【課題】製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ^＋型のカソード領域１１２及びｎ⁻型のドリフト領域１１４を有する半導体基板１１０と、絶縁層１２４を介して導電性材料１２６が埋め込まれた構造を有する複数の第２主面側トレンチ領域１２２及び複数のｐ型の第１主面側トレンチ領域１２０を有するトレンチ領域１１６と、ドリフト領域１１４において隣接するトレンチ領域１１６間に挟まれた部分に位置するメサ領域１１８と、半導体基板１１０の第２主面上に形成され、メサ領域１１８との間でショットキ接合を形成するバリア金属層１２８とを備えるトレンチショットキバリアダイオード１００。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗のＦＥＴを提供する。
【解決手段】本発明のＦＥＴは、第１の窒化物半導体層１０３と、第１の窒化物半導体層１０３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１０３よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層１０４と、第２の窒化物半導体層１０４の上に形成された第３の窒化物半導体層１０５と、第３の窒化物半導体層１０５の上に形成され、第３の窒化物半導体層１０５よりもバンドギャップエネルギーが大きい第４の窒化物半導体層１０６とを備え、第１の窒化物半導体層１０３及び第２の窒化物半導体層１０４のヘテロ接合界面には、チャネルが形成される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素中の結晶欠陥を低減することができるプロセスならびにその結果得られる構造体およびデバイスを提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素ベースのパワーデバイスが、＜０００１＞方向に対して８°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層を含む。 （もっと読む）

【課題】ソフトリカバリー特性の良好なダイオードを単純な製造方法で得る。
【解決手段】ｎ⁻層１０２中には、軽元素のイオン注入によって形成されたｎ側結晶欠陥層１０７が、図１（ｂ）における上下方向に延びたストライプ状に局所的に形成されている。ｐ側結晶欠陥層１０８も同様であり、図１（ａ）に示されるように、ｐ側結晶欠陥層１０８とｎ側結晶欠陥層１０７とは隣接して交互に形成されている。また、アノード電極１０４の厚さは均一ではなく、薄い箇所と厚い箇所が交互に存在する不均一な厚さをもつ電極である。その薄い箇所に対応してｎ側結晶欠陥層１０７が形成され、厚い箇所に対応してｐ側結晶欠陥層１０８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界集中が生じにくくリーク電流を抑えることができ、ＰＮ接合領域における無効領域を小さくでき、ショットキー接合領域の面積を十分に確保でき、効率よく容易に製造できる高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣからなる第１導電型の半導体基板１の一方の面に、ＰＮ接合領域７ａと、ショットキー接合領域７ｂとが設けられ、ＰＮ接合領域７ａには、半導体基板１上に設けられた第２導電型層２を含む断面視台形状の凸状部２ａと、凸状部２ａの第２導電型層２上にオーミック接触されたコンタクト層３とが備えられ、ショットキー電極４が、凸状部２ａの側面とコンタクト層３とを覆い、ＰＮ接合領域７ａおよびショットキー接合領域７ｂに連続して設けられている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極からのホールリークが防止された横型のＦＥＴを提供することを課題とする。
【解決手段】基板の表面上に形成された第１導電型のチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを備え、前記ソース電極及びドレイン電極を前記チャネル層とオーミックコンタクトさせて電界効果型トランジスタを構成し、前記ドレイン電極の下部の前記チャネル層に第１導電型の拡散領域を備え、前記拡散領域が、式（１）Ｎｓ≧ε×Ｖｍａｘ／（ｑ×ｔ）（式中、εは前記チャネル層の誘電率［Ｆ／ｍ］、Ｖｍａｘは前記電界効果型トランジスタの仕様最大電圧［Ｖ］、ｑは電荷量（１．６０９×１０^-19）［Ｃ］、ｔは前記基板の表面から前記拡散領域の底面までの距離［ｍ］である）で表されるシート不純物濃度Ｎｓ［ｃｍ^-2］を有していることを特徴とする電界効果型トランジスタにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。また、半導体装置は、第２の半導体層とショットキー接触を有する第１の電極と、第２の半導体層とオーミック接触を有する第２の電極と、第１の電極の中央部の直下に設けられ、第１の電極の中央部の直下に分布する２次元電子ガスを消失させる半導体領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板強度の確保、およびハンドリングの容易さを失うことなく半導体素子の低損失化を行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板１０の裏面１２側に裏面トレンチ１３が形成され、この裏面トレンチ１３内に埋め込み電極１４が充填されている。