【課題】半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗・高耐圧を有しIII族窒化物半導体を用いるショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】窒化ガリウムフィールドプレート層１７は、III族窒化物半導体ドリフト領域１３の第１のエリア１３ｂを覆う。窒化ガリウムフィールドプレート層１７は、第２のエリア１３ｃに開口１９を有する。ショットキ導電部１５ａは、開口１９においてIII族窒化物半導体ドリフト領域１３の第２のエリア１３ｃにショットキ接合２１を成すことにより、オン抵抗を高くすることがない。オーバーラップ導電部１５ｂは、窒化ガリウムフィールドプレート層１７上に設けられる。窒化ガリウム系材料とは異なる材料から成る絶縁物（例えばＳｉＯ_Ｘ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ）とIII族窒化物半導体との界面が形成されない。 （もっと読む）

【課題】コ字状電極ＴＦＴの構成を回避することにより、大電流を安定に流すとともに、リーク電流を抑制することのできる薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置用駆動回路を得る。
【解決手段】ａ−Ｓｉ層２Ａは、ソース電極３のコ字状電極部６の内側とドレーン電極４の平行電極肢の先端部との間の除去領域８と、ドレーン電極４のコ字状電極部７の内側とソース電極３の平行電極肢の先端部との間の除去領域９と、において完全に除去され、各電極３、４の平行電極肢を含むチャネル領域５Ａと、少なくとも各電極３、４とゲート電極１とが平面的に重なる領域と、に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界集中の起こりにくい半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。ＳｉＣ層１１は上部主面にファセット形成層１１ａを有しており、ファセットに接触するようにアノード電極１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。Ｐ+型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】アノード電極とのコンタクト抵抗を低減できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本半導体装置は、炭化珪素半導体基体１００の第１主面とヘテロ接合を形成し、且つ炭化珪素とバンドギャップの異なる多結晶シリコンからなるヘテロ半導体領域３と、ゲルマニウムからなり、へテロ半導体領域３と接するバッファ層４と、バッファ層４と接するアノード電極５と、炭化珪素基板１の裏面に接するカソード電極６を備えている。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流を低減することが可能なショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたエピタキシャル層２と、エピタキシャル層２に接合されたショットキー電極４と、ＳｉＣ基板１のうちエピタキシャル層２が形成された面とは反対側の面に接合されたオーミック電極６と、を備えるショットキーバリアダイオードＡであって、エピタキシャル層２は、ＳｉＣ基板１の（０００−１）Ｃ面１ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＯＳ型電界効果トランジスタは、耐圧を向上させるための構成として電界緩和層を有する構造とすると、オン抵抗が増加した。これを低減するために、電界緩和層の表面を電荷蓄積層とすると、寄生容量が大きくなってしまうという問題があり、従来技術は、使用する用途が限られてしまっていた。
【解決手段】本発明のＭＯＳ型電界効果トランジスタは、ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域と電界緩和領域とを設け、その上部に設けるゲート電極の端部をこの電界緩和領域とドレイン領域との境界位置に設けた。このような構成とすることにより、オン抵抗の低減効果および高耐圧化と、寄生容量の増加を抑制することとを両立することができ、使用する用途を選ばないＭＯＳ型電界効果トランジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体をｐ型動作させる際に生じる電極と有機半導体との接触抵抗を安価に低減する方法と、本来ｐ型として動作しやすい有機半導体を安価にｎ型動作させる方法を提供する。また、これらの方法を用いて安価に製造できるｐ型チャネルＦＥＴ，ｎ型チャネルＦＥＴ，及び相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタを提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳの中のｐ型チャネルＦＥＴの部分には、ｐ型半導体として動作させやすい有機半導体をそのまま用い、ｎ型チャネルＦＥＴの部分では同じ有機半導体をｎ型として動作させる効果を持つ単分子膜を電極と半導体の間に挟むことによって、安価にｐ型領域とｎ型領域を同一基板上に作成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、リーク電流の発生を小さく抑えた薄膜トランジスタを、工程を追加することなく得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上のゲート電極２を覆う状態で、ゲート絶縁膜３および第１半導体膜４を成膜し、ゲート電極２の中央部上に光透過性の絶縁性パターン５を形成し、さらに第２半導体膜６で覆う。絶縁性パターン５をストッパとした第２半導体膜６のパターンエッチングにより、第２半導体膜６を絶縁性パターン５の中央部上で分離したソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄを形成する。ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄおよび絶縁性パターン５上からレーサ光Ｌｈを照射することにより、ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄを結晶化すると共に、絶縁性パターンのみが積層された部分の下層で結晶性が高く、ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄと絶縁性パターン５との両方が積層された部分の下層で結晶性が低くなるように、第１半導体膜４を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 ショットキーバリアダイオードの逆オフリーク電流が大きくなりすぎるという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３に形成されるＰ型の第１のアノード拡散層５と、前記第１のアノード拡散層５を取り囲むように形成され、当該第１のアノード拡散層５よりも不純物濃度の低い第２のアノード拡散層９Ａと、前記エピタキシャル層３に形成されるＮ型のカソード拡散層７Ａ，８Ａと、前記第１及び第２のアノード拡散層５，９Ａ上に形成されたショットキーバリア用金属層１４とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ショットキーバリアダイオードの逆オフリーク電流が大きくなりすぎるという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３に形成されるＰ型の第１及び第２のアノード拡散層５，６及び７，８と、前記エピタキシャル層３に形成されるＮ型のカソード拡散層１０Ａ，１１Ａと、前記第１及び第２のアノード拡散層を取り囲み、かつ前記カソード拡散層側へと延在するように、前記エピタキシャル層３に形成されるＰ型の第３のアノード拡散層９Ａと、前記第１及び第２のアノード拡散層上に形成されるショットキーバリア用金属層１４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波の信号に応じて精度よく動作するショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】半導体材料に不純物が添加された高濃度不純物層と、高濃度不純物層の上面に形成され、半導体材料に添加される不純物の濃度が高濃度不純物層より低い低濃度不純物層と、金属材料で形成され、低濃度不純物層と接触して設けられたアノード端子と、高濃度不純物層の上面において低濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、高濃度不純物層とオーミック接触するガードリングと、ガードリングと接触するカソード電極とを備えるショットキーバリアダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】単位ゲート幅あたりのドレイン容量を低減できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を有する第１導電型の第１半導体領域１４に、４つの辺を有する矩形環状のゲート電極２１（Ｇ）が形成され、ゲート電極の内側にドレイン領域１８Ｄ（Ｄ）が形成され、４つの辺の外側の領域のそれぞれにおいて、対応するドレイン領域のチャネル幅を狭めない幅でソース領域１８Ｓ（Ｓ）が形成され、即ち、矩形形状のドレイン領域の四辺全てにゲート電極が形成され、トランジスタが構成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで拡散層の表面の不純物濃度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にＮ型不純物を注入してＮ^＋型拡散層３を形成し、Ｐ型不純物を注入してＰ^＋型拡散層４を形成し、レーザ光を照射してＰ^＋型拡散層４を溶融させる。次に、不純物の偏析係数が０．９以下となるようにして、Ｐ^＋型拡散層４をシリコン基板１の内部側から凝固させる。これにより、Ｐ^＋型拡散層４の表面に不純物が偏析する。そして、凝固したＰ^＋型拡散層４にアルミニウム、チタン又はバナジウムからなる電極６を接合する。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、ヘテロ接合に形成されたチャンネルを用いる窒化物半導体デバイスにおいて、低抵抗の電極を形成することである。
【解決手段】 窒化物半導体デバイスにおいて、窒化物半導体表面より小さな穴を通してヘテロ接合に形成されるチャンネルに接する電極構造を形成することによって解決される。また上記電極構造は、電子ビーム蒸着法により粒子状の金属をチャンネルに至るまで導入することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレインとして金属電極が形成された電界効果トランジスタにおいて、短チャネル効果の発生及びリーク電流を抑制する。
【解決手段】 半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、金属電極からなり半導体基板１１との界面にショットキー・バリアを形成するソース・ドレイン１２，１３とを具備してなる電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、ソース側及びドレイン側の少なくとも一方の金属電極と半導体基板１１との界面に、正孔又は電子に対して、前導体基板１１と金属電極とのショットキー・バリアより低いバリアを形成する変調領域１０１，１０２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗極薄先端領域を有する新規のトランジスタおよびＶＬＳＩ生産可能製造方法を提供する。
【解決手段】第１のドープ半導体材料を前記半導体基板上に前記第１の側壁スペーサの外縁に整合して形成し、ドーパントを前記半導体材料から前記基板中に前記側壁スペーサの第１の対の下に拡散させて、一対の先端領域を形成し、側壁スペーサの第２の対を前記第１の半導体基板上に前記側壁スペーサの第１の対の外縁に整合して形成し、ソース／ドレイン・コンタクト領域を形成するために、イオンを前記半導体材料中および前記基板中に前記側壁スペーサの第２の対の外縁に整合させて注入する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｓｉ基板と接続される配線パターンを備えた半導体装置の製造方法に関し、Ｓｉ基板上におけるＳｉノジュールの発生を十分に抑制すると共に、半導体装置の製造コストを低減することを課題とする。
【解決手段】開口部１６Ａ、１６Ｂを有した絶縁膜１２が形成されたＳｉ基板１１を、所定の温度Ｔ_ｘに加熱された温水に浸漬させて、開口部１６Ａ、１６Ｂに露出されたＳｉ基板１１上に所定の厚さＭ１、Ｍ２を有する酸化膜１３Ａ、１３Ｂを形成し、その後、開口部１６Ａ、１６Ｂを充填すると共に、絶縁膜１２の上面１２Ａに亘るように配線パターンを形成する。 （もっと読む）