【課題】 ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最適化するための構造体及び方法を提供すること。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最適化し、より具体的には、１つの種類（Ｐ又はＮ）のＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最大にし、かつ、別の種類（Ｎ又はＰ）のＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最小にし緩和する、ＰＭＯＳＦＥＴ及びＮＭＯＳＦＥＴの両方を含む歪みＭＯＳＦＥＴの半導体構造体、及び歪みＭＯＳＦＥＴを製造する方法が開示される。元の完全な厚さを有する歪み誘起ＣＡ窒化物コーティングが、ＰＭＯＳＦＥＴ及びＮＭＯＳＦＥＴの両方の上に形成され、この歪み誘起コーティングは、１つの種類の半導体デバイス内に最適化された十分な歪みをもたらし、別の種類の半導体デバイスの性能を劣化させる。歪み誘起ＣＡ窒化物コーティングは、別の種類の半導体デバイスの上で減少した厚さまでエッチングされ、減少した厚さの歪み誘起コーティングは、他方のＭＯＳＦＥＴ内でより少ない歪みを緩和し、他方のＭＯＳＦＥＴ内により少ない歪みをもたらす。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を透明導電膜に使用することにより、Ａｌ配線を設けた積層基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 透明基板と、前記透明基板上に設けられたＡｌ配線と、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層基板である。バリヤーメタルを間に設けず、直接Ａｌ配線と透明導電膜が直接接合しているので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品および電子機器またはそれらの製品に使用される金属合金材料、電子および金属材料の加工方法及び電子光学部品に関し、例えば液晶表示素子、各種半導体製品あるいは部品、プリント配線基板、その他のICチップ部品等に適用して、従来に比して低抵抗率であり、更に製造工程中での優位性を保有した安定かつ加工性に優れた電子部品用金属合金材料、この金属材料を使用した電子部品、電子機器を提供する。
【解決手段】 Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。この金属材料によれば、ＣｕにＷを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、アルミ二ウム配線で発生するヒールロックを減少させる、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、下部アルミ二ウム層と、前記下部アルミ二ウム層の上に形成されている窒化アルミ二ウム層と、前記窒化アルミ二ウム層の上に形成されている上部アルミ二ウム層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を用いる。または、さらにアルカリ金属等を含む層を設けた電極とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェットエッチングの際のマスク形成を改良した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜を形成した基板表面にゲート電極を構成する第１の金属を堆積し、第１の金属を残存させる領域にマスクとなる金属膜を形成する。次に、Ｈ_２Ｏ_２とＨ_２ＳＯ_４の混合液、Ｈ_２Ｏ_２とＨＣｌとの混合液、Ｈ_２Ｏ_２とＮＨ_３とＨ_２Ｏとの混合液などを用いて、第１の金属を残存させる領域外の第１の金属をゲート絶縁膜に対して選択的に除去する。その後、マスクとなる金属膜を残存させたままゲート電極を構成する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でオフリーク特性の向上が図れ、しかもシリサイド化トランジスタと非シリサイド化トランジスタとを同一基板上に同時に形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 トランジスタＴｒＡのサイドウォール１０５の厚みをトランジスタＴｒＢのサイドウォール１０５の厚みよりも薄くする。トランジスタＴｒＡにおいて、高濃度不純物拡散層１０６の表面とサイドウォール１０５の底部とは、基板の主面方向から見たときに重なる位置にある。シリサイド層１０８は、高濃度不純物拡散層１０６内に限って形成される。これは、トランジスタＴｒＢを覆うＣＶＤ酸化膜１１の形成後で、かつ、シリサイド層１０８を形成する前にトランジスタＴｒＡに高濃度不純物拡散層１０６を形成することで実現できる。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する薄膜トランジスタを提供する。またコンタクトホールの形成を、容易かつ確実に実施する方法を提供する。
【解決手段】断面がテーパー形状であるアルミニウムゲイト電極と、前記ゲイト電極上のゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上のチャネル形成領域を構成するＩ型のアモルファスシリコン膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜上の保護膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜及び保護膜上のｎ型のアモルファスシリコン膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に電気的に接続されたアルミニウムソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されたアルミニウムドレイン電極と、前記ゲイト絶縁膜上の画素電極と、前記ゲイト電極に電気的に接続されたアルミニウムゲイト配線と、を有し、前記ドレイン領域と前記画素電極とはアルミニウムを介して電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射防止機能とハードマスク機能を兼備した多層構造のＳｉＣ系膜を効率良く、確実に除去し、併せてゲート電極形成プロセスにおける膜の除去工程を簡素化し、デバイスへの悪影響を極力低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された高誘電体膜と、ポリシリコン膜と、反射防止機能とハードマスク機能とを有するＳｉＣ系膜と、を有する積層体に対し、ＳｉＣ系膜を、パターニングされたレジストをマスクとしてエッチングし、次にＳｉＣ系膜をマスクとして、ポリシリコン膜をエッチングした後、少なくとも、ＳｉＣ系膜および露出した高誘電体膜にプラズマを作用させて改質するプラズマ処理工程と、改質されたＳｉＣ系膜および高誘電体膜をウエット洗浄により除去する洗浄工程と、を行なう。 （もっと読む）

