【課題】 ２種類の金属電極を有するダイオードを製造する容易な製造方法を提供する。
【解決手段】 n型半導体領域２０の表面にp型半導体領域３０を結晶成長させる工程と、p型半導体領域３０の表面３１にオーミック接合Ｊｒするオーミック電極４０（第１金属膜）を形成する工程と、オーミック電極４０の表面４１に開口を有するマスクを形成する第３工程と、マスクの開口からオーミック電極４０とp型半導体領域３０をエッチングしてn型半導体領域２０を露出させる工程と、露出したn型半導体領域２０の表面の少なくとも一部にショットキー接合Ｊｓするショットキー電極５０（第２金属膜）を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができ、レイアウトの利用効率を向上できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に絶縁層３を介して形成されたＳｉ層５と、Ｓｉ層５上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に形成され、平面視で環状の第１の部位を有するゲート電極１５と、第１の部位の内側と外側のＳｉ層５にそれぞれ形成されたＳ／Ｄ層１７、１８と、Ｓ／Ｄ層１８とゲート電極１５とを接続する配線３１と、を備える。このような構成であれば、例えば正方形或いは長方形のアクティブ領域のＳｉ層５に、環状のチャネル領域を形成することができ、ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 （もっと読む）

【課題】複数のワイドギャップ半導体素子を並列接続した構成において、簡単な製造プロセスで複数のワイドギャップ半導体素子の電気的特性を揃えることができ、特定の素子に電流集中することなく大電流を流すことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合ダイオード毎に電圧電流特性を測定し(特性測定工程Ｓ５,Ｓ９)、測定されたｐｎ接合ダイオードの電圧電流特性に基づいて、電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なｐｎ接合ダイオードについて、目標電圧電流特性にするための電子線量を算出する(電子線量算出工程Ｓ６)。上記電子線を照射することにより目標電圧電流特性に近づけることが可能なｐｎ接合ダイオードに対して、算出された電子線量の電子線を照射する(電子線照射工程Ｓ８)。 （もっと読む）

粒子状アルミニウムと、亜鉛有機成分と、有機ビヒクルとを含むアルミニウムペースト、および、シリコン太陽電池のｐ型アルミニウム裏面電極の形成におけるその使用が開示される。
（もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面１１０ａを含む炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の主面１１０ａにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に１１０おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域１１５が形成される。そして、高濃度領域１１５と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層１４３、１４４が形成される。そして、金属層１４３、１４４を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の表面に、金属層が形成される。そして、金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。そして、電極１５０の表面の炭素を除去するためのエッチングが行なわれる。金属層を形成する工程では、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】強度の低下を抑制しつつ、オン抵抗を低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。ＳｉＣ基板１０の、一方の主面１０Ａとは反対側の主面である他方の主面１０Ｂには複数の凹部１１が形成されている。そして、凹部１１には、ＳｉＣ基板１０を構成するＳｉＣよりも電気伝導率の高い高伝導率材料が充填されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＦＥＴと同等の高耐圧特性を有し、かつオン抵抗の低いダイオードを実現すること。
【解決手段】半導体装置１は、低耐圧特性を有するシリコンダイオード３と、高耐圧特性を有し、低損失で動作可能なＧａＮ系化合物半導体で形成されたＧａＮ系ＨＥＭＴ５とを備え、シリコンダイオード３のカソード側にＧａＮ系ＨＥＭＴ５のソース電極が接続され、シリコンダイオード３のアノード側にＧａＮ系ＨＥＭＴ５のゲート電極が接続されて構成される。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、マウントが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の第１の面に形成された第１導電型の第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に形成された第２導電型の第２半導体層１３と、半導体基板１１の第１の面と反対の第２の面に形成され、第１半導体層１２に接続された第１接続導体１４と、第２半導体層１３を含む半導体基板１１の第１の面に形成され、第２半導体層１３に接続された第２接続導体１５と、第１接続導体１４の少なくとも１側面に形成された第３接続導体１６と、第２接続導体１５の少なくとも第３接続導体１６が形成された側面と同じ側の側面に形成された第４接続導体１７と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】同一の半導体層上に、半導体素子とセンサ素子とが形成され、幅広い温度領域において半導体素子の温度を検出できる複合半導体装置を提供すること。

