第２処理ガス供給系が構成されている。第２処理ガス供給系によって、例えば酸素（Ｏ）を含むガス（酸素含有ガス）が、第２処理ガスとして処理室２０１内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガスを用いることができる。
【００４０】
（キャリアガス供給系）
第１供給管２４０ｃにおけるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃと開閉バルブ２４４ｃの間には、キャリアガス供給管２４０ｅの下流端が接続されている。また、第２供給管２４０ｄにおけるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄと開閉バルブ２４４ｄの間には、キャリアガス供給管２４０ｆの下流端が接続されている。これらキャリアガス供給管２４０ｅおよびキャリアガス供給管２４０ｆの上流端は、いずれも、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）等の不
活性ガスを供給する図示しないキャリアガス供給源に接続されている。
【００４１】
キャリアガス供給管２４０ｅには、開閉弁である開閉バルブ２４３ｅが設けられている。開閉バルブ２４３ｅを開けることにより第１供給管２４０ｃ内にキャリアガスが供給され、第１処理ガスとキャリアガスとの混合ガスが第１供給管２４０ｃおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。
【００４２】
キャリアガス供給管２４０ｆには、開閉弁である開閉バルブ２４３ｆが設けられている。開閉バルブ２４３ｆを開けることにより第２供給管２４０ｄ内にキャリアガスが供給され、第２処理ガスとキャリアガスとの混合ガスが第２供給管２４０ｄおよび反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。
【００４３】
主に、キャリアガス供給管２４０ｅ，２４０ｆ、開閉バルブ２４３ｅ，２４３ｆ、図示しないキャリアガス供給源により、本実施形態に係るキャリアガス供給系が構成されている。
【００４４】
（パージガス供給管）
気化ガス供給管２４０ａにおける開閉バルブ２４３ａの下流側には、第１パージガス管２４０ｇの下流端が接続されている。第１パージガス管２４０ｇには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｇ、開閉弁である開閉バルブ２４３ｇが設けられている。開閉バルブ２４３ｇを開けることにより、処理室２０１内へのパージガスの供給を行い、気化ガス供給管２４０ａ内および処理室２０１内からの気化ガスの排出を促すように構成されている。
【００４５】
同様に、反応ガス供給管２４０ｂには、第２パージガス管２４０ｈの下流端が接続されている。接続箇所は、第１供給管２４０ｃにおける開閉バルブ２４４ｃおよび第２供給管２４０ｄにおける開閉バルブ２４４よりも下流側に位置している。第２パージガス管２４０ｈには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｈ、開閉バルブ２４３ｈが設けられている。開閉バルブ２４３ｈを開けることにより、処理室２０１内へのパージガスの供給を行うように構成されている。さらに詳しくは、開閉バルブ２４３ｈ，２４４ｃを開け、開閉バルブ２４３ｃ，２４３ｅ，２４４ｄを閉じることで、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始して、第１供給管２４０ｃ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、処理室２０１内からの第１処理ガスの排出を促すことが可能となる。また、開閉バルブ２４３ｈ，２４４ｄを開け、開閉バルブ２４３ｄ，２４３ｆ，２４４ｃを閉じることで、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始して、第２供給管２４０ｄ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、処理室２０１内からの第２処理ガスの排出を促すことが可能となる。
【００４６】
主に、第１パージガス管２４０ｇ、第２パージガス管２４０ｈ、開閉バルブ２４３ｇ，２４３ｈ、図示しないパージガス供給源により、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。
【００４７】
（ガス排気系）
反応管２０３の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系としての排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４６、真空排気装置としての真空ポンプ２４７が設けられている。真空ポンプ２４７を作動させつつ、ＡＰＣバルブ２４６の開閉弁の開度を調整することにより、処理室２０１内を所望の圧力とし、処理室２０１内およびこれに連なる気化ガス供給管
２４０ａ内、反応ガス供給管２４０ｂ内、第１供給管２４０ｃ内、第２供給管２４０ｄ内等からの滞留ガスの排気を行うことが可能なように構成されている。
【００４８】
主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４６、真空ポンプ２４７により、本実施形態に係るガス排気系が構成されている。
【００４９】
（コントローラ）
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、ヒータ２０７、ＡＰＣバルブ２４６、真空ポンプ２４７、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５、開閉バルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４４ｃ，２４４ｄ，５４３、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｇ，２４１ｈ等に接続されている。コントローラ２８０により、ヒータ２０７の温度調整動作、ＡＰＣバルブ２４６の開閉および圧力調整動作、真空ポンプ２４７の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ２１５の昇降動作、開閉バルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４４ｃ，２４４ｄ，５４３の開閉動作、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｇ，２４１ｈの流量調整等の制御が行われる。また、コントローラ２８０は、上記の各種制御機能に加えて、タイマー機能および情報記憶機能を有している。
【００５０】
（ガスパターンパネル）
