ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体におけるｐ型オーミック接触電極の形成手法として、低抵抗で安定かつ毒性がなく生産性にすぐれた電極を形成する材料を提供し、すぐれた半導体素子を提供する。組成式Ａ_ＸＢ_ＹＣ_Ｚ（Ａ：１Ｂ族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｂ：８族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｃ：ＳあるいはＳｅから選ばれる少なくとも１種の元素）で示される材料からなる半導体電極材料とした。ただし、Ｘ，Ｙ，ＺはＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１であり、０．２０≦Ｘ≦０．３５，０．１７≦Ｙ≦０．３０，０．４５≦Ｚ≦０．５５とする。
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【課題】有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】デバイス（２２）は、基板（２４）上に配置された複数の有機電子デバイスを含み、該有機電子デバイスの各々は第１電極（２６）と第２電極（３２）とを備える。更に、デバイス（２２）は、複数の有機電子デバイスの各々の第１及び第２電極（２６、３２）間に配置された有機層を含む。加えて、デバイス（２２）は、相互接続要素（３０）を含み、該相互接続要素（３０）は、複数の有機電子デバイスの各々のそれぞれ第１及び第２電極（２６、３２）を電気的に結合するように構成される。 （もっと読む）

電子デバイスを形成するための方法が、第１の層を基板の上に形成する工程であって、第１の層が有機層を含む工程と、第１の層を形成した後、第２の層を基板の上に堆積させる工程であって、第２の層を堆積させる工程が、イオンビームスパッタリングを用いて行われる工程とを含む。別の実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、ワークピースを堆積装置の堆積チャンバ内に配置する工程であって、ワークピースが、ワークピースの上にある基板および有機層を含む工程を含む。方法は、堆積装置のプラズマ発生チャンバ内でプラズマを発生させる工程であって、プラズマがワークピースと直接接触しない工程を含む。方法は、また、イオンビームをプラズマ発生チャンバから堆積チャンバ内のターゲットの方に送る工程であって、ターゲットが材料を含む工程と、材料の層を有機層の上に堆積させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層２０を構成するバリア層のうち、最もｐ側に位置するバリア層である最終バリア層１のバンドギャップを、バリア層２のバンドギャップより小さくする。最終バリア層１としてバリア層２と同じバンドギャップの材料を用いる場合に比べて電子障壁層３とのバンド不連続量（電子障壁）が大きくできる。その結果、電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することができる。 （もっと読む）

半導体発光素子は、発光機能を有する半導体基板（２）とアノード電極（３）とオーミックコンタクト領域（４）と合金化阻止用の光透過層（２０）と金属光反射層（５）と導電性支持基板（８）とを有する。前記光透過層（２０）は絶縁性を有する材料から成り、前記半導体基板（２）と前記金属光反射層（５）との合金化を阻止する機能を有する。オーミックコンタクト領域（４）は光透過可能な厚みに形成される。前記半導体基板（２）から発生した光は前記光透過層（２０）を通って前記金属光反射層（５）で反射し、且つ前記オーミックコンタクト領域（４）を通って前記金属光反射層（５）で反射する。この結果、半導体発光素子の発光効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】マスクや微細パターンなしにナノ粒子を利用し、ナノスケールのｐ−ｎ接合素子またはＣＭＯＳのようなナノスケールの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に複数のナノ粒子を分散させるステップと、ナノ粒子を覆うように半導体基板上に絶縁層を形成するステップと、絶縁層及びナノ粒子の上部を部分的に除去するステップと、絶縁層内のナノ粒子を選択的に除去するステップと、ナノ粒子が除去された部分を介し、半導体基板を部分的にドーピングすることにより、半導体基板内にドーピングされた半導体層を部分的に形成するステップとを含むことを特徴とするナノスケールの半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ型コンタクト層１の上面にＰ型電極材料が設けられている。Ｐ型電極材料は、ＡｕＧａ膜２、Ａｕ膜３、Ｐｔ膜４、およびＡｕ膜５からなっている。Ｐ型コンタクト層１上にはＡｕＧａ膜２が設けられている。ＡｕＧａ膜２上にはＡｕ膜３が設けられている。Ａｕ膜３上にはＰｔ膜４が設けられている。Ｐｔ膜４上にはＡｕ膜５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】均質かつ一様なコーティングをナノ構造化電極に形成することが出来るコーティングプロセスの提供。
【解決手段】ナノ構造化表面をコーティングするための方法、特に有機素子用の方法であって、ナノ構造化表面をコーティングする第１の物質を作製する工程と、前記第１の物質を溶媒に溶解する工程と、ナノ構造化表面の第１のコーティングを、第１の溶解物質前記ナノ構造体表面に塗布することにより形成する工程を備え、前記第１の物質は、ナノ構造化表面を前記第１の溶解物質からなる一様に薄く、かつ均質なウエット膜によって覆うように塗布される。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが低く、量産性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 電流分散層として金属酸化膜９を有する半導体発光素子において、前記金属酸化膜９に電極１０がメッキされている。メッキ法で電極を形成することで、製造コストを下げることができる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を簡素化することできると共に、工程数を増加させずに特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性ダイヤモンド基板１上にギャップ層２を形成し、その両側に導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂを形成する。その後、ギャップ層２を溶解除去し、基板１並びに導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂの一部を覆うように高抵抗ダイヤモンド層４を形成する。次に、高抵抗ダイヤモンド層４上にゲート絶縁膜５を形成し、ゲート電極形成予定領域とソース電極形成予定領域との間及びゲート電極形成予定領域とドレイン電極形成予定領域との間に保護膜６ａ及び６ｂを形成する。そして、これらを覆うように金属電極層７を形成した後、この金属電極層７におけるソース電極８、ドレイン電極９及びゲート電極１０となる部分以外の部分を収束イオンビームにより除去する。 （もっと読む）

