【課題】表示装置に用いられるトランジスタは、より高耐圧なものが求められており、高電圧若しくは大電流で駆動されるトランジスタの信頼性向上を図る。
【解決手段】チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられたトランジスタを有する半導体装置である。バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、高温且つ高電圧下のスイッチング時においても電流コラプスによるオン抵抗の増大が生じないようにする。
【解決手段】基板１上には、バッファ層２、ＧａＮからなるチャネル層３及びアンドープＡｌＧａＮからなるバリア層４が順次形成されている。チャネル層３は、該チャネル層３の下部にｐ型不純物層３ａを有し、その上にアンドープ層３ｂを有している。バリア層４及びチャネル層３の端部が除去されており、露出したバリア層４及びチャネル層３の側面と接するように、それぞれソース電極５及びドレイン電極６が設けられている。バリア層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間の領域にはゲート電極７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ベース層と、ベース層上に設けられた第２導電形半導体層と、第２導電形半導体層の表面からベース層側に向けて延び、ベース層には達しない複数の第１のトレンチの内壁に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜を介して第１のトレンチ内に設けられると共に第２導電形半導体層の表面に接する第１の電極とを備えている。第２導電形半導体層は、第１のトレンチで挟まれた第１の第２導電形領域と、第１の第２導電形領域とベース層との間および第１のトレンチの底部とベース層との間に設けられ、第１の第２導電形領域よりも第２導電形不純物量が少ない第２の第２導電形領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体１，２上に形成されたカソード電極３、アノード電極４，５を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極４，５の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造６を有し、リセス構造内部には、アノード電極５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性放熱基板（すなわち、熱伝導性基板）、放熱基板上に備わったＧａＮ系多重層及びＧａＮ系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。該ＧａＮ系多重層は、放熱基板側に備わったＡｌＧａＮ層及びショットキー電極側に備わったＧａＮ層を含むことができる。かような窒化ガリウム系半導体素子の製造時、ウェーハボンディング（またはメッキ）及びレーザ・リフトオフ工程を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低消費電力で動作する論理回路に応用できる電界効果トランジスタを提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするｎチャンネル又はｐチャンネルの電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、堆積可能なアッド‐オン層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】堆積可能なアッド‐オン層形成方法であって、第一半導体基板の取り外し層の形成、取り外し層の上の第一半導体基板に多くのドーピング領域の形成、ここで多くのドーピング層の形成は、第一電導型を有するように、ドーピングされ、取り外し層の上の第一半導体基板の第一ドーピング層の形成、第一電導型に対する第二電導型を有するようにドーピングされ、第一ドーピング層の上の第一半導体基板に最低中間ドーピング層の形成、及び中間ドーピング層上の第一半導体基板に最低第三ドーピング層の形成からなり、第三ドーピング層上に第一の電導性ブランケット層の形成、第一電導ブランケット層上に第二の電導性ブランケット層の形成、及び第二電導性ブランケット層が第二半導体基板の対応する電導性上部層と接触するように、第一半導体基板を第二半導体基板への取り付け、からなる。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗と高破壊耐量との両立が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、第１の半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、第１導電形の第２の半導体層と、第２導電形の埋め込み層と、埋め込み電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第２の主電極とを備えた。埋め込み層は、第１導電形ベース層中に選択的に設けられた。埋め込み電極は、第２導電形ベース層を貫通して埋め込み層に達するトレンチの底部に設けられ、埋め込み層に接する。ゲート絶縁膜は、埋め込み電極より上のトレンチの側壁に設けられた。ゲート電極は、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられた。第２の主電極は、第２の半導体層上に設けられ、第２の半導体層及び埋め込み電極と電気的に接続された。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス時の所望の耐圧を得つつ、周辺耐圧構造部の面積を小さくし、さらにより高破壊耐量にすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、第１導電型の半導体層と、半導体層上面の活性領域に第１の方向に延びて形成された複数の第２のトレンチと、複数の第２のトレンチに埋め込まれた、第２導電型の半導体からなる柱状の複数の埋込層と、活性領域を囲むように半導体層に形成されたリング状の第１のトレンチと、第１のトレンチの内面に形成された第１の絶縁膜と、第１のトレンチの内部に第１の絶縁膜を介して充填された導電性材料からなる導電性材料層と、少なくとも半導体層上面の活性領域に配置され、半導体層とはショットキー接合を形成し且つ前記複数の埋込層とはオーミック接合を形成する第１の電極膜と、半導体層下面に配置された第２の電極膜と、を備え、第１の電極膜と導電性材料層とは、同電位に設定され、逆バイアス時において、埋込層および半導体層の導電性材料層に囲まれた部分が空乏化する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、半導体基板よりも低不純物濃度の第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層上にエピタキシャル成長により形成される第２導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層上にエピタキシャル成長により形成され、第２の半導体層よりも高不純物濃度の第２導電型の第３の半導体層と、を備えている。さらに、第３の半導体層に形成され、少なくとも側面と底面との角部が第２の半導体層内にある凹部を備えている。また、第３の半導体層に接する第１の電極と、凹部の底面において、第２の半導体層と接し、第１の電極と接続される第２の電極と、半導体基板の下面に接する第３の電極と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。好ましくは、前記拡散促進物質はリン、砒素、またはアンチモンである。 （もっと読む）

【課題】ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層１１４と、ｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側表面に選択的に形成されたｐ^＋型拡散領域１２０と、ｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側表面上におけるｐ^＋型拡散領域１２０が形成されていない領域に形成され、ｎ⁻型半導体層１１４との間でショットキー接合を形成するバリアメタル層１３０と、バリアメタル層１３０を覆うようにｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側全面に形成され、ｐ^＋型拡散領域１２０との間でオーミック接合を形成するオーミックメタル層１４０と、ｐ^＋型拡散領域１２０の直下にのみライフタイムキラーが導入された局所ライフタイム制御領域１５０とを備える半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に多数個形成され、そのゲート電極に金属膜からなるゲート配線がコンタクトされる半導体装置でも、ゲート耐圧を充分に高くすることができる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１に凹溝１１が形成され、その凹溝１１内にゲート酸化膜４が形成され、その凹溝１１内にポリシリコンなどからなるゲート電極５が設けられるトレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に配列されたセル領域１０を有している。そして、金属膜からなるゲート配線９とコンタクトするため、ゲート電極５と連続してゲートパッド部５ａが設けられるが、そのゲートパッド部５ａが凹溝１１と同時に設けられる凹部１２内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート構成のパワートランジスタを有する半導体装置のオン抵抗を低減する。
【解決手段】トレンチゲート構成のパワーＭＩＳ・ＦＥＴＱにおいて、ソース用の半導体領域３の上面の層間絶縁層１２の端部（位置Ｐ１）と上記ソース用の半導体領域３の上面の上記ゲート電極９Ｅから遠い端部（溝１６の外周の位置Ｐ２）との間の長さをａとし、上記層間絶縁層１２と上記ソース用の半導体領域３の上面との重なり部の長さ（位置Ｐ１から溝５ａの外周の位置Ｐ３までの長さ）をｂとすると、０≦ｂ≦ａとする。これにより、ソースパッドＳＰとソース用の半導体領域３の上面との接触面積が増大する上、ソースパッドＳＰとチャネル形成用の半導体領域４との距離を短くすることができるので、トレンチゲート構成のパワーＭＩＳ・ＦＥＴＱのオン抵抗を下げることができる。 （もっと読む）