コントローラ２８０には、表示部（表示手段）であるガスパターンパネル２８１が接続されている。ガスパターンパネル２８１には、後述するガス排気状態についての情報を表示する表示部分であるＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示器が設けられている。ＬＥＤ表示器は、気化ガス供給系、第１処理ガス供給系、第２処理ガス供給系、処理室２０１のそれぞれについて個別に設けられている。ただし、必ずしも個別である必要はなく、これらの一部または全部について兼用するように設けられていてもよい。
【００５１】
（４）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、本発明の一実施形態としての基板処理工程の手順を示すフロー図である。図４は、本発明の一実施形態としての基板処理工程におけるプロセスシーケンスを示すチャート図である。
【００５２】
本実施形態で説明する基板処理工程は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ法を用いてウエハ２００の表面に成膜をする方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。ここでは、気化ガスとしてシリコン含有ガスであるＨＣＤガスを、反応ガスのうちの第１処理ガスとして窒素含有ガスであるＮＨ３ガスを、反応ガスのうちの第２処理ガスとして酸素含有ガスであるＯ２ガスをそれぞれ用い、ウエハ２００上に絶縁膜としてシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０１を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００５３】
（基板搬入工程）
まず、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。基板搬入工程（Ｓ１０）においては、開閉バルブ２４３ｇ、開閉バルブ２４３ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。
【００５４】
（減圧および昇温工程）
続いて、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを閉め、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２４７により排気（圧力調整）する。この際、処理室２０１内の圧力を圧力センサ２４５で測定して、この測定された圧力に基づき、ＡＰＣバルブ２４６の開度をフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱（温度調整）する。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合をフィードバック制御する。そして、回転機構２６７によりボート２１７を回転させ、ウエハ２００を回転させる。
【００５５】
（成膜工程）
続いて、成膜工程を実施する。成膜工程では、ウエハ２００上にＨＣＤガスを供給するＨＣＤ供給工程（ステップ１１）と、ＨＣＤガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１２）と、ウエハ２００上にＮＨ３ガスを供給するＮＨ３供給工程（ステップ１３）と、ＮＨ３ガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１４）と、ウエハ２００上にＯ２ガスを供給するＯ２供給工程（ステップ１５）と、Ｏ２ガスの残留ガスを除去する残留ガス除去工程（ステップ１６）と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返す。
【００５６】
（ＨＣＤ供給工程（ステップ１１））
ＨＣＤ供給工程（ステップ１１）では、気化ガス供給管２４０ａの開閉バルブ５４３，２４３ａを開き、気化器５００を介して気化ガス供給管２４０ａ内にＨＣＤガスを流す。気化ガス供給管２４０ａ内を流れたＨＣＤガスは、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＨＣＤガスは気化ガスノズル２３３ａの気化ガス供給孔２４８ａから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。このとき、同時に開閉バルブ２４３ｇを開き、第１パージガス管２４０ｇ内にＮ２ガス等の不活性ガスを流す。第１パージガス管２４０ｇ内を流れたＮ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｇにより流量調整される。流量調整されたＮ２ガスはＨＣＤガスと一緒に処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００５７】
このとき、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＨＣＤガスの供給流量は、例えば１００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｇで制御するＮ２ガスの供給流量は、例えば２００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＨＣＤガスをウエハ２００に晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ２００の温度が、例えば３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ２００の温度が３００℃未満となるとウエハ２００上にＨＣＤが吸着しにくくなる。また、ウエハ２００の温度が６５０℃を超えるとＣＶＤ反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ２００の温度は３００〜６５０℃の範囲内の温度とするのが好ましい。
【００５８】
ＨＣＤガスの供給により、ウエハ２００表面の下地膜上に、シリコンを含む第１の層が形成される。すなわち、ウエハ２００上（下地膜上）に１原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層（Ｓｉ層）が形成される。シリコン含有層はＨＣＤの化学吸着層であってもよい。なお、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。ここでシリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もあ
る。また、ＨＣＤの化学吸着層とはＨＣＤ分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、ウエハ２００上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ１３での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なシリコン含有層の最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、ＨＣＤガスが自己分解する条件下では、ウエハ２００上にシリコンが堆積することでシリコン層が形成され、ＨＣＤガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤが化学吸着することでＨＣＤの化学吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＨＣＤの化学吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にシリコン層を形成する方が成膜レートを高くすることができ好ましい。