【課題】空孔率が高く、機械的強度の強い導電性多孔質膜を提供する。
【解決手段】燐酸金属塩（Ｍ−ＰＯ_Ｘ）骨格を持つ架橋構造体から成り、周期的に配列された空孔を囲むように作製されたメゾポーラス薄膜を用いて上記課題を解決する。前記架橋構造体は、金属として錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、イリジウム（Ｉｒ）のうちの少なくとも１つを含み、たとえば、燐酸と界面活性剤とを含む前駆体溶液をガラス基板上に塗布して前駆体薄膜を形成し、次いで金属を含む蒸気を接触させて燐酸と反応させて自己組織化薄膜を形成し、界面活性剤を離脱させることによって前記メゾポーラス薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 共役ポリマーをベースとした分子スケールの電子素子を大量生産するために、単一分子ワイヤを製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の分子ワイヤ２４の製造方法は、ハロゲン２１を含む共役モノマー溶液中に導電性基板２０を浸漬し、導電性基板２０の表面にハロゲン２１を吸着させるステップと、導電性基板２０を電極として、導電性基板２０に第１パルスを印加し、ハロゲン２１が吸着された導電性基板２０の表面に共役モノマー２２が２つ以上重合したオリゴマー２３を生成させるステップと、導電性基板２０に第２パルスを印加し、ハロゲン２１が吸着された導電性基板２０の表面に沿ってオリゴマー２３に共役モノマー２２を重合させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】透光性が高く、低抵抗の透光性電極の製造方法。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層して形成され、少なくとも酸素が存在する雰囲気下で電子線蒸着法又はイオンプレーティング法により形成され、後に焼成されて形成されたＩＴＯから成る透光性電極１１０を有する。 （もっと読む）

パターン形成されたスタンプ、好ましくは柔らかいエラストマースタンプから基板に金属および／または有機層を転写する方法が提供される。 このパターン形成された金属または有機層は例えば広範囲の電子デバイスで使用することができる。 この方法は、有機電子構成部品のナノスケールパターン形成に特に適している。
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【課題】 高品質の半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上方に形成された複合接合層と、複合接合層上方に形成された第１の電極と、第１の電極上を含む領域に形成された半導体層と、半導体層上の一部の領域に形成された第２の電極とを有し、複合接合層は、基板、及び第１の接合層を含む支持基板と、半導体層、第１の電極、及び第２の接合層を含む半導体積層構造とを接合するときに形成され、第１または第２の接合層は共晶成分を含み、支持基板及び半導体積層構造の少なくとも一方は、拡散材料を含む拡散材料層を含み、複合接合層は、第１または第２の接合層の一方に含まれる共晶成分が他方の接合層と混合して第１の混合体を形成し、更に第１の混合体と拡散材料層に含まれる拡散材料とが混合し、第１の混合体の溶融温度より高い溶融温度を有する第２の混合体を形成することにより形成される半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】貫通転移などの欠陥やひび割れが少なく高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に均一に形成することにより、高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子、その製造方法及びその製造に用いるエピタキシャル成長基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上のバッファ層（１２，１３）と、このバッファ層（１２，１３）上の、周期表第４及び第５周期に含まれるIV族元素を濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上、１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下で含む、基板１１とは格子定数の異なる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層からなる欠陥低減層１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７およびＩＴＯ透明電極１１０を備えている。このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3に設定されている。 （もっと読む）

本マイクロデポジションシステムは、基板上に特徴パターンを画定するため流体材料の小滴をマイクロデポジションする。基板に対して特徴パターンが画定される。マスクは、マイクロデポジションヘッドの機能不良ノズルのために起こる欠陥の密度を低減する特徴パターンに対して形成される。流体材料の小滴は特徴パターンの副特徴を画定するためにマスクに基いて基板上にマイクロデポジションされる。マイクロデポジションヘッドの複数のノズルの一つは特徴パターンにおける複数の副特徴の各々に割り当てられる。ノズルはランダムに又は他の機能を用いて割り当てられ得る。マスクにおける割り当てられたノズルはマイクロデポジションヘッドの複数のパスの一つに割り当てられる。 （もっと読む）

【課題】 光吸収に起因する輝度の低下を防止できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層３、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層４、量子井戸活性層５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＩｎＰ貼付コンタクト層８と、この貼付コンタクト層８に直接接合されたｐ型ＧａＰ基板１０を備える。ｐ型ＧａＰ基板１０は、量子井戸活性層５と反対側に傾斜面１０ａを有する。量子井戸活性層５で生成され、このＬＥＤ内の反射面で全反射した光を、傾斜面１０ａから外部に出射させることができるので、ＬＥＤの輝度を向上できる。 （もっと読む）