【課題】ゲートリーク電流を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果トランジスタであって、バリア層４とバリア層４の上に形成されたキャップ層５を含む半導体層と、半導体層に下部を埋没するようにして半導体層上に設けられたゲート電極９と、ゲート電極９の側面と半導体層の間に設けられた絶縁膜１０と、を備え、ゲート電極９は、下面のみが半導体層と接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＢＰＤによる性能の劣化および信頼性の低下を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の炭化珪素半導体基板と、この基板上に形成され、基板より低不純物濃度の第１導電型の第１の炭化珪素半導体層と、第１の炭化珪素半導体層上に形成され、第１の炭化珪素半導体層より高不純物濃度の第１導電型の第２の炭化珪素半導体層と、第２の炭化珪素半導体層上に形成され、第２の炭化珪素半導体層より低不純物濃度の第３の炭化珪素半導体層と、を有することを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体基板２上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、半導体基板２上のゲート電極１２の両側に形成された、チャネル移動度に実質的な影響を与えないＳｉＧｅ層１５と、ＳｉＧｅ層１５上に形成されたＳｉ層１６と、半導体基板２、ＳｉＧｅ層１５、およびＳｉ層１６内のゲート電極１２の両側に形成されたｎ型ソース・ドレイン領域１９と、Ｓｉ層１６上に形成されたシリサイド層１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

集積半導体構成体を有する保護素子と、この保護素子の製造方法が記載される。この保護素子は、少なくも１つのショットキーダイオード（Ｓ）と少なくとも１つのツェナーダイオード（Ｚ）とを有し、電流供給部と電子回路との間に接続される。ここでは前記ショットキーダイオード（Ｓ）のアノードが電流供給部と接続されており、前記ショットキーダイオード（Ｓ）のカソードが電子回路および前記ツェナーダイオードのカソードと接続されており、該ツェナーダイオードのアノードがアースと接続されている。ショットキーダイオード（Ｓ）は、トレンチ・ＭＯＳ・バリア・ジャンクション・ダイオードまたはトレンチ・ＭＯＳ・バリア・ショットキーダイオード（ＴＭＢＳダイオード）またはトレンチ・ジャンクション・バリア・ショットキーダイオード（ＴＪＢＳダイオード）であり、少なくとも１つのトレンチ・ＭＯＳ・バリア・ショットキーダイオードと、ツェナーダイオード（Ｚ）のアノードとして用いられるｐドープ基板とを有する集積半導体構成体を含む。
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【課題】窒化物半導体による分極接合を用いた半導体素子において、高い歩留まりで高性能な素子を作製する。
【解決手段】Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮチャネル層９、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎバリア層１０、およびＩｎ_ｂＧａ_１−ｂＮキャップ層１１により分極接合を形成する（０≦ａ、ｂ、ｃ＜０．０２）。また、上記バリア層の膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘは、４１＜Ｔ＜３１０（単位：ｎｍ）、０．０８≦ｘ＜０．１２、又は３０＜Ｔ＜１５０、０．１２≦ｘ＜０．１６、又は２４＜Ｔ＜９２、０．１６≦ｘ＜０．２０、又は１９＜Ｔ＜６２、０．２０≦ｘ＜０．２４、又は１６＜Ｔ＜４５、０．２４≦ｘ＜０．２８、又は１４＜Ｔ＜３４、０．２８≦ｘ＜０．３２、又は１２＜Ｔ＜２７、０．３２≦ｘ＜０．３６、又は１１＜Ｔ＜２２、０．３６≦ｘ＜０．４０のいずれかの範囲にある。 （もっと読む）

【課題】窒化物層上にエピタキシャル層を形成したときにクラックが発生することを抑制でき、かつエピタキシャル層が半導体基板から剥がれることを抑制できる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０ａは、窒化物層１２の主面１２ａ上にエピタキシャル層を形成するための半導体基板であって、異種基板１１と、異種基板１１上に形成された窒化物層１２とを備え、窒化物層１２は応力緩和領域を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧を向上し、半導体装置の面積縮小を図る。
【解決手段】逆阻止ＩＧＢＴの逆方向耐圧構造領域２４０には、ｐ型のフィールドリミッティングリング（外周ＦＬＲ）４１が複数設けられている。各外周ＦＬＲ４１には、フィールドプレート（外周ＦＰ）４２がそれぞれ接続されている。外周ＦＰ４２は、活性領域に最も近い外周ＦＬＲ４１に接する第１外周ＦＰ部４３と、その他の外周ＦＬＲ４１にそれぞれ接する第２外周ＦＰ部４４から構成されている。第１外周ＦＰ部４３の活性領域側の端部は、活性領域側に張り出すように設けられている。第２外周ＦＰ部４４の外周端部側の端部は、外周端部側に張り出すように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮを含む基板上において、電気特性に優れた横型デバイスを得ること。