【００５９】
シリコン含有ガスとしては、ＨＣＤガスの他、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４、略称：ＴＣＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２））４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２））３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスなどの有機原料を用いてもよい。
【００６０】
（残留ガス除去工程（ステップ１２））
残留ガス除去工程（ステップ１２）では、シリコン含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、気化ガスノズル２３３ａ内および気化ガス供給管２４０ａ内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを、処理室２０１内、気化ガスノズル２３３ａ内および気化ガス供給管２４０ａ内から排除する。なお、このとき、バルブ２４３ｇは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。
【００６１】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００６２】
（ＮＨ３供給工程（ステップ１３））
ＮＨ３供給工程（ステップ１３）では、第１供給管２４０ｃの開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃを開き、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内にＮＨ３ガスを流す。第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＮＨ３ガスは、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整される。流量調整されたＮＨ３ガスは、反応ガスノズル２３３ｂの反応ガス供給孔２４８ｂから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＮＨ３ガスは、熱により活性化される。このとき、同時にバルブ２４３ｈを開き、第２パージガス管２４０ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＮＨ３ガスと一緒に処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００６３】
ＮＨ３ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば５０〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｃで制御するＮＨ３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、例えば２００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＮＨ３ガスにウエハ２００
を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１１と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。ＮＨ３ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度では反応しづらいので、処理室２０１内の圧力を上記のような高い圧力とすることにより熱的に活性化することを可能にしている。なお、ＮＨ３ガスは熱で活性化させて供給したほうが、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。
【００６４】
このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＮＨ３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスは流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＮＨ３ガスは、ステップ１１でウエハ２００上に形成された第１の層としてのシリコン含有層の一部と反応する。これによりシリコン含有層は窒化されて、シリコン（第１の元素）および窒素（第２の元素）を含む第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと改質される。
【００６５】
このとき、シリコン含有層の窒化反応は飽和させないようにする。例えばステップ１１で数原子層のシリコン層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の一部を窒化させる。すなわち、その表面層のうちの窒化が生じ得る領域（シリコンが露出した領域）の一部もしくは全部を窒化させる。この場合、第１の層の全体を窒化させないように、第１の層の窒化反応が非飽和となる条件下で窒化を行う。なお、条件によっては第１の層の表面層から下の数層を窒化させることもできるが、その表面層だけを窒化させるほうが、シリコン酸窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ１１で１原子層または１原子層未満のシリコン層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を窒化させる。この場合も、第１の層の全体を窒化させないように、第１の層の窒化反応が非飽和となる条件下で窒化を行う。
【００６６】
窒素含有ガスとしては、ＮＨ３ガス以外に、Ｎ２ガス、ＮＦ３ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等を用いてもよい。
【００６７】
（残留ガス除去工程（ステップ１４））
残留ガス除去工程（ステップ１４）では、シリコン含有層がシリコン窒化層へ改質された後、第１供給管２４０ｃの開閉バルブ２４３ｃを閉じ、ＮＨ３ガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第１供給管２４０ｃ内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ３ガスを、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第１供給管２４０ｃ内から排除する。なお、このとき、バルブ２４３ｈは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ３ガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。
