【課題】耐熱性が要求される電子機器用途に使用されるアルミニウム材又はアルミニウム合金材の表面を樹脂との接着性、耐熱性が安定して得られる形状に粗化する方法を提供する。
【解決手段】遷移金属イオンを最適範囲の濃度で含有する溶液にアルミニウム材又はアルミニウム合金材を浸漬して表面に遷移金属被膜を置換析出させ、次いでこの遷移金属被膜の溶解反応時にアルミニウム材又はアルミニウム合金材表面にエッチング処理を施すことにより、表面から蛇行経路を持った（蟻の巣状の）マイクロポアにより形成された粗化面を有するアルミニウム材又はアルミニウム合金材を得る。 （もっと読む）

作業の間に銅濃度を減少させることで、再生利用可能なエッチング水溶液である。この溶液は、特に、プリント回路用或いは銅金属を使用する産業における銅エッチングに使用される。この溶液は、一般に水、アンモニア、炭酸銅および炭酸アンモニウムからなり、さらに補助触媒として、ブロムアセチルビフェニルとその誘導体を含まなければならない。 （もっと読む）

本発明はガスタービン部品の被膜除去方法に関し、ガスタービン部品の表面から、多層摩耗保護膜を完全にあるいは部分的に除去するガスタービン部品の被膜除去方法に関する。摩耗保護膜は少なくとも一の比較的硬いセラミックの層と少なくとも一の比較的軟らかい金属の層とを有する。本発明によればガスタービン部品は交互に二つの異なった化学槽に浸漬される。第一の槽は摩耗保護膜の比較的硬いセラミックの層専用に用いられ、第二の槽は摩耗保護膜の比較的軟らかい金属の層を除去するために専用に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。 （もっと読む）

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および／または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。１つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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【課題】シリコンエッチングにおいて、結晶面によるエッチング速度比やエッチング面の平滑度などのエッチング特性を維持しつつ、且つシリコンエッチング速度が高くシリコンエッチングプロセス時間が短縮されるエッチング剤組成物並びにこのエッチング剤組成物を用いるシリコンのエッチング方法を提供すること。
【解決手段】
無機アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン類を含有することを特徴とするシリコン微細加工に用いるエッチング剤組成物、並びにこのエッチング剤組成物を用いるシリコンのエッチング方法。
なし （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料上の貴金属をエッチングする際、卑金属が腐蝕する問題を抑制し、歩留まりを上げることにあり、さらに、シアン化物や鉛化合物を成分とした水溶液に比べて安全性に優れ、環境への影響が少ないエッチング液を提供する。
【解決手段】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比（貴金属のエッチングレート／卑金属のエッチングレート）が０．０３以上である、前記エッチング液。
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【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びｐＨ緩衝剤を含み、ｐＨが６〜８の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】電解銅箔を用い、初回充電時の電池容量が大きく、充放電サイクル寿命に優れ、高性能のリチウム２次電池を提供する。
【解決手段】本発明は、電気化学的または化学的にリチウムを吸蔵・放出可能な活物質を、集電体としての銅箔上に堆積して形成するリチウム２次電池用電極材料としての銅箔であって、前記銅箔は粒状晶からなり、該銅箔の両表面の粗さＲｚが、０．５μｍ〜３．０μｍであることを特徴とするリチウム２次電池電極用銅箔であり、該銅箔を負極集電体用電極材料として構成したリチウム２次電池用電極であり、チウム２次電池である。
前記銅箔の両表面はエッチングにより表面粗さＲｚが、０．５μｍ〜３．０μｍに仕上げられていることが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】超純水中のＯＨ^-濃度を増大させれば、このＯＨ^-を利用して充分に加工することができるとの認識に基づき、超純水中のＯＨ^-を用いて被加工物の加工面に不純物を残さずに清浄な加工が行える全く新しい超純水中の水酸基による加工方法を提供する。
【解決手段】微量の不可避不純物を除き超純水のみを用い、超純水中に間隔を置いて配設した一対又はそれ以上の電極間に電流を流し、超純水を電気分解してイオン積を増大させ、この水酸基又は水酸基イオンの濃度が増大した超純水中に浸漬した被加工物を、水酸基又は水酸基イオンによる化学的溶出反応若しくは酸化反応によって除去加工若しくは酸化被膜形成加工する。被加工物がＳｉであり、その表面にＳｉ酸化膜を形成する。被加工物がＣｕであり、該Ｃｕを除去加工する。 （もっと読む）

【課題】 多層プリント回路基板の製造において、回路の金属表面に対するポリマー材料の最適な接着、ならびに剥離が起こりにくい多層プリント回路基板を提供する。
【解決手段】
多層プリント回路基板の製造において、金属表面としての銅表面に対するポリマー材料の接着力を向上させるために、下記工程（１）〜（２）を含む接着力向上方法を用いる。
（１）金属表面を、以下の配合成分から成る接着力向上剤に接触させる工程
（ａ）酸化剤
（ｂ）無機酸
（ｃ）酸化防止剤
（ｄ）芳香族環もしくは非芳香族環で置換された不飽和アルキル化合物
（２）ポリマー材料を金属表面に接着させる工程 （もっと読む）

【課題】 金属部材の表面処理において、鏡面研磨が行えるとともに酸化膜のコーチングも同一作業により行える鏡面研磨コーチング方法を提供すること
【解決手段】 研磨対象（試料１）を一方の鉄芯４の先端部に支持して研磨パッド２を他方の鉄芯５の先端部に支持し、試料１と研磨パッド２とを対面させた間に磁気研磨液３を存在させる。鉄心４，５にはコイル８，９を設けて電磁石とし、外側の他端に駆動モータ６，７を連結して回転させる。磁気研磨液３には増粘剤，非磁性の砥粒を混合しておき、駆動モータ６，７により互いを逆回転させ、コイル８，９により磁気研磨液３に所定に磁場を加える。磁気研磨液中では強磁性粒子（鉄粒子）に砥粒，マグネタイト粒子が付着し、当該付着粒体が自転して動くので研削作用し、研磨面に酸素が直ちに結合し、コーチングされる。 （もっと読む）

本発明は、スルホン酸組成物を使用した銅配線の研磨および／または洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

（ａ）高密度化二酸化炭素連続相と、（ｂ）前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、（ｃ）前記不連続相内の金属（すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属）と、（ｄ）前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも１種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、半導体基板及び層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、層間絶縁膜と略同一の高さを有するように膜を平坦化することにより、導電性材料を埋め込んで第１の導電層を形成するステップと、埋め込まれた第１の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近年の回路微細化に対応可能なセミアディティブ工法用の回路形成エッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の一態様は、過酸化水素及び硫酸を主成分とし、更にアゾール類を添加剤として含むことを特徴とするセミアディティブ工法用銅回路形成エッチング液を提供する。また本発明の他の態様は、樹脂基板上に銅下地層として銅の薄層を形成した銅張り積層板の銅下地層の上にドライフィルムレジストによって非回路部分のマスクパターンを形成し；基板を銅メッキ処理にかけて、ドライフィルムレジストのマスクパターンの間に銅回路パターンを作成し；ドライフィルムレジストを除去し；非回路部分の銅下地層をエッチングして銅回路を形成する；ことによって銅回路基板を形成する方法であって、非回路部分の銅下地層のエッチングを、上記記載のエッチング液によって行なうことを特徴とする方法を提供する。 （もっと読む）