この埋め込み電極１４は裏面電極３０に電気的に接続されている。これにより、半導体層２０から支持基板１０に流れ込んだ電流が埋め込み電極１４を介して裏面電極３０に流れやすくなるため、実質的に支持基板１０の抵抗成分を低減でき、半導体素子の低損失化を図ることができる。また、支持基板１０を薄膜化せずに低損失化を図っているため、支持基板１０の厚さを確保でき、支持基板１０の機械的な強度を確保できるので、ハンドリングの容易さが失われないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧でスイッチングスピードに優れ高い高周波特性を有するノーマリオフ型のＨＥＭＴを提供すること。
【解決手段】第１のバンドギャップを有する第１の窒化物半導体層と前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有する第２の窒化物半導体層とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極５と、前記主半導体領域上において前記ソース電極と離間して形成されるドレイン電極６と、前記第１の窒化物半導体層上において前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される第３の窒化物半導体層と、前記第３の窒化物半導体層上に形成され且つｐ型の導電性を有する第４の窒化物半導体層と、前記第４の窒化物半導体層上に形成されるゲート電極７と、を備え、前記第３の窒化物半導体層が前記第１のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有することを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性ＳｉＣ基板を用いずとも良好な高周波数特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２が形成されている。化合物半導体領域２には、順次積層されたバッファ層２ａ、電子走行層２ｂ、電子供給層２ｃ及び表面層２ｄが含まれている。化合物半導体領域２には、活性領域を画定する素子分離領域３が設けられている。そして、活性領域と整合するようにして、導電性ＳｉＣ基板１に開口部１ａが形成されている。表面層２ｄには、電子供給層２ｃを露出する２個の開口部が形成されており、開口部の各々に、オーミック電極がソース電極４又はドレイン電極５として形成されている。更に、開口部１０ａを介して表面層２ｄと接するゲート電極６がシリコン窒化膜１０上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高耐電圧のダイヤモンド電子素子及び高耐電圧のダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のダイヤモンド電子素子２は、第２ダイヤモンドエピタキシャル層２２を有する本体部と、本体部に設けられた電極２４とを備えたダイヤモンド電子素子であって、第２ダイヤモンドエピタキシャル層２２は、３×１０^４ｃｍ^−２以下の面密度の複合転移を有する所定の電圧印加領域Ｅ１を含み、電極２４は、電圧印加領域Ｅ１上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上し且つ歩留りや信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】裏面に凹部ＤＰ１が形成されたシリコン基板１０１と、シリコン基板１０１における裏面と反対側の上面上に成長されたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３の上方または側方に互いに離間して形成されたソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄと、を含むＭＯＳＦＥＴと、を備える。ｐ型半導体層１０３は、シリコン基板１０１に対して格子定数および熱膨張係数のうち少なくとも１つが異なる。凹部ＤＰ１は、シリコン基板１０１の厚み方向から見て少なくともソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄで挟まれた領域を内包する領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ面内におけるゲート形成領域の開口部のエッチング深さを均一化して所望の閾値電圧を得ることができ、併せて歩留を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半絶縁性基板上に、バッファ層と、チャネル層と、ｐ型不純物が拡散される拡散層と、前記拡散層よりもエッチングレートが大きい被エッチング層を順次エピタキシャル成長して積層するステップと、前記被エッチング層よりもエッチングレートが大きい絶縁層を前記被エッチング層上