【課題】耐圧特性と電流増幅特性とに優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電界緩和領域として機能するＲＥＳＵＲＦ領域１１０を備えたＲＥＳＵＲＦ−ＭＯＳＦＥＴ１００において、ＲＥＳＵＲＦ領域１１０と、ソース用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｓと、ドレイン用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｄとのうち少なくとも１つに、ｎ型の導電性を有する原子と窒素原子とを不純物として含ませる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む窒化物半導体に対して、より低いコンタクト抵抗が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた窒化物半導体からなる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられ、前記第１の半導体層よりもアルミニウムの濃度が高い窒化物半導体からなる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられた電極と、を備え、前記第２の半導体層に複数の孔が形成され、前記複数の孔のそれぞれは、前記電極と同種の材料により充填されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】各温度領域における最適なドーピング濃度を提供し、高温動作ダイヤモンド半導体での動作時の抵抗を最低限にし、省エネルギー動作を可能にする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法を提供する。
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ⁻ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、不純物ドーピング濃度をコントロールすることにより、高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度を設定することを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子における電極の半導体動作層とのオーミックコンタクト抵抗を飛躍的に低下させることにより、高耐圧大電流であって、且つ低損失の電力用の半導体素子を提供する。
【解決手段】
基板上１４に少なくとも電子走行層１５及び電子供給層１８を有するヘテロ接合構造体を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体動作層と、当該半導体動作層上に形成された少なくとも一つの電極と、を備えた半導体素子において、前記電極は、電子供給層１８を通って電子走行層１５に達するリセス部２０に形成され、当該リセス部２０は、その長手方向が前記半導体動作層１５、１８を流れる電流の方向に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層であって前記チャネル層に対向する面の反対面に溝部を有する電子供給層と、前記電子供給層の前記溝部に形成されたｐ形半導体層と、前記ｐ形半導体層と接して形成された、または、前記ｐ形半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層と、前記電子供給層の前記チャネル層に対向する面の反対面に形成された、窒素を含む３−５族化合物の真性またはｎ形の半導体層と、前記半導体層と接して形成された、または、前記半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の表層部にp型半導体領域とn型半導体領域の両者を有するダイオードにおいて、ダイオードの順方向電圧降下を低減化する技術を提供する。
【解決手段】 表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n⁺型カソード領域２０を有している。p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。カソード電極１０は、カソード領域２０の裏面側の露出範囲に形成されてカソード領域２０にオーミック接合Ｊ１している。 （もっと読む）

【課題】 ２種類の金属電極を有するダイオードを製造する容易な製造方法を提供する。
【解決手段】 n型半導体領域２０の表面にp型半導体領域３０を結晶成長させる工程と、p型半導体領域３０の表面３１にオーミック接合Ｊｒするオーミック電極４０（第１金属膜）を形成する工程と、オーミック電極４０の表面４１に開口を有するマスクを形成する第３工程と、マスクの開口からオーミック電極４０とp型半導体領域３０をエッチングしてn型半導体領域２０を露出させる工程と、露出したn型半導体領域２０の表面の少なくとも一部にショットキー接合Ｊｓするショットキー電極５０（第２金属膜）を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値であり高剛性のダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】第１の表面Ｍ１と第１の表面Ｍ１の反対側にある第２の表面Ｍ２とを有し、第１の表面Ｍ１から第２の表面Ｍ２に貫通する一または複数のコンタクトホール１２の形成されたダイヤモンド基板２と、ダイヤモンド基板２の第１の表面Ｍ１上に設けられ、ダイヤモンドを含むｐ型のバルク層８またはバルク層２０と、バルク層８またはバルク層２０上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層１０と、ドリフト層１０上に設けられたショットキー電極１６と、コンタクトホール１２内に設けられ、バルク層８またはバルク層２０に接続されたオーミック電極１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、かつ従来に比べて高い耐圧を実現することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ⁻ＳｉＣ層２０と、一対のｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、ソースコンタクト電極８０と、一対のｐウェル２１内のそれぞれにおいて、ｎ^＋ソース領域２２とｎ^＋ＳｉＣ基板１０との間の領域からソースコンタクト電極８０に接する位置にまで延在するように形成され、ｐウェル２１よりも高濃度のｐ型不純物を含むｐ^＋領域２３とを備えている。