【課題】本発明は、Ｓｉ基板と接続される配線パターンを備えた半導体装置の製造方法に関し、Ｓｉ基板上におけるＳｉノジュールの発生を十分に抑制すると共に、半導体装置の製造コストを低減することを課題とする。
【解決手段】開口部１６Ａ、１６Ｂを有した絶縁膜１２が形成されたＳｉ基板１１を、所定の温度Ｔ_ｘに加熱された温水に浸漬させて、開口部１６Ａ、１６Ｂに露出されたＳｉ基板１１上に所定の厚さＭ１、Ｍ２を有する酸化膜１３Ａ、１３Ｂを形成し、その後、開口部１６Ａ、１６Ｂを充填すると共に、絶縁膜１２の上面１２Ａに亘るように配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ショットキバリア半導体装置において、少ない逆方向洩れ電流と、より高い阻止電圧を有し、順方向電圧降下が小さく電力効率の高い効率的な半導体装置であって、サージや過渡電圧に対して高い耐久性を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０１の第１主面上に低濃度の半導体層１０２が形成され、前記低濃度の半導体層表面から半導体基板１０１に至る１つ以上のトレンチ１０３によって、前記低濃度の半導体層内に１つ以上のメサ１０２ａを形成し、前記メサ１０２ａとトレンチ１０３の境界部に絶縁皮膜１０４を形成し、絶縁皮膜１０４の表面上でかつトレンチ内部に第１の電極１０５を形成し、前記低濃度の半導体層表面にショットキ接合を形成する第２の電極１０６を前記第１の電極１０５とオーミック接合して形成し、半導体基板１０１の第２主面上に第３の電極１０７を形成する。 （もっと読む）

【課題】改善されたリセスチャンネルトランジスタを備えた半導体素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、半導体素子及びその製造方法に関し、特に３次元リセスチャンネル構造を埋め込む下部ゲート電極を第１下部ゲート導電層、リセスチャンネル構造の埋込み時に発生するシームとその移動を防止する支持層及び第２下部ゲート導電層の積層構造で形成するように半導体素子を設計することで、３次元リセスチャンネル構造のトポロジー特性により、リセスチャンネル構造内に生成するシームと後続する熱処理工程によるシームの移動現象を最小化し、素子の動作特性を向上させることのできる技術である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において半導体素子間の分離を好適に達成するとともに半導体装置の小型化を図ること。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたエピタキシャル層２と、半導体基板１とエピタキシャル層２との間に形成された埋め込み層３と、エピタキシャル層２表面から埋め込み層３に達する第１のトレンチ７と、第１のトレンチ７内に埋め込まれるとともに埋め込み層３と接続されたドレイン取出電極８ｂと、ドレイン取出電極８ｂを電極とした半導体素子と、エピタキシャル層２表面からその半導体素子を囲むように設けられた第２のトレンチ５とを備え、第２のトレンチ５内の少なくとも側壁を絶縁膜６ａで被覆した。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの形状及び電極構造に関して自由に設計を行なうことができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面には複数の凹部１０ａ，１０ａ，…が設けられ、各凹部１０ａには、表面からエミッタ領域ＲＥとベース領域ＲＢとがこの順序で配置されている。その他の領域がコレクタ領域ＲＣとなってトランジスタを構成する。基板全面に電極としての導電体を設ける場合、凹部１０ａによる段差のため、ベース領域ＲＢ上のベース電極１２Ｂとエミッタ領域ＲＥ上のエミッタ電極１２Ｅとは分離された状態で形成される。そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数で製造することが可能であるとともに、ｐ型部分領域５２とソース電極５８の間のコンタクト特性とソース領域５４とソース電極５８の間のコンタクト特性の両者を改善すること。
【解決手段】 半導体装置１０は、ｐ型の不純物を含む窒化ガリウム系半導体のｐ型部分領域５２とｎ型の不純物を含む窒化ガリウム系半導体のソース領域５４を備えている。半導体装置１０はさらに、ｐ型部分領域５２及びソース領域５４に電気的に接続するソース電極５８を備えている。半導体装置１０は、ｐ型部分領域５２とソース電極の間に形成されているとともに酸化ガリウムを含むコンタクト層５６を備えている。コンタクト層５６は、ソース領域５４とソース電極５８の間にも形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く且つオン電圧の低いＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性の基板６２と、基板６２上に形成され、表面の一部が凸部形状をなすＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層６４と、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層６４の凸部６４ｂの上面にオーミック接合して形成されるソース電極７２と、凸部６４ｂの側面にショットキー接合して形成されるゲート電極７４と、基板６２の裏面にオーミック接合して形成されるドレイン電極７６とを備えることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。
【解決手段】ソースおよびドレイン上にニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域が形成されたｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャネル長さ方向を、半導体基板の結晶方位＜１００＞に平行となるよう配置する。結晶方位＜１００＞の方向には、ニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域は延伸しにくいため、ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体層に形成される制御電極のショットキ特性の向上、高耐圧化、周波数分散の抑制を可能とし、スレッショホールド電圧の制御が容易なノーマリーオフ動作を実現できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、第１の窒化物半導体層と微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層を形成し、制御電極形成領域にマスク膜を形成する。マスク膜を用いて露出する第１の窒化物半導体層上に、第３の窒化物半導体層と微結晶構造からなる第４の窒化物半導体層を形成する。