【解決手段】第１半導体層１上にＦＲＤと複数のＳＢＤとが形成された複合半導体装置であって、
ＦＲＤ１１が、第１半導体層１と、第１半導体層１上に島状に形成され且つ第１半導体層１とＰＮ接合が形成されるＰ型の第２半導体層２と、第２半導体層２上に形成され第２半導体層２と電気的に接続される第１電極５と、で構成され、
ＳＢＤ１２ａが、第１半導体層１との間にショットキー接合を形成する第１電極５で構成され、ＳＢＤ１２ｂが、ＳＢＤ１２ａと離間し、第１半導体層１との間にショットキー接合を形成する第２電極６で構成され、
第１電極５及び第２電極６が、互いに漏れ電流の温度特性が異なる材料からなる複合半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ガードリング部の耐圧がジャンクションバリアより十分に小さくなるようにすることで、ガードリングを先にブレークダウンさせて入射するサージをガードリングで吸収することのできるショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】本発明のショットキーバリアダイオードは、表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さに設けられたジャンクションバリアを構成する第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層の表面で前記第２導電型の半導体層を囲むように環状に形成された第２導電型の半導体層からなるガードリングと、第１導電型の半導体層の表面に形成され、開口を有する絶縁層と、前記開口内で前記第１導電型の半導体層及び前記第２導電型の半導体層とに接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、前記金属層の外縁が、前記ガードリング上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存の変換回路におけるノイズを低減しつつ、回路の導通損失を低減する。
【解決手段】一つ以上のスイッチング素子と、これに並列に接続されたフリーホイールダイオードとを有し、フリーホイールダイオードが、シリコンより大きいバンドギャップを有する半導体材料を母材とするショットキーバリアダイオードとシリコンＰｉＮダイオードとが並列に接続して構成され、且つこれらのショットキーバリアダイオードとシリコンＰｉＮダイオードとが別体のチップなる回路装置である。また、第１に整流素子として化合物半導体を材料としたショットキー接合を内蔵するダイオードを組合わせた上で、ダイオードの電流が０になり、リカバリする際の電源と正極端子，負極端子の間の閉回路によって決まるインピーダンスＲ，Ｌ，Ｃに関して、Ｒ²＞４Ｌ／Ｃ（１）を満たす回路システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】高速ショットキーデバイス及びｐｎ接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板３０３と、基板３０３の上に配置される半導体デバイス３００、３０２、及び半導体デバイス３００、３０２との電気的接触を行うボンディング用パッド３０７を有し、ベンゾシクロブテンの層３０４が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド３０７がベンゾシクロブテンの層３０４の頂面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】好適に表面金属層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの上面に、少なくともダイシング領域を回避して、半導体ウエハの上面とオーミック接触するオーミック金属層を形成するオーミック金属層形成工程と、半導体ウエハの下面に、スパッタリングによって下側電極を形成する下側電極形成工程と、下側電極の表面に、酸化シリコン層を形成する酸化シリコン層形成工程と、金属の表面だけにメッキ層が形成されるメッキ法によって、オーミック金属層の表面に、ニッケルと銅の少なくとも一方を含む表面金属層を形成する表面金属層形成工程と、エッチングにより酸化シリコン層を除去する酸化シリコン層除去工程と、ダイシング領域に沿って半導体ウエハをダイシングするダイシング工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１つの半導体基板上に、ＦＲＤと、ＦＲＤの温度検知素子としての機能を有するＳＢＤとを形成した複合半導体装置を提供する。
【解決手段】１つの半導体基板上に、ＦＲＤとＳＢＤとを形成した複合半導体装置において、粒子線照射により局所ライフタイム制御領域を形成する。ＳＢＤにおけるショットキー接合界面から局所ライフタイム制御領域の上面までの距離をＬ（単位：μｍ）、ショットキー接合界面が形成される半導体層の厚さをＬ_０（単位：μｍ）、ＳＢＤに印加される逆バイアス電圧をＶ_ｒ（単位：Ｖ）、前記半導体層の不純物濃度をＮ_Ｄ（単位：ｃｍ^−３）、真空中の誘電率をε_０（単位：Ｆ・ｃｍ^−１）、前期半導体層の比誘電率をε_ｒ、単位電荷をｑ（単位：Ｃ）としたとき、ショットキー接合界面から局所ライフタイム制御領域の上面までの距離Ｌが、下記数式の関係を満たすことを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】低抵抗ＳｉＣ基板とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の不純物濃度を有する炭化珪素基板（１）と、前記炭化珪素基板上に形成され、第２の不純物濃度を有する第１の炭化珪素層（５）と、前記第１の炭化珪素層の上に形成され、第３の不純物濃度を有する第１導電型の第２の炭化珪素層（２）とを具備し、第２の不純物濃度＞第１の不純物濃度＞第３の不純物濃度の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を基板とする半導体素子において、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ半導体層の表面に露出しているp型領域とn型領域の両者と良好なオーミック接触をする電極を備えている半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ半導体層２の下面２ｂ（表面）にp型領域が露出している範囲の一部にＡｌＳｉ層４２を形成し、ＡｌＳｉ層４２が形成されていない範囲のＳｉ半導体層２の下面２ｂからn型不純物を注入し、その範囲のp型領域をn型領域に変更し、ＡｌＳｉ層４２の下面２ｂとn型領域の下面２ｂにＴｉ層４４とＮｉ層４６とＡｕ層４８を順に積層する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域のいずれにおいても、主面側のメッキ電極層もしくは下地金属層に穴欠陥が発生し難く、十分な密着強度と電気特性を確保することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 縦型のＩＧＢＴ１００ｉとダイオード１００ｄとが同じ半導体基板１０に形成されてなり、半導体基板１０の主面側において、ＩＧＢＴ１００ｉのエミッタ領域およびダイオード１００ｄのアノード領域に共通接続する下地金属層１８が形成され、該下地金属層１８上にメッキ電極層２５が形成されてなる半導体装置であって、ダイオードセル領域における主面側の半導体基板１０上に、酸化膜からなる所定の凸状パターン１７ａが形成され、該凸状パターン１７ａ上に下地金属層１８が積層されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）