【００６８】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００６９】
（Ｏ２供給工程（ステップ１５））
Ｏ２供給工程（ステップ１５）では、第２供給管２４０ｄの開閉バルブ２４３ｄ，２４４ｄを開き、第２供給管２４０ｄ内および反応ガス供給管２４０ｂ内にＯ２ガスを流す。第２供給管２４０ｄ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＯ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｄにより流量調整される。また、第２パージガス管２４０ｈの開閉バルブ２４３ｈを開き、第２パージガス管２４０ｈ内および反応ガス供給管２４０ｂ内に参
加反応抑制ガスとしてのＮ２ガスを流す。第２パージガス管２４０ｈ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れるＮ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｈにより流量調整される。流量調整されたＯ２ガスは流量調整されたＮ２ガスと反応ガス供給管２４０ｂ内で混合されて、反応ガスノズル２３３ｂの反応ガス供給孔２４８ｂから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＯ２ガスは、熱により活性化される。ただし、高周波電力の印加によりＯ２ガスをプラズマで活性化させるようにしてもよい。
【００７０】
Ｏ２ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４６を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＯ２ガスの供給流量は、例えば１００〜５０００ｓｃｃｍ（０．１〜５ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈで制御する酸化反応抑制ガスとしてのＮ２ガスの供給流量は、Ｏ２ガスの供給流量よりも大流量とし、例えば１０００〜２００００ｓｃｃｍ（１〜２０ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。Ｏ２ガスにウエハ２００を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１１，１３と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。Ｏ２ガスは上記のような条件下で熱的に活性化される。なお、Ｏ２ガスは熱で活性化させて供給したほうが、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する酸化をソフトに行うことができる。
【００７１】
このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＯ２ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスもＮＨ３ガスも流していない。したがって、Ｏ２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＯ２ガスは、ステップ１３でウエハ２００上に形成された第２の層としてのＳｉＮ層の一部と反応する。これによりＳｉＮ層は酸化されて、シリコン（第１の元素）、窒素（第２の元素）および酸素（第３の元素）を含む第３の層、すなわち、シリコン酸窒化層（ＳｉＯＮ層）へと改質される。
【００７２】
このとき、ＳｉＮ層の酸化反応は飽和させないようにする。例えばステップ１１〜１３で数原子層のＳｉＮ層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の少なくとも一部を酸化させる。この場合、ＳｉＮ層の全体を酸化させないように、ＳｉＮ層の酸化反応が非飽和となる条件下で酸化を行う。なお、条件によってはＳｉＮ層の表面層から下の数層を酸化させることもできるが、その表面層だけを酸化させるほうが、シリコン酸窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ１１〜１３で１原子層または１原子層未満のＳｉＮ層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を酸化させる。この場合も、ＳｉＮ層の全体を窒化させないように、ＳｉＮ層の酸化反応が非飽和となる条件下で酸化を行う。
【００７３】
酸素含有ガスとしては、Ｏ２ガス以外に、Ｏ３ガス、ＮＯ、Ｎ２Ｏガス等を用いてもよい。酸化反応抑制ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の希ガスを用いてもよい。
【００７４】
（残留ガス除去工程（ステップ１６））
残留ガス除去工程（ステップ１６）では、ＳｉＮ層がＳｉＯＮ層へ改質された後、第２供給管２４０ｄの開閉バルブ２４３ｄを閉じ、Ｏ２ガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４６は開いたままとして、真空ポンプ２４７により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第２供給管２４０ｄ内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ２ガスを、処理室２０１内、反応ガスノズル２３３ｂ内、反応ガス供給管２４０ｂ内および第２供給管２４０ｄ内から排除する。このとき、バルブ２４３ｈは開いたままとして、
Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内等に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ２ガスを処理室２０１内等から排除する効果を高める。なお、このとき、マスフローコントローラ２４１ｈを制御して、第２パージガス管２４０ｈから供給するＮ２ガスの供給流量を１０００〜２００００ｓｃｃｍ（１〜２０ｓｌｍ）から２００〜１０００ｓｃｃｍ（０．２〜１ｓｌｍ）へと変更する。
【００７５】
上述したステップ１１〜１６を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のシリコン（第１の元素）、窒素（第２の元素）および酸素（第３の元素）を含む薄膜、すなわちシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
【００７６】
（パージおよび大気圧復帰工程）
所定圧のシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成する成膜工程がなされると、Ｎ２ガス等の不活性ガスが処理室２０１内へ供給されつつ排気されることで処理室２０１内が不活性ガスでパージされる（ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００７７】
