【課題】 光吸収に起因する輝度の低下を防止できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層３、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層４、量子井戸活性層５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＩｎＰ貼付コンタクト層８と、この貼付コンタクト層８に直接接合されたｐ型ＧａＰ基板１０を備える。ｐ型ＧａＰ基板１０は、量子井戸活性層５と反対側に傾斜面１０ａを有する。量子井戸活性層５で生成され、このＬＥＤ内の反射面で全反射した光を、傾斜面１０ａから外部に出射させることができるので、ＬＥＤの輝度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗を低減でき、かつ、レーザ素子特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上には、第１クラッド層２、量子井戸活性層３、第２クラッド層４及びエッチング停止層５が順次積層されている。エッチング停止層５上には、第３クラッド層１４とコンタクト層６とから成るストライプ状のリッジ部１１が形成されている。リッジ部１１上にはｐ側電極３１が形成されている。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層６を除いたリッジ部１１の側面は誘電体膜２１で覆われている。コンタクト層６の層厚は、誘電体膜２１の基板１と略平行な部分の膜厚よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ（またはＡｌ合金）層、バリア金属層、Ａｕ層を含む積層構造とされるオーミック電極に対して、好ましいオーミック接触性を維持しながらも、電極の表面状態を改善すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体２の表面２ａに形成されたオーミック電極１である。当該電極１は、ｎ型窒化物半導体２に近い側から順に、Ａｌおよび／またはＡｌ合金を有してなる厚さ１ｎｍ〜７０ｎｍの第一層１１と、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷから選ばれる１以上の金属からなる第二層１２と、Ａｕを有してなる第三層１３とを有する積層体として構成され、かつ、オーミック接触性をより発現させるための熱処理が施されたものである。第一層の厚さの限定によって、オーミック接触性、表面状態が好ましいものとなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。
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【課題】 本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を介して支持体１４を形成する。次に、半導体基板１０の一部を当該裏面から選択的にエッチングして開口部１０ｗを形成した後、当該裏面に第２の絶縁膜１７を選択的に形成する。次に、開口部１０ｗを含む半導体基板１０の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物を、ノズル３０ａからの噴霧によってスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層１８を形成する。そして、配線層１８が形成された半導体基板１０をベークし、配線層１８を固化する。さらに、配線層１８を所定のパターンにパターニングする工程を経る。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の出光面において、方位による光の強度のバラツキの少ない発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体をなす第二導電型層７上に設けた金属薄膜層９と、該金属薄膜電極層９上に設けた透明導電体１２とを少なくとも備えてなる発光素子１であって、前記透明導電体１２は、単層の透明導電膜１０からなり、該透明導電膜１０の出光面１０´における結晶粒径を３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 高移動度を有するN型有機トランジスタ、さらには電子をキャリヤとする高性能の有機半導体装置を実現するための電極を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機半導体層４０と、有機半導体層との電気的接点を構成する電極であって、該有機半導体への電子の注入効率を高めるため、該電極、又は有機半導体と接する側の電極の一部が、該有機半導体を構成する分子材料と同一又は類似のイオン化エネルギーを持つ電子受容性分子材料に、電子供与性分子材料を組み合わせることによって導電性電荷移動型錯体を形成した電極２、３とを少なくとも有する有機半導体装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子や有機ＴＦＴ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光装置の順方向電圧を低く保って発光効率を高めることが困難であった。
【解決手段】 シリコン基板１の上にｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とから成る発光機能を有する主半導体領域３を配置する。主半導体領域３は窒化物半導体で形成する。主半導体領域３のｐ型半導体層８の上にＡｇ合金からなる光透過性電極１０を設ける。Ａｇ合金に酸化又は硫化を抑制するための添加元素を混入する。Ａｇ合金は安定性が高く、且つ光透過性及びオーミック性において優れている。 （もっと読む）

