【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 自己整合的に形成されるコンタクトとゲート電極の間の耐圧を向上させる。
【解決手段】 シリコン基板１の上で少なくとも制御用ゲート（ポリシリコン８ａ）を含むゲート構造Ａ、金属電極９ａ、ハードマスク１０ａを積層した積層パターンＢの側面に窪み１１ａを形成して、これを埋め込むように積層パターンＢの側面にサイドウォール１３を形成した構造とする。これにより窪み１１ａがない場合と比較して、コンタクト１９と金属電極９ａの間隔が大きくなるため、コンタクト１９とゲート構造Ａの間の耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

半導体デバイス（１０）は、Ｐチャンネルゲート層（３８）を有し、Ｐチャンネルゲート層（３８）は、第１メタル（１８）と、同第１メタル（１８）上に第２メタル（２０）とを備えている。また、半導体デバイス（１０）は、Ｎチャンネルゲート層（４０）を有し、Ｎチャンネルゲート層（４０）は、ゲート誘電体（１４）と直接接する第２メタル（１８）を備えている。Ｎチャンネルゲート層（４０）、及びＰチャンネルゲート層（３８）の一部には、ドライエッチングによるエッチング処理が施される。Ｐチャンネルゲート層（３８）は、ウェットエッチングにより仕上げられる。ウェットエッチングは、ゲート誘電体（１４）と第２メタルとの両方に対して極めて選択的である。そのため、Ｎチャンネルトランジスタは、Ｐチャンネルゲート層（３８）のエッチング仕上げによる影響を受けない。
（もっと読む）

【課題】 Ａｌ等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層２を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層１と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層３とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層１と上層配線層３とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層１、３で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】 電極用のシャドウマスクの位置合わせが容易な構造からなる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。基板１は、その表面が凹凸化されており、平面１Ａ，１Ｂを有する。平面１Ａ，１Ｂは、基板１の法線方向において相互に異なる位置に配置される。ゲート電極２は、基板１の裏面に形成される。ゲート絶縁膜３は、基板１の平面１Ａ，１Ｂ上に形成される。ソース電極５は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ａ上に形成される。ドレイン電極６は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ｂ上に形成される。そして、ソース電極５およびドレイン電極６は、相互に異なる材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 レーザパターニングされた金属ゲートを有するＭＯＳトランジスタ、及びその製造方法。
【解決手段】 本方法は概して、誘電体薄膜上に金属含有材料の層を形成することであって、その誘電体薄膜は無機半導体を含む電気的機能性基板上にある、形成すること；金属含有材料層から金属ゲートをレーザパターニングすること；及び、金属ゲートに隣接する場所にある無機半導体内にソース端子及びドレイン端子を形成することを含む。そのトランジスタは概して、電気的機能性基板と；電気的機能性基板の少なくとも一部の上にある誘電体薄膜と；誘電体薄膜上にあるレーザパターニングされた金属ゲートと；金属ゲートに隣接する、ドープされた無機半導体層を含むソース端子及びドレイン端子とを備える。本発明は、１つ又は複数の従来のフォトリソグラフィ工程をなくすことにより、信頼性がある電気的特性を有するＭＯＳ薄膜トランジスタを迅速に、効率的に、及び／又は低コストで提供する点で好都合である。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一で、液晶分子のスイッチング方向を制御した広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２基板間に保持された負の誘電性異方性を有する液晶と、第１の基板に設けられた逆スタガ型の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続され、第１の基板に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、を有し、第１の電極は、第１の領域及び第２の領域に分割され、第１の領域の液晶の傾きと、第２の領域の液晶の傾きとは対称となる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。
【解決手段】従来の方法で線幅が２０ｎｍ以上の所定サイズの線幅を有するパターン２０２を作るステップＳ３０２、及び前記パターン２０２を物理的、機械的加工で削ってサイズを縮めるステップ、前記パターン２０２を化学的方法で蝕刻することによって前記パターン２０２のサイズを縮めるステップ、並びに前記パターン２０２を材料の最外から分解して前記パターン２０２のサイズを縮めるステップなどの中から選択された一つのステップＳ３０６を含むことにより金属、半導体、絶縁体パターンの線幅及びサイズを縮める。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンを用いたゲート電極のエッチングによるパターン形成において、ゲート電極ゲート長方向のラインエッジにおける凹凸の発生を抑制する。
【解決手段】ポリシリコン層上に第１のハードマスク層としてＳＯＧ（スピンオングラス）層を、その上に第２のハードマスク層としてＣＶＤ形成シリコン酸化膜層を積層して、エッチングによりポリシリコンのゲート電極のパターニングを行う。これにより、従来の方法である、ポリシリコン層表面に生じたうねり状の凹凸に伴った凹凸を有するシリコン酸化膜ハードマスク層を用いてのエッチングによる、ゲート電極のラインエッジでの凹凸発生の現象を、大幅に抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。
【解決手段】ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む金属窒化物含有多結晶金属層３２からなるバリア層と、これに積層された金属層３１とを有している。 （もっと読む）