（基板搬出工程）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０３の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態で反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。
【００７８】
（５）排気シーケンス制御
次に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１のコントローラ２８０が実行する排気シーケンス制御について説明する。
【００７９】
上述した基板処理工程では、ＨＣＤガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガスといった複数種類のガスを使用するが、ＨＣＤガスおよびＮＨ３ガスは可燃性ガスであり、Ｏ２ガスは支燃性ガスであることから、これらが混蝕してしまうのを回避する必要がある。また、異種ガスがウエハ２００上以外の箇所で反応して当該箇所に堆積物を生成してしまうと、配管やノズル等の詰まりやパーティクル発生の要因となり得るため、この点からも異種ガス間の混蝕発生は回避すべきである。そのために、コントローラ２８０は、基板処理工程の過程において、以下に述べるような排気シーケンス制御を行う。
【００８０】
以下の説明では、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）において第１処理ガスとしてのＮＨ３ガスを供給した後、残留ガス除去工程（ステップ１４）を経て、Ｏ２供給工程（ステップ１５）での第２処理ガスとしてのＯ２ガスの供給開始に至るまでの間における排気シーケンス制御を例に挙げる。これは、ＮＨ３ガスとＯ２ガスとがいずれも反応ガス供給管２４０ｂおよび反応ガスノズル２３３ｂを通じて処理室２０１内に供給されるため、混蝕発生の危険性が高いからである。ただし、ＨＣＤ供給工程（ステップ１１）の後における残留ガス除去工程（ステップ１２）と、Ｏ２供給工程（ステップ１５）の後における残留ガス除去工程（ステップ１６）とについても、以下の説明と同様の排気シーケンス制御が行われるものとする。
【００８１】
（比較例における排気シーケンス制御）
ここで、本実施形態の排気シーケンス制御の説明に先立ち、その比較例として従来構成による排気シーケンス制御について、図５および図６を参照しながら説明する。図５は、本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す
模式図である。図６は、本発明の参考例となる従来構成による排気シーケンス制御の一具体例を示す模式図である。
【００８２】
図５に示すように、参考例の排気シーケンス制御では、コントローラ２８０からの指示に従いつつ、ガスパターンパネル２８１がガス排気状態について「ガス残留状態」（図中ＮＧ表示参照）と「排気完了状態」（図中ＯＫ表示参照）との二段階で表示する。また、コントローラ２８０は、残留ガス除去工程（ステップ１４）でのガス排気に関連する全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆの開閉状態を認識し、バルブ開閉状態の切り替えが正しく行われたこと、すなわちバルブ開閉状態が所定排気条件に合致したことを契機にして、滞留ガスの排気を開始するとともに、タイマー機能による計時を開始する。そして、排気開始から一定時間が経過するまでは排気動作を継続して行い、一定時間が経過したら排気完了の信号をガスパターンパネル２８１へ出力する。これにより、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気完了状態」へ切り替わることになる。
【００８３】
このような参考例の排気シーケンス制御により、例えば図６（ａ）に示すＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中、すなわち開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが開状態でＮＨ３ガスが第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れている状態では、ガスパターンパネル２８１が第１処理ガスであるＮＨ３ガスについて「ガス残留状態」であることを表示する。その後、例えば図６（ｂ）に示すように、残留ガス除去工程（ステップ１４）において開閉バルブ２４３ｃが閉状態に切り替わると、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件との合致を契機にしてタイマー機能による計時が開始される。そして、一定時間が経過すると、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が完了したとみなし、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気完了状態」へ切り替わる。第２処理ガスであるＯ２ガスについては、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）および残留ガス除去工程（ステップ１４）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示が「排気完了状態」のままである。
【００８４】
ただし、バルブ開閉状態の切り替えは、コントローラ２８０が所定プログラムに従って自動制御する場合であれば問題が生じる可能性は極めて低いが、例えば作業員によるマニュアル操作に従って実行する場合には、作業ミスにより誤って行われるおそれがある。その場合には、例えば図６（ｃ）に示すように、開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが閉状態に切り替わっても第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が開始されず、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件に合致しないことからタイマー機能による計時も開始されず、バルブ切り替え作業から一定時間が経過してもガスパターンパネル２８１での表示が切り替わらずに「ガス残留状態」のままとなる。つまり、作業員は、操作直後に誤りに気付くことは稀で、操作から一定時間が経過しても「排気完了状態」への表示切り替えがされないことによって初めて誤りに気付くことが殆どである。したがって、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われると、作業員がそのことに気付くのが遅れる分、残留ガス除去工程（ステップ１４）が完了するまでに多くの時間を要することになり、Ｏ２供給工程（ステップ１５）の開始が遅れてしまうことになる。
【００８５】
（本実施形態における排気シーケンス制御）
本実施形態における排気シーケンス制御は、上述した参考例の排気シーケンス制御の問題点であった残留ガス排気時のバルブ開閉状態の誤りによる作業時間増大を抑制し、これにより次に行うガス供給行程を迅速に開始できるようにする。