一対のｐウェル２１のうち、一方のｐウェル２１内に形成されたｎ^＋ソース領域２２と他方のｐウェル２１内に形成されたｎ^＋ソース領域２２との距離Ｌ_１は、一方のｐウェル２１内に形成されたｐ^＋領域２３と他方のｐウェル２１内に形成されたｐ^＋領域２３との距離Ｌ_２よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧を向上可能な構造のショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキバリアダイオードのｎ⁻型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。絶縁膜２１ａは、記ｎ⁻型窒化ガリウム系半導体層１９の第１の半導体領域１９ａ上に位置する開口２１ｂを有しており、基板１１の主面１１ａ及びｎ⁻型窒化ガリウム系半導体層１９上に設けられている。電極２３は、絶縁膜２１ａの開口２１ｂを介して第１の半導体領域１９ａにショットキ接触２５を成すショットキ導電部２３ａと絶縁膜２１ａ上に設けられショットキ導電部２３ａを囲うフィールドプレート導電部２３ｂとを有する。第１の半導体領域１９ａの側面１９ｄは、順メサ形状を成すように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の洗浄工程において半導体装置の半導体層の腐食防止を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に接続した電極部と、前記電極部に接続した、前記半導体層および前記電極部の構成材料よりイオン化傾向の大きい金属からなる犠牲金属層と、を備える。本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに、半導体層と前記半導体層に接続した電極部を有する半導体装置と、前記半導体層と電気的に接続した電気接触領域と、を形成する形成工程と、洗浄液の電位に対して負の電位を導き得る導電体を、前記電気接触領域に接続する接続工程と、前記半導体ウェハを前記洗浄液に浸漬した状態で、前記電気接触領域に前記負の電位を印加しながら、洗浄する洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させた炭化シリコン膜（半導体膜）の製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン膜Ｓ１上に炭素源ガスを供給することにより前記シリコン膜上に第１炭化シリコン膜３を形成する第１工程と、前記第１炭化シリコン膜上に、第２シリコン膜５を形成する第２工程と、前記第２シリコン膜上にレーザを照射する第３工程と、前記第３工程後の前記第１炭化シリコン膜上に炭素源ガスおよび珪素源ガスを供給することにより第２炭化シリコン膜を形成する第４工程と、を有する。かかる方法によれば、レーザ照射により、第１炭化シリコン膜３を改質でき、当該膜上に成長する第２炭化シリコン膜の特性が良好となる。 （もっと読む）

【課題】所望の位置に不純物領域を精度よく形成することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム層に浅いｎ型不純物拡散領域を形成可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲルマニウムを主成分とするｐ型半導体と、前記ｐ型半導体の表面に選択的に設けられた一対のｎ型不純物拡散領域と、前記一対のｎ型不純物拡散領域により挟まれた前記ｐ型半導体の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記ｎ型不純物拡散領域の少なくとも一部は、シリコン及び炭素から選択された少なくともいずれかの添加元素を含有していることを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】逆方向リーク電流の発生を抑制することのできる、ワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１の一方の主表面上に、第１の窒化物半導体としてのＧａＮエピタキシャル層２が形成されている。ＧａＮエピタキシャル層２の上にＡｌＮエピタキシャル層３が形成されている。ＡｌＮエピタキシャル層３の上にショットキー電極５が形成されている。また、ＧａＮ基板１の、ＧａＮエピタキシャル層２が形成されている側と反対側の主表面上にオーミック電極４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高耐圧を得ることのできる窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。半導体装置は、ｎ−型ドリフト領域２の表面に選択的に設けられたトレンチ５を備え、トレンチ５は、アノード電極３により埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】高い逆方向降伏電圧特性を持つ半導体素子のショットキーダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１導電型の埋め込み層１０２Ａを形成する段階と、エピタキシャル成長工程により埋め込み層を取り囲むように半導体基板に第２導電型のエピ層１０４を形成する段階と、半導体基板の表面から埋め込み層まで第１導電型のプラグ１０６，１０８を形成する段階と、第１導電型のプラグと水平方向に離間するようにしつつ半導体基板の表面から埋め込み層まで第１導電型のウェル１３０を形成する段階と、ウェルとプラグに電気的に連結される金属コンタクト１６０をショットキーダイオードの正極と負極としてそれぞれ形成する段階とを備える。 （もっと読む）