【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、（１）フッ化水素と、（２）硝酸と、（３）ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。

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【課題】好適な形状の配線を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】素子と接続される第１の導電層と、その上の第２の導電層とを形成し、第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、マスクを用いたドライエッチングによって第２の導電層を加工し、マスクを残したままウエットエッチングによって第１の導電層を加工する配線の作製方法であって、ドライエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレートより大きく、ウエットエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレート以上とする。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素及び硝酸を含み、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する微細加工処理剤であって、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが０．５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートの０．５〜２倍の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程の単純化およびコストの節減を図るとともに、電荷移動度および電流点滅比の高い有機薄膜トランジスタを製造することが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース／ドレイン電極７および有機半導体層９が順次形成された有機薄膜トランジスタ１０を製造する方法であって、ソース／ドレイン電極７が形成されたゲート絶縁膜５の表面を、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、Ｈ_２ＳＯ_４、またはこれらの混合物である無機酸または有機酸に含浸させ、焼き鈍しする。 （もっと読む）

【課題】特性が向上した薄膜トランジスタの製造方法、これを有する表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、基板１０５上にゲート電極１１０、ゲート絶縁膜１１５、半導体パターン１２２及び半導体パターン上に相互離隔する第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂ、第１バリヤーパターン１３１，１４１、ソース，ドレインパターン１３３，１４３、及び第１，第２キャッピングパターン１３５，１４５が形成されたソース，ドレイン電極１３０，１４０を含む。第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂが垂直なプロファイルを有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く且つオン抵抗が低い上に、チップ面積が小さいショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイを実現できるようにする。
【解決手段】導電性のシリコン基板２の上にバッファ層３と、アンドープの窒化ガリウムである第１の半導体層４と、アンドープのアルミニウム窒化ガリウムである第２の半導体層５とが順に形成されている。第２の半導体層５の上には、ショットキー電極６とオーミック電極７とが互いに間隔をおいて形成されている。第２の半導体層５と第１の半導体層４とバッファ層３とを貫通して、ｎ⁺−Ｓｉ基板２に達するビア８が形成されており、オーミック電極７とｎ⁺−Ｓｉ基板２とは電気的に接続されている。ｎ⁺−Ｓｉ基板２の裏面には裏面電極１が形成されており、オーミック電極７は基板２の裏面に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】安定した接触特性及び電気的特性を有する信号線を含む有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線を覆う有機絶縁物質のゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜上に常温で非晶質状態のＩＴＯ膜を積層して感光膜パターンを利用した湿式エッチング工程でパターニングして、データ線及びドレイン電極を形成する。この時、エッチング液はクロムエッチング液を利用する。次に、感光膜パターンを除去した後でアニーリング工程を実施して、非晶質状態のＩＴＯ膜を準結晶化する。次に、有機半導体を形成した後、ドレイン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成し、接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する。 （もっと読む）