【課題】本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。
【解決手段】上記の目的を達成するために、本発明は、光を透過可能な基板１と、基板１上に設けられたｎ層３及びｐ層５と、前記ｎ層３と前記ｐ層５の間に設けられた発光層４と、前記ｎ層３と前記ｐ層５にそれぞれ設けられたｎ側電極７とｐ側電極６を有した発光素子であって、ｐ側電極６を少なくともｐ層５側からＰｔ層６１、Ａｇ層６２、Ｍｏ層６３の順に積層した。 （もっと読む）

【課題】 無電解メッキによりダイオードなどに金属層を製造する。
【解決手段】 金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ１０の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層１２を形成し、その上に金属層パターン１８を定めるレジスト層１６を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層１４を形成する。
湿式プロセスにより形成された金属層は、接着性に優れ、ワイヤボンディングパッドやフリップチップボンディングの電極層として好適である。 （もっと読む）

【課題】電流をＳｉＣ基板および各窒化物半導体層に通過させて動作させる電子デバイス（パワーエレクトロニクス用素子）において、低抵抗なバッファ層を実現すること。
【解決手段】素子のバッファ層として、ＳｉＣ基板（１１）上にｎ型ＡｌＧａＮバッファ層（１２）を形成する。このバッファ層（１２）は、ＳｉＣ基板（１１）との界面でのＡｌ組成が２％以上１０％以下で、当該界面から当該界面と対向する他方の表面（または、他層（１３）との界面）に向かってそのＡｌ組成が漸次減少するとともに、膜厚が１５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下、ｎ型不純物のドーピング濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３以上である。この構造により、表面が平坦でかつ低抵抗のバッファ層が得られ、ＳｉＣ基板上の電子デバイスの低抵抗化が実現できる。 （もっと読む）

【解決課題】有機薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極の高精度の微細加工をプラスチック基板などの上に安価なプロセスで実現し、高い性能を安定して実現する手段を提供する。
【解決手段】基板と、ソース電極およびドレイン電極上に形成された有機電子材料膜と、有機電子材料膜上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む薄膜トランジスタであって、前記ソース電極およびドレイン電極が、前記基板に形成された溝または穴に埋め込まれ、前記有機電子材料膜と電気的に接触していることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図るとともに、生産性の向上を図ることができる構造体の製造方法、構造体、およびデバイスを提供すること。
【解決手段】基板２上に所定のパターンをなす膜３を形成してなる構造体１を製造する方法であって、膜３のパターンと同パターンをなす凹部４３を有する型４を基板２に接合して、型４の凹部４３の内面と基板２とで画成された空間４４を形成する工程と、空間４４に液状材料３Ｌを充填する工程と、液状材料３Ｌを硬化または固化させて、膜３のパターンと同パターンをなす固体膜３Ｓを形成する工程と、型４を基板２から離間させ、固体膜３Ｓを膜３とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に対して接触抵抗が小さく、また特性の経時変化がなく、さらに光反射性が高い電極を形成した窒化ガリウム系化合物半導体、及び発光効率が高く、信頼性が高い発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体２０は、表面に、Ｔａを含む第１の金属層２１、Ａｇ，Ａｌ及びＲｈのうちのいずれかから成る第２の金属層２２、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｎｂ及びＭｏのうちのいずれかから成る第３の金属層２３、及びＡｕを含む第４の金属層２４が順次積層されて成る電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】絶縁性の成長基板上に形成された第１型の窒化物系クラッド層と、前記第１型の窒化物系クラッド層上に形成された多重量子井戸窒化物系活性層及び前記多重量子井戸窒化物系活性層上に形成された前記第１型と異なる第２型の窒化物系クラッド層と、を含む半導体装置が提供される。前記第１型の窒化物系クラッド層の下部及び前記第２型の窒化物系クラッド層の上部のうち、少なくとも一つには、トンネルジャンクション層が形成される。
（もっと読む）