【課題】 静電放電から保護する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は次のステップを含む。基板上に第１電気特性の半導体層１０４を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４上へ活性層１０６を形成するステップ。活性層１０６上へ第２電気特性の半導体層１０８を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４の一部、活性層１０６の一部および第２電気特性の半導体層１０８の一部を除去してメサを形成するステップ。メサ上に透明コンタクト層１１０を形成して、メサ上にある第１電気特性の半導体層１０４、活性層１０６、第２電気特性の半導体層１０８および透明コンタクト層により積層構造を形成するステップ。パシベーション層を形成して、積層構造と積層構造に隣接する第１電気特性の半導体層の第１部分とを覆うステップ。 （もっと読む）

【課題】パターンの解像度よりもチャネル長を短くすることが容易で、これにより低コストで取り扱い電流量を増加させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板３上に、ゲート電極５、これを覆うゲート絶縁膜７、このゲート絶縁膜７を介してゲート電極５を覆うチャネル層（チャネル部半導体薄膜）１１がこの順またはこれと逆の順に積層され、チャネル層１１の表面側と裏面側とに、ソース電極９とドレイン電極１５とが分け置かれていることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、トップエミット型窒化物系発光素子とその製造方法に関し、窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層と、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層されており、ｐ型クラッド層上に形成された界面改質層と、前記界面改質層上に透明導電性素材で形成された透明導電性薄膜層と、を備えたトップエミット型窒化物系発光素子を提供する。このようなトップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージングの際に、ワイヤーボンディング効率を、及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗及び優れた電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上することができるという長所を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＧaＡs基板１０１上に、ｎ−ＡlＧaＡs第１,第２下クラッド層１０３,１０４と、多重歪量子井戸活性層１０６と、ｐ−ＡlＧaＡs第１,第２上クラッド層１０９,１１１と、ｐ−ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ⁺−ＧaＡsコンタクト層１１３を備える。上記コンタクト層１１３と導通するｐ側電極１１５を設ける。上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 １度の不純物注入工程によってＬＤＤ構造を形成することができる薄膜トランジスタの製造方法等を提供する。
【解決手段】 本発明は、ゲート絶縁膜上に、チャネル長方向において端部から中央部に向けて徐々に膜厚が厚くなる傾斜部を有するゲート電極２０を形成する工程を含む薄膜トランジスタうの製造方法を提供する。該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ⁺型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 （もっと読む）

発光ダイオードなどの半導体発光素子は、基板と、基板上に設けられ、発光ダイオード領域などの発光領域を含むエピタキシャル領域と、エピタキシャル領域上に設けられ、反射層を含む多層導電スタックとを含む。反射層上にはバリア層が設けられ、反射層の側壁上に延びている。多層導電スタックは、反射体とエピタキシャル領域の間にオーミック層も含むことができる。バリア層はさらに、オーミック層の側壁上に延びている。バリア層は、多層導電スタック外部のエピタキシャル領域上へも延びていてもよい。バリア層は、交互に重ねた一連の第１および第２の副層として製作できる。
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【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

【課題】 素子面積に占める発光面積を大にでき、配光むらを抑えて高輝度化を実現することのできる発光素子を提供することにある。
【解決手段】 ＬＥＤ素子１の電極形成面側に、絶縁層１７を介してＡｕからなる外部接続用のｎ型端子部１８およびｐ側端子部１９を設けたので、ＬＥＤ素子１の実装性を確保するために必要な電極形状の制約を受けることなくｎ−電極１５およびｐ−電極１６の形状を任意の形状で形成することができる。このことにより発光形状を考慮してｐ−電極１６の形状を設計することが可能になり、発光面積の拡大を図ることができ、光取り出し性が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面側にアノード電極またはカソード電極を設けた発光素子サイリスタが複数配列された自己走査型発光素子アレイチップであって、チップ面積が大きくならない構造を提供する。
【解決手段】ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。ＧａＡｓ層１２に溝５０が設けられ、溝の側壁にアノード電極２０が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの構造化された層（１０Ａ）を作成するための方法を提供し、その際第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が基板（５）上に存在している層（１０）に生成される。このマスク構造（２０）を通して第１の構造（２０Ａ）は等方性構造化法を用いてかつ第２の構造（２０Ｂ）は異方性構造化法を用いて層（１０）に移される。本発明の方法により、少なくとも１つの層に唯一のマスク構造を用いて２つの構造（２０Ａ，２０Ｂ）を生成することが可能になる。
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