マスク膜を除去し、第２の窒化物半導体層上に制御電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な接合界面を具備し、ジャンクションリークが抑制された高性能なＭＩＳ型電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル領域が形成される第１導電型の第１の半導体領域１００と、ゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極１０２，１０３と、チャネル領域の両側に形成されたＳｉ_ＸＧｅ_１−Ｘ層１０６と、Ｓｉ_ＸＧｅ_１−Ｘ層１０６上に形成された、不純物の濃度が１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の第２導電型の第２の半導体領域１０８と、第２の半導体領域上に形成されたＮｉ（ニッケル）を含有するシリサイド層１１０を具備する電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】終端部での局所的な電界集中を抑えることで、高信頼性、高耐量が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層の主面上に設けられた第１導電型の第１の半導体ピラー領域と、第１の半導体層の前記主面に対して略平行な方向に第１の半導体ピラー領域と共に周期的配列構造を形成するように、第１の半導体ピラー領域に隣接して第１の半導体層の主面上に設けられた第２導電型の第２の半導体ピラー領域と、第１の半導体ピラー領域及び第２の半導体ピラー領域の周期的配列構造が形成された素子部の外側の終端部における第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体ピラー領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層中に選択的に埋め込まれた第２導電型半導体の埋め込みガードリング層と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗が小さくかつゲートリーク電流の少ないノーマリオフタイプのヘテロ構造電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】分極性を有する化合物半導体を用いて作製されたヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、その化合物半導体の無極性面上にゲート電極（Ｇ）が形成されており、その化合物半導体の極性面上にソース・ドレイン電極（Ｓ、Ｄ）が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に順次形成された、第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第１のIII−Ｖ族窒化物半導体１２と比べてバンドギャップが大きい第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３と、オーミック電極１４とを備えている。オーミック電極１４は、下部が第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３を貫通し且つ第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２における２次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３におけるオーミック電極１４と接する部分には、不純物ドープ層１８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の上昇を抑える共に、リーク電流を低減することが可能なショットキバリアダイオードの提供。
【解決手段】導電性III族窒化物基板１３は、第１の面１３ａおよび第２の面１３ｂを有する。また、導電性III族窒化物基板１３は、１×１０^６ｃｍ^−２以下の転位密度Ｄ_１３を有する。ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５は、基板１３の第１の面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度Ｎ_１５を有する。第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５上に設けられており、また０．５×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度ｎ_１７を有する。ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。オーミック電極２１は、基板１３の第２の面上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極のコンタクト抵抗が小さく且つ電極の形成が容易な電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１０の上に形成され、一般式がＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）で表されるキャップ層２５を含む窒化物半導体積層体２０と、キャップ層２５の上に互いに間隔をおいて形成されたノンアロイのソース電極３１及びノンアロイのドレイン電極３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】埋め込みＳｉＧｅまたはＳｉＣによるソース・ドレインを含むＭＩＳＦＥＴにおいてＳＴＩのエッジ部分でファセットが発生しないＭＩＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０の表面層に形成されて素子形成領域を確定するＳＴＩ１０１と、ゲート絶縁膜１３を介して素子形成領域のＳｉ基板１０上に形成されたゲート電極１９と、ゲート電極１９を挟むように、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにあってはＳｉＧｅから、また、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにあってはＳｉＣから、Ｓｉ基板１０の表面層に形成されたソースまたはドレインをなす不純物拡散層６１，６３と、不純物拡散層６１，６３の表面に形成された第１のシリサイド６２，６４と、を備えるＭＩＳＦＥＴにおいて、ＳＴＩ１０１の表面の高さを第１のシリサイド６２，６４の高さと実質的に同一にする。 （もっと読む）

【課題】耐圧性および耐湿性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、トランジスタ等が形成される活性領域１９を囲むように、分離領域１３Ａ、１３Ｂを設けている。この分離領域１３Ａ等は、半導体基板１１の上面から下面まで連続して延在していおり、内部にはシリコン酸化膜等から成る絶縁物層１４Ａが形成されている。従って、活性領域１９が形成される半導体基板１１の側面の全てを絶縁物により被覆することができるので、半導体装置の耐圧性および耐湿性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、設計の自由度を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置１０は、ソースおよびドレイン間に配置される第１導電型の導電層２７と、該導電層のソース側に、所定の間隔で埋め込み形成されたトレンチゲート２６と、該トレンチゲートの隣り合う一方の側壁にそれぞれ隣接して前記トレンチゲートに印加される電圧で反転層を形成してソースおよびドレイン間の電流制御を行なうための第２導電型の反転層形成領域１４と、逆方向電圧の印加による電界を緩和するために前記導電層に埋め込まれた第２導電型の埋め込み領域１３と、を備えており、埋め込み領域１３はトレンチゲートの隣り合う他方の側壁にそれぞれ隣接して当該トレンチゲートの深さ寸法より深い位置まで埋め込み形成され、かつソースに直接的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた縦型ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の高耐圧化を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。ドリフト層１４は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域１４ａを有している。 （もっと読む）