【００８６】
図７は、本発明の一実施形態による排気シーケンス制御のラダープログラム概要を示す模式図である。図８は、本発明の一実施形態による排気シーケンス制御の一具体例を示す
模式図である。
【００８７】
図７に示すように、本実施形態の排気シーケンス制御では、コントローラ２８０からの指示に従いつつ、ガスパターンパネル２８１がガス排気状態について「ガス残留状態」（図中ＮＧ表示参照）と「排気中状態」（図中矢印図形表示参照）と「排気完了状態」（図中ＯＫ表示参照）との少なくとも三段階で表示する。少なくとも三段階であるから、四段階以上で表示しても構わない。少なくとも三段階の表示態様は、それぞれを互いに識別し得るものであれば、図例の表示態様に限定されることはなく、適宜設定して構わない。
【００８８】
少なくとも三段階の表示態様は、ガスパターンパネル２８１上における一つの表示部分であるＬＥＤ表示器にて、切り替え表示されるように構成されている。すなわち、ガスパターンパネル２８１上には第１処理ガス供給系や第２処理ガス供給系等に個別に対応する複数のＬＥＤ表示器が設けられているが、各ＬＥＤ表示器のそれぞれが少なくとも三段階の表示態様の切り替えを行うように構成されている。ＬＥＤ表示器における表示態様の切り替え手法は、公知技術を利用すればよいため、ここではその詳細な説明を省略する。なお、各ＬＥＤ表示器は、三段階以上の表示切り替えに対応したものに限定されることはない。例えば、一つのＬＥＤ表示器にて少なくとも三段階の表示切り替えを行うのではなく、当該一つのＬＥＤ表示器に代わって少なくとも三つのＬＥＤ表示器を並べて配置し、各ＬＥＤ表示器の点灯・消灯を切り替えることで、少なくとも三段階の表示態様を識別可能に構成することも考えられる。また、ガスパターンパネル２８１は、バルブ開閉状態に関する情報を視認可能に出力するものであれば、ＬＥＤ表示器に代わる表示手段を用いたものであっても構わない。
【００８９】
コントローラ２８０は、残留ガス除去工程（ステップ１４）でのガス排気に関連する全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆのうちの少なくとも一つについて開状態から閉状態またはその逆の状態遷移があると、その状態遷移を契機にして、全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆの開閉状態を認識する。そして、認識結果を所定排気条件と比較して、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致するか否か、すなわちバルブ開閉状態の切り替えが正しく行われているか否かを判断する。バルブ開閉状態の認識は、例えば電磁バルブの駆動信号を利用するといったように、公知技術を用いて行えばよい。「所定排気条件」については、これを特定する情報がコントローラ２８０の情報記憶機能に予め記憶保持されているものとする。また、ここでは残留ガス除去工程（ステップ１４）について例に挙げているが、他の残留ガス除去工程（ステップ１２，１６）についても所定排気条件を特定する情報が予め記憶保持されているものとする。
【００９０】
全ての開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃ，２４３ｄ，２４４ｄ，２４３ｅ，２４３ｆについて、バルブ開閉状態の切り替えが正しく行われると、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内からの滞留ガスの排気が開始される。このとき、コントローラ２８０は、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致したことを契機にして、排気開始であると判断し、タイマー機能による計時を開始する。さらに、コントローラ２８０は、排気条件が成立して滞留ガスの排気が開始された旨の信号を、ガスパターンパネル２８１に対して出力する。
【００９１】
その後、コントローラ２８０は、タイマー機能による計時開始から一定時間が経過したら、第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内における滞留ガスの排気が完了したとみなし、排気完了の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。すなわち、排気開始から一定時間が経過すると、排気完了であると判断するのである。この判断基準となる「一定時間」については、装置仕様や実験で得られた経験則等に基づいて、滞留ガスの排気が完了し得る時間として予め特定し、コントローラ２８０の情報記憶機能に
記憶保持させておけばよい。
【００９２】
コントローラ２８０からの出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１は、ＬＥＤ表示器における表示態様を切り替える。例えば、コントローラ２８０から排気開始の信号を受け取る以前は、ＬＥＤ表示器が排気開始の前の「ガス残留状態」を示す表示態様による表示を行う。その後、排気開始の信号を受け取ると、ＬＥＤ表示器は、その時点で「ガス残留状態」を示す表示態様を「排気中状態」を示す表示態様に切り替える。さらにその後、排気完了の信号を受け取ると、ＬＥＤ表示器は、その時点で「排気中状態」を示す表示態様を「排気完了状態」を示す表示態様に切り替える。つまり、ガスパターンパネル２８１におけるＬＥＤ表示器は、排気開始から排気完了までの間においては、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の「排気中状態」を示す表示を行うのである。
【００９３】
以上のような排気シーケンス制御により、例えば図８（ａ）に示すＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中、すなわち開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが開状態でＮＨ３ガスが第１供給管２４０ｃ内および反応ガス供給管２４０ｂ内を流れている状態では、ガスパターンパネル２８１が第１処理ガスであるＮＨ３ガスについて「ガス残留状態」であることを表示する。第２処理ガスであるＯ２ガスについては、ＮＨ３供給工程（ステップ１３）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示態様が「排気完了状態」のままである。
【００９４】
その後、例えば図８（ｂ）に示すように、残留ガス除去工程（ステップ１４）において開閉バルブ２４３ｃが閉状態に切り替わると、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件との合致を契機にしてタイマー機能による計時が開始されるとともに、コントローラ２８０から排気開始の信号が出力される。この出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１では、信号受け取り時点で、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「ガス残留状態」から「排気中状態」に切り替わる。そして、一定時間が経過すると、コントローラ２８０から排気完了の信号が出力される。この出力信号を受け取ると、ガスパターンパネル２８１では、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「排気中状態」から「排気完了状態」へ切り替わる。このときも、第２処理ガスであるＯ２ガスについては、残留ガス除去工程（ステップ１４）の実行中には供給または排気のいずれも行われていないので、ガスパターンパネル２８１における表示態様が「排気完了状態」のままである。
