【課題】金属・半導体界面での障壁高さを低減してコンタクト抵抗を低減し、これにより寄生抵抗の小さい窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層３０１、素子分離層３０２、オーミック電極３０３、ゲート電極３０４、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎ層３０５、サファイア基板３０６、及びバッファ層３０７を備え、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎ層３０５は、（０ ０ ０ １）面を主面とし、表面に凹部が市松状に配置され、オーミック電極３０３は、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎ層３０５の凹部の側面と接し、凹部の側面は、（１ １ −２ ０）面あるいは（１ −１ ０ ０）面等の無極性面である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ装置の特性の安定化を図って、歩留まりの良好なレーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、凸状にアイランド化されたチップ接合面（１５２）を有するサブマウント（１５０）と、そのチップ接合面上にロウ材を介して載置された窒化物半導体レーザ素子チップ（４１０）とを含み、サブマウントの凸状にアイランド化されたチップ接合面の面積は、レーザ素子チップの接合面の面積に比べて同等以下で−３０％までの範囲内に設定されていることを特徴としている。なお、サブマウントの凸状にアイランド化されたチップ接合面の幅が、レーザ素子チップの接合面の幅に比べて同等以下で−３０％までの範囲内に設定されていてもよい。 （もっと読む）

本発明によるチップは、ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）と、半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）と、放射されたビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）とを有する。第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある半導体基体（４）の表面（９）を第１のコンタクト領域（５）に接続しており、表面（９）はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
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【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の電極中の銀のマイグレーションの抑制。
【解決手段】サファイア等の誘電体基板１０に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１、発光層１２、ｐ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１３を形成する。この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。正電極側は、ｐ型層１３の上に、ＩＴＯから成る透光性電極層２１、銀合金から成る反射電極層２２、ＴｉとＰｔを積層した拡散防止層２３、金から成る厚膜電極２４を順に積層する。銀合金から成る反射電極層２２は、パラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）を添加し、酸素（Ｏ）を含む。これにより、銀合金から成る反射電極層２２からのマイグレーションを抑制した上、下層のＩＴＯから成る透光性電極層２１との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの分断を防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体層４と、ｐ型半導体層４の表面に形成されており、ワイヤＷがボンディングされる主部５１、およびこの主部５１から延びる延出部５２を有するボンディングパッド５と、を備える半導体装置Ａ１であって、主部５１と延出部５２とが繋がれている部分の外形線５ａは、曲線とされている。 （もっと読む）

【課題】透光性導電膜と、その上に形成されたパッド電極および絶縁保護膜を有する、信頼性の高いＧａＮ系発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子１０は、透光性導電膜１４上に形成されたパッド電極１５が、透光性導電膜１４に接する第１パッド電極膜１５−１と、該第１パッド電極膜上に形成された第２パッド電極膜１５−２とを有しており、導電性酸化物膜１４上から第１パッド電極膜１５−１上にかけて連続するように形成された絶縁保護膜１６の一部が、第１パッド電極膜１５−１と第２パッド電極膜１５−２との間に挟まれていることから、絶縁保護膜１６の剥離が発生し難い、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】材料費、工程数を低減しその結果歩留まりを向上させ、コストを低減する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。半導体層の画素電極となる部分は、半導体領域よりも抵抗率が低い。また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。加えて、電極を延設し配線として用いることもできる。光制御素子はエレクトロルミネッセンス素子、液晶セル、電気泳動型粒子セル等を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】正電極に銀合金を用いる際のｐ型ＧａＮ層とのオーミック性改善
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０にＡｌＮバッファ層を形成した後、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｐ型ＧａＮ層１５をＭＯＣＶＤで積層した。蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。窒素ガス下で６００℃で１分間の加熱処理と、酸素ガスで炉内を置換して３００℃、３分間の加熱処理の後、Ｔｉと金から成るパッド電極２２と３２を形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子１００の駆動電圧は３．１Ｖと良好であり、オーミック性の良いコンタクト電極２１が形成された。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ膜を含む金属多層膜で構成された透明電極におけるＡｕの拡散を防止するようにしたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｎ型ＧａＮコンタクト層３が露出した面にｎ側パッド電極８が形成されている。ｐ型ＧａＮコンタクト層５の上面全体に設けられた金属多層膜透明電極６は、例えば、ｐ型ＧａＮコンタクト層５側からＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ｎｉで構成される。ＴｉがＡｕの拡散防止金属層となって、Ａｕの拡散を阻止する。 （もっと読む）