【解決手段】化学式Ａｌ_ａ’Ｇａ_１−ａ’Ｎ（０＜ａ’≦１）で表される組成をもつ基板（１１、１２ａ）上に、緩衝層（１２ａ、１２ｂ）を介して、化学式Ａｌ_ｍ’Ｇａ_１−ｍ’Ｎ（０≦ｍ’＜１）で表される組成をもつ能動層（１３、１４）が形成され、前記能動層上に離間して第１及び第２の主電極（１５、１６）が形成された構成を備え、前記能動層において前記第１及び第２の主電極間に電流が流されて動作する半導体装置（１０）であって、
前記緩衝層は、化学式Ａｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０＜ｂ＜１、ａ’＞ｂ＞ｍ’）で表される組成を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制された、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を積層形成した半導体素子用のエピタキシャル基板１０において、III族窒化物層群が、少なくとも２層以上のIII族窒化物層が積層された緩衝層２と、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０＜ｚ１≦１、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（０≦ｘ２≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成のIII族窒化物からなる障壁層４と、を備え、緩衝層２の少なくとも１つが、格子空孔を有する格子空孔内在層２３であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 電極と半導体基板の間の順方向特性を改善する技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、表面の少なくとも一部に複数の突出部６ａが形成されている突出部領域６を有する半導体基板１４と、複数の突出部６ａの側面６ｄに形成されている電流方向異方性材料４と、突出部領域６上に形成されている電極２を備える。電流方向異方性材料４は平面方向のキャリア移動度が高いので、電極２と半導体基板１４の間の順方向特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、めっき工程においてレジストを用いることなく、裏面電極のめっき層を半導体ウェハの裏面側に選択的に形成する。
【解決手段】裏面にＰ型の半導体領域を有する半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体基板の裏面に接する第１層と、第１層の裏面に接する第２層とを有する裏面電極とを備えている半導体装置を、半導体ウェハから製造する方法。この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合の逆方向特性についての信頼性が高い半導体素子を実現可能な、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を（０００１）結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成した半導体素子用エピタキシャル基板１０が、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、ｚ１＞０）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞０、ｙ２＞０）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層５とを備え、第２のIII族窒化物が、短距離規則度パラメータαが０＜α＜１の範囲をみたす短距離規則混晶であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に関し、ソース・ドレイン領域を実効的に埋込Ｓｉ混晶層で構成する際の電気的特性を向上する
【解決手段】 一導電型シリコン基体と、一導電型シリコン基体上に設けたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けたゲート電極とゲート電極の両側の一導電型シリコン基体に設けた逆導電型エクステンション領域と、逆導電型エクステンション領域に接するとともに、一導電型シリコン基体に形成された凹部に埋め込まれた逆導電型Ｓｉ混晶層とを備えた半導体装置であって、逆導電型Ｓｉ混晶層が、第１不純物濃度Ｓｉ混晶層／第２不純物濃度Ｓｉ混晶層／第３不純物濃度Ｓｉ混晶層を有し、第２不純物濃度を第１不純物濃度及び第３不純物濃度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード８０には、厚み方向に貫通するトレンチ７を有するシリコン基板と、シリコン基板上に設けられ、シリコン基板よりもバンドギャップが大きなＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に設けられる絶縁膜３と、ＡｌＧａＮ層２及びトレンチ７上に設けられ、シリコン基板１よりもバンドギャップが大きなｎ型ＧａＮ層４と、絶縁膜３上に設けられ、側面がｎ型ＧａＮ層４と接する埋め込み絶縁膜５と、トレンチ７と相対向するｎ型ＧａＮ層４上に設けられるショットキー電極６と、トレンチ７中に露出されるｎ型ＧａＮ層４の表面上に設けられるオーミック電極８とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜を形成した場合にも、界面リーク電流が抑制された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２と、半導体層積層体１０２の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１３１及びショットキー電極１３２と、半導体層積層体１０２の上を覆うパッシベーション膜１４１とを備えている。半導体層積層体１０２は、基板１０１の上に順次形成された第１の窒化物半導体層１２２、第２の窒化物半導体層１２３及びｐ型の第３の窒化物半導体層１２４を含む半導体層積層体１０２と有している。第３の窒化物半導体層１４１は、ｐ型の不純物を含み第１のオーミック電極１３１とショットキー電極１３２との間に形成され且つショットキー電極１３２と接するように選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、かつ発光効率が高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。 （もっと読む）