【００９５】
また、例えば図８（ｃ）に示すように、作業員によるマニュアル操作の作業ミス等によってバルブ切り替えが誤って行われ、開閉バルブ２４３ｃ，２４４ｃが閉状態に切り替わった場合には、ＮＨ３ガスに関する所定排気条件と合致しないので、コントローラ２８０から排気開始の信号が出力されない。したがって、バルブ開閉について状態遷移があっても、ガスパターンパネル２８１では、第１処理ガスであるＮＨ３ガスについてのＬＥＤ表示器における表示態様が「ガス残留状態」のままであり、「排気中状態」には切り替わらない。そのため、マニュアル操作を行った作業員は、ガスパターンパネル２８１における表示態様を参照することで、バルブ開閉状態に関して作業ミス等があったことに直ちに気付くことになる。つまり、バルブ開閉状態の切り替えが誤って行われても、作業員がそのことに直ちに気付き、再作業によりバルブ開閉状態を正しく切り替えることが可能になるので、上述した参考例における排気シーケンス制御（図５、図６参照）の場合に比べると、残留ガス除去工程（ステップ１４）が完了するまでに多くの時間を要するのを抑制することができる。
【００９６】
（６）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００９７】
本実施形態にかかる基板処理装置は、残留ガス除去工程（ステップ１４）において反応ガス供給管２４０ｂ内等（すなわちガス流路である配管内）に滞留するガスの状態を、ガスパターンパネル２８１が「ガス残留状態」、「排気中状態」、「排気完了状態」の少なくとも三段階で表示する。そのため、滞留ガスの排気が正しく開始されないと、ガスパターンパネル２８１での表示が「ガス残留状態」から「排気中状態」へ切り替わらず、直ちにそのことを認識することができる。したがって、ＮＨ３ガスとＯ２ガスの混蝕を回避するために一定時間の排気動作を継続する排気シーケンス制御を行う場合に、例えば作業ミスによりガス排気が正しく開始されなくても、直ちに作業をやり直してガス排気を正しく開始させることが可能となり、上述した比較例における排気シーケンス制御の場合に比べると排気完了までに多くの時間を要するのを抑制することができる。
【００９８】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、残留ガス除去工程（ステップ１４）のみならず、残留ガス除去工程（ステップ１２）や残留ガス除去工程（ステップ１６）等についても、同様の排気シーケンス制御を行う。すなわち、反応ガス供給管２４０ｂ内等の他に、気化ガス供給管２４０ａ内や処理室２０１内等についても、ガスパターンパネル２８１が滞留ガスの状態についての表示を行う。このように、残留ガス除去工程（ステップ１２，ステップ１４，ステップ１６）の少なくとも一工程において、処理室２０１内、気化ガス供給管２４０ａ内、反応ガス供給管２４０ｂ内等の少なくとも一つについて滞留ガスの状態を表示することで、どの種類のガスを排気する場合においても、排気が正しく開始されなければ直ちにそのことが認識可能となり、その結果として基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）にとっての利便性が向上する。
【００９９】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、一定時間の排気動作を継続する排気シーケンス制御を行うので、例えばＮＨ３ガスとＯ２ガスのように、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給する場合に適用して好適である。すなわち、一定時間の排気動作を継続することで、例えば可燃性ガスであるＮＨ３ガスと支燃性ガスであるＯ２ガスがいずれも反応ガス供給管２４０ｂを流路とする場合であっても、これらＮＨ３ガスとＯ２ガスが混蝕してしまうのを確実に回避することができる。さらには、可燃性ガスと支燃性ガスによる混蝕発火の危険性を回避可能にするだけでなく、異種ガスがウエハ２００上以外の箇所で反応して当該箇所に堆積物を生成してしまうことについても確実に回避できる。したがって、当該堆積物が配管やノズル等の詰まりやパーティクル発生の要因となってしまうことがない。このように、本実施形態にかかる基板処理装置は、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給する場合に適用して好適なものであるが、単種の処理ガスを供給する場合についても適用可能であり、その場合にもガス排気が正しく開始されないことを直ちに認識できるという効果を奏する。
【０１００】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、その前後とは異なる態様の表示をガスパターンパネル２８１が行うので、ガス排気が正しく開始されたこと、または、ガス排気が正しく開始されなかったことを、基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）が容易かつ的確に認識することができる。
【０１０１】
特に、本実施形態にかかる基板処理装置のように、滞留ガスの状態を「ガス残留状態」、「排気中状態」、「排気完了状態」の少なくとも三段階の表示態様で表示すれば、基板処理装置を使用する者（例えばマニュアル操作の作業者）にとっては、その表示内容の認識をより一層容易かつ的確に行うことができる。
【０１０２】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、ガスパターンパネル２８１上における一つのＬＥＤ表示器が少なくとも三段階の表示態様を切り替え表示するので、当該切り替え表
示のために複数のＬＥＤ表示器を並べた場合に比べると、必要とするパネル面積が小さくて済む。つまり、パネル面積の小型化を通じて、基板処理装置全体の小型化に寄与することが可能になる。
【０１０３】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、バルブ開閉状態が所定排気条件に合致すると、コントローラ２８０が排気開始であると判断し、排気開始の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。したがって、排気開始についての判断基準が明確であり、排気開始であることを的確に判断し得るとともに、「ガス残留状態」から「排気中状態」への表示切り替えを適正に行うことが可能となる。
【０１０４】