【課題】 高い信頼性を有し且つｎ型Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）半導体層、又はノンドープのＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）半導体層と良好な低抵抗接触が得られる電極構造を備えた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）半導体層、又はノンドープのＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）半導体層上に、前記半導体層と低抵抗接触する電極を備えた半導体素子であって、前記電極を、少なくともＧｅを含むＣｒからなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】発光が優先的に発生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は基板２０１と、前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層２０２と、前記ｎ型窒化物半導体層の所定領域上に順に形成された活性層２０３及びｐ型窒化物半導体層２０４と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成された透明電極２０５と、前記透明電極上に形成され、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２００μｍ分だけ離隔されたｐ型電極パッド２０６と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極パッド２０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】チップ分離工程が容易な垂直構造発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】垂直構造発光ダイオードの製造方法は、複数の素子領域Ａと少なくとも一つの素子分離領域Ｂを有する成長用基板１０１上にｎ型クラッド層１５０ａ、活性層１１５ｂ及びｐ型クラッド層１１５ｃが順次配置された発光構造物１１５を形成する段階と、上記発光構造物上にｐ側電極１０６を形成する段階と、上記複数の素子領域を連結するよう上記ｐ側電極上に第１メッキ層１３６を形成する段階と、上記素子領域の上記第１メッキ層上に第２メッキ層１５６のパターンを形成する段階と、上記成長用基板１０１を除去し、上記ｎ型クラッド層上にｎ側電極１１９を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードのような半導体装置の製造に組み込まれている特定の材料を含む半導体材料上に設けることができる実効的なオーム接触構造を提供する。
【解決手段】 本発明のオーム接触構造は、p型GaNに基づく材料からなる層（225、350、425、550）と、金属接触をもたらすように構成されている金属からなる層（205、305、405、505）と、第１のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、p型GaNに基づく材料からなる層に隣接して位置する第１の層（220、345、420、545）と、第１のVI族元素とは異なる第２のVI族元素からなるp型II-VI族化合物半導体材料からなり、金属からなる層に隣接して位置する第２の層（220、345、420、545）とからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に電極を設ける際にショートが発生しにくく、接合層を介したｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリークやショートが発生しにくい構造を有し、発光効率や放熱性の良好な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】成長基板１２０の主面に対して傾斜した結晶面に沿って延在する活性層１３をｐ型半導体層及びｎ型半導体層で挟む構造で形成された後、支持基板１１１に転写されて成長基板１２０から分離された複数の半導体層１０１を具備する半導体発光素子であって、半導体層１０１は、金属層２０を介して支持基板１１１に接合されており、ｐ型半導体層の端部及び活性層１３の端部は、成長基板１２０から分離された半導体層の表面に到達しないように配置されており、金属層２０は、ｐ型半導体層及びｐ側電極２１に接触し、ｎ型半導体層及びｎ側電極１８に接触しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。
【解決手段】サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。したがって、その凸部７によって、発光層５で発生した光の取出し効率を向上しつつも、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を必要最小限の厚さとして、低抵抗化を図ることができ、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオード１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電界が高く、熱伝導率が極めて良好で放熱性に優れ、化学的にも安定であり、またバンドギャップが大きいというダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用するために、ダイヤモンドデバイスの電界集中による電極の破壊電圧を抑制するためのダイヤモンド電極構造を備えたデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイヤモンドの表面と電極の表面が同一面となるように、半導体ダイヤモンドに設けた溝に電極が埋め込まれた構造を有することを特徴とするダイヤモンドデバイスの電界集中による電極の破壊電圧を抑制するためのダイヤモンド電極構造を備えたデバイス。 （もっと読む）

【課題】遮断周波数が高く、光強度が低下しない通信用III族窒化物系化合物半導体発光素子
【解決手段】サファイヤ基板１０１は素子傾城側の面にエッチングにより凹凸が形成されており、凸部がドット状に点在している。その凸部は断面が台形状であり、平方ミリメートルあたり５万個の密度で形成された。また、発光層１０５は単一量子井戸構造では膜厚約３nmのIn_0.25Ga_0.75Nの井戸層で構成されている。また、発光部の面積は０．０２２mm²とした。特性を測定したところ、光出力は２．１ｍＷ、小信号遮断周波数は４５ＭＨｚと測定された。表面加工をしないサファイア基板を用いた場合に比較して光出力で３１％の向上が得られ、遮断周波数においては１８％の向上が得られた。 （もっと読む）

【課題】良好なウェッティングコントラストを生産する能力を向上させる。
【解決手段】
本発明の第１の実施態様は、親水性および／または親油性の異なる隣接する領域を含む表面を備える基板を作成する方法を提供する。該方法は、重合体マトリクスに埋め込まれた無機粒子を含有する基板前駆体の表面層の領域から重合体をエッチングして流す工程を含む。該エッチングは表面で無機粒子を露出して、該隣接する領域のうち一つを形成する。
さらに本発明は、電子機能材料をこのような基板に堆積することを伴うマイクロ電子部品を生産する方法を提供する。
さらに本発明は、基板および基板前駆体を提供する。 （もっと読む）

有機ダイオードデバイス（１）は、アノード層（１２）、カソード層（１３）及び有機層（１４）を有する有機ダイオード構造（２）を含んでいる。アノード層（１２）及びカソード層（１３）の一方は、構造（２）の面（１５）の全域に分布された一組のコンタクト領域（１９、２０）を有している。バリア層（１６）は構造（２）を密閉するように覆っており、一組のコンタクト領域（１９、２０）に位置整合された一組の開口（２３、２４）を備えている。金属導体（５）はバリア層（１６）の上に電気めっきされており、一組の開口（２３、２４）を介して一組のコンタクト領域（１９、２０）に接触している。このデバイスを形成する方法は、構造（２）を形成する工程、一組の開口（２３、２４）を有するバリア層（１６）を形成する工程、及び金属導体（５）を形成するために構造（２）を電気めっきプロセスにかける工程を有する。
（もっと読む）

【課題】窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、窒化物系半導体発光素子において素子間が脆性透光性絶縁体部によって充填され、しかる後に、サファイアなどの基板剥離を実施し、脆性透光性絶縁体部の部分をダイシングにより素子分離することにより、容易で素子化しやすい技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、少なくともｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３が積層されて発光素子部５が構成され、前記ｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３を備えた発光素子部５の周囲に脆性透光性絶縁体部６が設けられてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｇを用いた反射電極において、工程上発生する微小な欠陥によるＡｇの露出を抑制して、発光素子の短絡による発光出力の低下、電流電圧特性の劣化を防止することにある。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられている半導体発光素子であって、その正極が以下の構成からなる。
少なくともｐ型半導体層と接する、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅの群の中から選ばれる一種あるいはこれらの合金からなるコンタクトメタル層と、該コンタクト層上にＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、該反射層の上面及び側面を覆う様に、Ａｇを成分として含まない１層または２層以上の保護金属層とを有している。 （もっと読む）