【解決課題】配線が良好なプロファイルが得られるエッチング液組成物及び、これを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、６０乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸及び０．１乃至１５重量％の硝酸アルミニウムを含有するエッチング液組成物及び前記エッチング液組成物を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 配線及びパターンの特定箇所を選択的に細らせて配線間隔を広げ、カバレッジの良い成膜条件でもエアギャップを形成することができ、所望の配線間の静電容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 隣接するフローティングゲート電極層について互いの距離が上層から下地基板面までの間で徐々に離れるように上層から下地基板面へ向けて互いの層形状を選択的に細らせ、互いの距離が離れたフローティングゲート電極層の間にエアギャップを有する層間絶縁膜を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１には、ＮＭＯＳトランジスタ１１，３１とＰＭＯＳトランジスタ２１，４１とが形成されている。ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＰＭＯＳトランジスタ２１のゲート絶縁膜２３とは、それぞれ、シリコン酸化膜及びシリコン窒化酸化膜よりも高い誘電率を有する膜から成る。ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲート絶縁膜３３は、下層膜３３ａと、その上に積層された、ゲート電極３４と接触する上層膜３３ｂとから成る。ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＰＭＯＳトランジスタ２１のゲート絶縁膜２３とは異なる材料から成り、ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＮＭＯＳトランジスタ３１におけるゲート絶縁膜３３の上層膜３３ａとは同じ材料から成る。 （もっと読む）

本発明のプロセスは半導体ウエハー表面に銅配線を形成する。該プロセス中、最初に、狭い（３２２）及びラージ（３２６）フィーチャーを該ウエハーの上部表面に提供し、そして、電着工程を使用することにより１次銅層（３３４Ａ）を堆積する。該１次銅層は該フィーチャーを完全にふさぎ、そして、狭いフィーチャー上に平坦な表面及びラージフィーチャー上に平坦でない表面を形成する。電気化学メカニカル堆積工程を使用することにより、２次銅層（３３４Ｂ）を該１次銅層上に堆積し、狭い及びラージフィーチャー上に平坦な銅層を形成する。このプロセス工程後、電解研磨工程を使用して平坦な銅層の厚みを薄くする。
（もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
【解決手段】本発明は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線表面に接触した際の接触抵抗を低減しうる配線構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 透明電極である第２電極と、第１電極（ゲート、ソース、ドレイン）とのコンタクト部のコンタクト抵抗を低減し、電池反応を抑制する。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に、Ａｌ合金を用いて、第１電極である薄膜トランジスタの第１電極（ソースなど）を形成する工程と、第１電極及び基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、絶縁膜上に第２電極（透明電極）を形成し、第２電極と第１電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を含み、Ａｌ合金は、Ｎｉと、｛Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ｝から選択された一種以上の金属と、を含むＡｌ合金であることを特徴とする。 （もっと読む）