また、本実施形態にかかる基板処理装置は、排気開始から所定時間が経過すると、排気完了であると判断し、排気完了の信号をガスパターンパネル２８１に対して出力する。つまり、タイマー機能による計時結果を用いて、排気完了であることを擬制する。したがって、排気完了についての判断基準を明確にしつつ、排気完了の判断のために例えばガス濃度計のような大掛かりな構成を備える必要がなく、基板処理装置の構成簡素化を容易に実現することが可能になる。
【０１０５】
以上のような本実施形態にかかる基板処理装置を用いて半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程を実施すれば、ガス排気が正しく開始されない場合に直ちにそのことを認識でき、排気完了までに多くの時間を要してしまうのを抑制できるので、その結果として高効率の半導体装置の製造を行うことが実現可能となる。
【０１０６】
＜本発明の他の実施形態＞
上述した実施形態では、本発明をＳｉＯＮ膜の処理炉に適用させた場合を例に挙げているが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明は、膜種にはよらず、他の膜種の処理炉にも適用可能であり、例えば基板上に窒化膜、酸化膜、金属膜、半導体膜等の他の膜を形成する基板処理装置、および半導体装置の製造方法にも好適に適用可能である。
【０１０７】
また、上述した実施形態では、気化ガスと反応ガスとをウエハ２００上へ交互に供給するＡＬＤ法を実施する場合について説明したが、本発明はかかる形態に限定されない。例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の他の方法を実施する場合にも好適に適用可能である。
【０１０８】
また、本発明は色々な形態で実施され得るので、本発明の技術的範囲が上述の実施形態や実施例に限定されることはない。例えば、本発明は、１枚または２〜３枚のウエハを収容する収容室を有する枚葉装置を用いて１枚または２〜３枚の枚葉処理する場合についても適用可能である。
【０１０９】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１１０】
本発明の一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、
前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、
を有し、
前記処理室内と前記配管内の少なくとも一方における滞留ガスの状態について表示する表示部と、
前記滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の表示を前記表示部に行わせる制御部と、
を設けた基板処理装置が提供される。
【０１１１】
好ましくは、
前記ガス供給系は、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを供給するものである。
【０１１２】
また好ましくは、
前記制御部は、前記滞留ガスの状態を、前記排気開始の前のガス残留状態を示す表示態様、前記排気開始から前記排気完了までの間の排気中状態を示す表示態様、前記排気完了の後の排気完了状態を示す表示態様の少なくとも三段階で前記表示部に表示させるものである。
【０１１３】
また好ましくは、
前記表示部は、一つの表示部分にて前記少なくとも三段階の表示態様を切り替え表示するものである。
【０１１４】
また好ましくは、
前記制御部は、前記配管におけるバルブ開閉状態が所定排気条件に合致すると、前記排気開始であると判断するものである。
【０１１５】
また好ましくは、
前記制御部は、前記排気開始から所定時間が経過すると、前記排気完了であると判断するものである。
【０１１６】
本発明の他の態様によれば、
基板を収容した処理室内へガス流路である配管を通じて第１処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内および前記配管内の前記第１処理ガスを排気する工程と、
前記第１処理ガスと混蝕を避けるべき種類の第２処理ガスを前記処理室内へ前記配管を通じて供給する工程と、
前記処理室内および前記配管内の前記第２処理ガスを排気する工程と、
を１サイクル中に含み、このサイクルを少なくとも１回以上行うことで、前記基板に対する処理を行う半導体装置の製造方法であって、
前記第１処理ガスを排気する工程と前記第２処理ガスを排気する工程との両方またはいずれか一方では、
前記処理室内と前記配管内の少なくとも一方における滞留ガスの状態について表示する表示部を用い、
前記滞留ガスの排気開始から排気完了までの間、当該排気開始の前および当該排気完了の後とは異なる態様の表示を前記表示部に行わせる
半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１１７】
１０１ 基板処理装置
２０１ 処理室
２３１ 排気管
２３３ａ 気化ガスノズル
２３３ｂ 反応ガスノズル
２４０ａ 気化ガス供給管
２４０ｂ 反応ガス供給管
２４０ｃ 第１供給管
２４０ｄ 第２供給管
２４１ａ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４１ｃ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４１ｄ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２４３ａ 開閉バルブ
２４３ｃ 開閉バルブ
２４３ｄ 開閉バルブ
２４４ｃ 開閉バルブ
２４４ｄ 開閉バルブ
２４５ 圧力センサ
２４６ ＡＰＣバルブ
２４７ 真空ポンプ
２８０ コントローラ
２８１ ガスパターンパネル
５００ 気化器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、
前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、
を有し、
前記配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて前記処理室内へ供給するガス供給系と、
前記処理室内および前記配管内のガスを排気するガス排気系と、
を有し、
前記配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図８】
【図５】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図８】
【図５】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−２３１３８（Ｐ２０１２−２３１３８Ａ）
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５８８１０（Ｐ２０１０−１５８８１０）
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１３日（２０１０．７．１３）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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