に設けるステップと、エッチングレートの違いを利用して、前記絶縁膜に開口部を設け、さらに、前記開口部を介して前記被エッチング層を選択的にエッチング除去するステップと、前記開口部から前記拡散層に前記ｐ型不純物を拡散してゲート領域を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１１に、第２導電型の不純物Ｂをイオン注入する工程と、半導体層１１に熱処理を施して不純物Ｂの一部を活性化し、第１不純物拡散層１２を形成する工程と、第１不純物拡散層１２に選択的にレーザを照射してレーザが照射された領域の未活性の不純物Ｂを活性化し、第１不純物拡散層１２より高いキャリア濃度を有する第２不純物拡散層１３を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ショットキー接合界面にＰｔまたはＡｕが到達してしまうおそれを低減する。
【解決手段】Ｎ＋型半導体基板1上のＮ−型エピタキシャル層2に複数のトレンチ2aを形成し、トレンチ2aの側面2a1および底面2a2を介してＰ型不純物を導入して拡散させることにより、ガードリング部4とＰ型層5とを形成し、トレンチ2aの側面2a1上および底面2a2上に酸化膜3を形成し、酸化膜3のうち、トレンチ2aの底面2a2に隣接する部分に開口2bを形成し、半導体チップの表面全体にＰｔまたはＡｕ7を蒸着し、蒸着されたＰｔまたはＡｕ7の上からポリシリコン8を堆積させてトレンチ2aの内部にポリシリコン8を充填し、トレンチ2aの底面2a2の開口3bを介してＰｔまたはＡｕ7をトレンチ2aの底面2a2の下方に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の低減に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜１２を介して設けられるゲート電極１３と、前記半導体基板中に前記ゲート電極を挟むように隔離して設けられるエクステンション領域ＬＤＤと、前記エクステンション領域の両側を挟むように前記半導体基板中に設けられ、前記半導体基板とは異なる格子定数有し、前記半導体基板に歪みを付与する歪み付与層２２と、前記エクステンション領域の両側の前記半導体基板中に前記ゲート電極を挟むように隔離して設けられるソース／ドレインＳ／Ｄと、前記ソース／ドレイン上に設けられるシリサイド層ＳＳ／Ｄとを具備し、前記歪み付与層と前記半導体基板との界面Si-Siは、少なくとも前記シリサイド層の底面の一部に一致する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体機能層に生成される二次元キャリアガスチャネルにおいてキャリア密度及び電界をキャリア走行方向に変調する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＨＥＭＴ）１において、二次元キャリアガスチャネル２４を有する第１の化合物半導体層２１と、第１の化合物半導体層２１上にバリア層として配設され、ドーパントを有する第２の化合物半導体層２２と、二次元キャリアガスチャネル２４の一端に接続された第１の主電極３と、二次元キャリアガスチャネル２４の一端に離間する他端に接続された第２の主電極４とを備え、第１の主電極３と第２の主電極４との間において、第２の化合物半導体層２２のドーパント濃度が二次元キャリアガスチャネル２４方向に異なる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体機能層に生成される二次元キャリアガスチャネルにおいてキャリア密度及び電界をキャリア走行方向に変調する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＨＥＭＴ）１において、二次元キャリアガスチャネル２３を有する第１の化合物半導体層２１と、第１の化合物半導体層２１上に配設され、バリア層として機能する第２の化合物半導体層２２と、二次元キャリアガスチャネル２３の一端に接続された第１の主電極３と、二次元キャリアガスチャネル２３の一端に離間する他端に接続された第２の主電極４とを備え、第１の主電極３と第２の主電極４との間において、第２の化合物半導体層２２の組成元素の組成比が二次元キャリアガスチャネル２３方向に異なる。 （もっと読む）

【課題】同一表面上に両極が形成され、フリップチップボンディングが可能なＳＢＤを提供する。また、ＶＦ特性に優れたＳＢＤを提供する。
【解決手段】
本発明のＳＢＤは、Ｎ⁺型の第１の半導体領域の上にＮ^-型の第２の半導体領域を積層した構造の半導体基板と、第２の半導体領域とショットキーコンタクトを形成するバリアメタルとを有する。第２の半導体領域の表面から第１の半導体領域まで延在するＮ⁺型の第３の半導体領域を有する。第２の半導体領域とバリアメタルと電気的に接続する１つ以上の第１の外部電極と、第３の半導体領域と電気的に接続する１つ以上の第２の外部電極とを有する。第３の半導体領域が第２の半導体領域内に等間隔で島状に複数形成され、第１の外部電極と第２の外部電極が半導体基板の同一表面上にいずれも形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）