【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（半導体レーザ素子）は、少なくとも窒化物系半導体各層１２〜１８を含む半導体レーザ素子部１と、その半導体レーザ素子部１の共振器端面１ａ（１ｂ）上に形成され、結晶化されたアルミニウムの酸窒化物からなるコーティング膜２（４）とを備えている。そして、コーティング膜２（４）には、シリコンが添加されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面平滑性を維持しつつＢｅ酸化物を排除して、ＡｕＢｅ層を有する所定形状のｐ側電極を遅延なく安定して形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の表面処理工程によりＡｕＢｅ層４内及びその近傍に生成されたＢｅ酸化物を効率良く溶解除去することができるため、続くエッチング工程をＢｅ酸化物の影響を受けずに遅延なく行うことができる。また、エッチング工程にＫＣＮ系エッチャントを用いることにより、半導体層の表面平滑性を良好に維持しつつ、ｐ側電極を迅速かつ安定して形成することが可能となる。また更に、エッチング後の第２の表面処理工程により残留したＢｅ酸化物は完全に除去されるため、後の工程でＢｅ酸化物が悪影響を及ぼすこともない。 （もっと読む）

【課題】電極形成工程を複雑化することなく、ＢｅＯ膜を除去し優れた接合性を有するｐ側電極を形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法によれば、ＡｕＢｅ層５を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂの表面にオーミック特性付与時の熱により生成されるＢｅＯをエッチングにより除去するため、電極形成工程を複雑化することなく、優れた接合性を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い拡散防止効果を備えながら応力の少ない電極を有する半導体素子及び、その半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子５１に形成する電極４４を、熱処理を施してオーミック特性を付与する第１電極層３０と、熱処理を施さない第２電極層３６とに分けて形成することで、熱処理時に生じる応力を低減することができる。また、バリア層を第１バリア層２６と第２バリア層２８とに分けることで薄層化して、応力を低減するとともに、半田接合時には第１バリア層２６と第２バリア層２８との間に設けた中間層２７を拡散消失させて、あたかも厚い１層のバリア層２３として機能させることで、高い拡散防止効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】反射電極としての機能を維持しつつ、製造歩留まりの低下を防止することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に積層されたｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３が順次積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、発光層１２２からの光を基板１１方向へ反射する反射電極１３と、反射電極１３に積層されたｐ電極１５とを有する発光素子１０において、反射電極１３は、Ｐｔ層とした第１反射電極１３１と、Ａｇ層とした第２反射電極１３２と、Ｃｒ層、Ｍｏ層またはＴｉ層とした第３反射電極１３３とで形成されている。ｐ電極１５は、反射電極１３全体を覆うように形成することで、Ａｇ層とした第２反射電極１３２でのマイグレーションの成長による発光不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン化エネルギーが十分に小さな不純物（アクセプターもしくはドナー）が存在せず、ｐ型もしくはｎ型半導体を作ることが出来ないワイドギャップ半導体に対して、正孔または電子を注入することが可能な電極構造を提供する。
【解決手段】イオン化エネルギーが０．２〜１ｅＶの不純物がドープされたワイドギャップ半導体と、不純物イオンの結合エネルギーよりも小さな仕事関数を有し、かつ、ワイドギャップ半導体と接合される金属層と、を備え、外部電場を印加されることにより金属層からワイドギャップ半導体へ正孔が注入される電極構造。 （もっと読む）

【課題】P型コンタクト層とP型電極との間のコンタクト抵抗が低抵抗なP型電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を得ることを目的としてる。
【解決手段】本発明の窒化物半導体装置は、P型コンタクト層１と、P型コンタクト層１上に設けられたP型電極とを備える。P型電極は、P型コンタクト層１上に設けられたAuGa膜２と、AuGa膜２上に設けられたAu膜３と、Au膜３上に設けられたPt膜４と、Pt膜４上に設けられたAu膜５とを備え、AuGa膜２とAu膜３との合計膜厚に対するAuGa膜２の膜厚の比が１２％以上４６％以下となる。 （もっと読む）

【課題】静電気放電耐性を向上させることができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子は、ｐ型窒化物半導体層４と、ｐ型窒化物半導体層４に接したｐ側全面電極６とを有し、ｐ型窒化物半導体層４とｐ側全面電極６との間に、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏから選択される少なくとも１つの金属５が散在している。窒化物半導体素子の製造方法は、ｐ型窒化物半導体層４を形成する第１の工程と、ｐ型窒化物半導体層４の上に、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏから選択される少なくとも１つの金属５を散在させる第２の工程と、散在させた金属を覆うようにしてｐ型窒化物半導体層４の上にｐ側全面電極６を形成する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱放散を効率よく行うことができ、熱応力を緩和して高い信頼性を得ることができる半導体発光素子およびこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】ｐ側電極層７０に、インジウム（Ｉｎ）を含む材料よりなる応力緩和層７１を設ける。半導体レーザアレイ２０とベース１０との接合時に発生する熱応力を応力緩和層７１の塑性変形により吸収、緩和して信頼性を高めると共に、熱放散を効率良く行う。応力緩和層７１は、インジウム（Ｉｎ）−銀（Ａｇ）合金、または、インジウム（Ｉｎ）により構成する。応力緩和層７１の上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層７２で挟むことにより、応力緩和層７１に含まれるインジウム（Ｉｎ）がｐ側電極層７０の金（Ａｕ）層７７や白金（Ｐｔ）層７４，７６と反応して合金化するのを抑制する。 （もっと読む）